负载可以接地的V/I转换器

图1所示的电压/电流转换器使用三个运算放大器、两个中功率三极管,和少量无源元件。运放IC_1把电压V_(IN)、和V_(OUT)之和转换成V_1=-(V_(IN)+V_(OUT)。运放IC_2和三极管Q_1及Q_2对此电压进行转换,变成V_(IN)+V(OUT)。其输出电流由下式决定:     

电话机中开关管的互换

在日常修理电话机时,常遇到开关管损坏的故障。现以市场上比较流行的HA988P/T电话机作一个简单的介绍。查资料可知,V_(13)(2N5401)与V_(14)(2N5551)分别为PNP、NPN型三极管,它们构成了脉冲开关电路。由程控交换     

经验点滴

△在自制电视电声设备的电源变压器时,要注意其圈数比(n_1∶n_2)不正好等于变压比(V_1∶V_2),即n_1/n_2≠V_1/V_2,圈数比应稍小些。如绕220∶18V电源变压器圈数比不是220/18≈12.2∶1,而是11∶1左右。即次级圈数比计算值应多些,约多10％左右。如上海飞跃12DIA型     

上海工业大学硕士学位研究生入学试题及题解

试题名称:电子线路一、图1所示电路中,已知 V_1=4V,V_2=5V,求理想运算放大器的输出电压 V_0。(10分)二、图2所示反馈放大器中,所有晶体管 T 型参数为β=100,r′_((?)b)=100Ω,r_e=20Ω。请解答:1.存在哪些反馈形式,指出反馈支路,说明反馈极性;2.估算电路的电压放大倍数 A_V(V_0/V_(?));3.估算电路的输入阻抗和输出阻抗。(10分)     

求图的约束最小割集的一个有效算法及其应用

本文提出确定把无向连通图G(V,E)切割为两个子图G_1(V_1,E_1)和G_2(V_2,E_2)且满足顶点集V_1和V_2的顶点数|V_1|和|V_2|为给定值的约束最小割集的一种有效算法。该算法理论比较简单,步骤简捷有效,并能保证在多项式时间内获得最优解;此外,本文举例说明该算法具体步骤过程并介绍该算法在计算机辅助电路分析和设计中的某些实际应用。     

厚度与带隙可调、原子层沉积的超薄五氧化二钒纳米晶薄膜（英文）

利用原子层沉积方法制备V_2O_5纳米片晶薄膜.薄膜厚度可以被精确控制,并对纳米晶V_2O_5薄膜的结构形貌、光学带隙和拉曼振动有显著影响.原子层沉积过程中V_2O_5薄膜生长的两个阶段导致薄膜具有两个光学带隙,这将有助于理解超薄薄膜生长与功能应用.     

厚度与带隙可调、原子层沉积的超薄五氧化二钒纳米晶薄膜

利用原子层沉积方法制备V_2O_5纳米片晶薄膜.薄膜厚度可以被精确控制,并对纳米晶V_2O_5薄膜的结构形貌、光学带隙和拉曼振动有显著影响.原子层沉积过程中V_2O_5薄膜生长的两个阶段导致薄膜具有两个光学带隙,这将有助于理解超薄薄膜生长与功能应用.     

给玩具小狗增加语音及显示功能

语音玩具小狗,是在普通玩具狗的基础上增加电子机芯与多谐振荡器及一射极跟随器制作而成,具有制作方便、成本低等特点。一、工作原理电子玩具小狗的电路原理如图1所示。晶体管V_1、V_2以及外围元件组成一个多谐振荡器。晶体管V_3、V_4组成第二个多谐振荡器。射极跟随器V_5实现与输出扬声器阻抗的匹配。当电源接通后,V_1、V_2轮流导通,至此发光二极管LD_1、LD_2轮流闪亮。在V_1截止,V_2     

新型V接口

V接口是ISDN本地交换机LT与交换端口ET间接口,根据对应于基本接入、基群率接入、远端集中器或复用器分为V_1～V_4接口。1992年德国提出了一种V_5的新接口,其第一层符合2Mb/s信号的物理/电特性和帧结构标准,D通路信令采用动态复用,只有B通路的分配方式不同。V_5接口分成V_(5.1)和V_(5.2)接口,V_(5.1)适应静态分配、B通路时隙的PSTN和ISDN基本接入,V_(5.2)由1—64个并行的2Mb/s接口组成,适应于按需动态分配B通路时隙的PSTN     

直流固态继电器的制作

本文介绍采用分立元器件制作的直流SSR,电路十分简单、成本较低、性能良好,适合自行制作。电路及工作原理一种适合制作的通用直流SSR电路如图1所示。它由光电耦合器(IC)、N沟道功率MOSFET(VT)及电阻(R1)三个元器件组成。外围元件仅限流电阻Rin。被驱动的负载R_L可以是阻性负载或感性负载(如直流无刷电动机、螺管线圈、电磁阀等)。其工作原理如下:未加控制电压Vcc时,光耦中的红外发光二极管不发光,光电三极管截止,VT的V_(GS)=OV,VT截止(相当于开关断开如图2-a所示),负载失电;当加上控制电压Vcc后,有一定电流流经红外发光二极管,使光电三极管饱和导通,R1上的电压V_(R1)=Vdd-V_(CE(set))。一般光电三极管的V_(CE(set))约零点几伏,所以V_(R1)≈Vdd。R1两端连接VT的G极及S极,即V_(GS)=V_(R1)≈Vdd(Vdd≥5V),VT导通《相当于开关闭合,如图2-b所示),负载     

均流技术在固态发射机供电系统中的应用

1 均流技术原理图1为两个模块并联工作时的等效电路及其外特性曲线。如果两个电源的参数完全相同,即 V_1=V_2,R_1=R_2,两条外特性曲线重合,负载电流均匀分配。如果其中一个模块的电压较高,输出电阻较小(外特性斜率小),如图1中的电源 B,在输出电     

砷化镓中EL2深能级结构模型的晶格振动态密度

介绍了目前比较流行的两种砷化镓EL2深能级结构模型,即Bourgoinde的As_(Ga)-As_i对模型和邹元爔的As_(Ga)V_(As)V_(Ga)三元络合物模型.分别计算了这两个模型的晶格振动态密度.为EL2深能级结构的最终确定提供了一些有用的信息.     

一个简单的频差检测器

本文所述频差检测器与频率比较的数字计数器相比,虽然精度受到限制,但它十分简单,调整方便.同时,在许多应用中,象伺服电路中,它能直接输出模拟量.另外,当一个频率固定,在音频或低于音频时,可用来作为甄别器,而这正是惯常的甄别器由于变换上的麻烦所不及的. (一)原理和检测特性频差检测器的方块图和检测特性如图1.两个独立的单稳电路提供与各自输入周期(T_1=1/f_1,T_2=1/f_2)相同、具有恒定的宽度(t_(p1)、t_(p2))和幅度(V_(p1)、V_(p2))     

电路集锦

简单的压控振荡器 图1是一个很有用的音频压控振荡器。在输入端,正的控制电压对电容C充电,一直到运放的反相输入端电压达到同相输入端数值—即对地为几个毫伏,它由(V_+)lR_1/(R_1+R_2)确定。由于正反馈,运放的输出迅速由V_+下降到     

增益公式简单的非反相运放电路

基础教科书都阐述了基于运算放大器的反相放大器和同相放大器。这些放大器都有不同的增益公式。反相运算放大器的增益是反馈电阻与输入电阻之比,而同相运算放大器的增益则多了一项。在某些设计中,为了简单起见,反相和同相放大器最好有一个简单的比例增益比(表示大于1和小于1的增益)。图1所示的同相放大器具有一个简单的比例增益公式:V_(OUT)=V_(IN)(R_2/2R_1)。这一增益正比于一个电阻比,并可取任何数值。R_3对增益没有任何影响。     

可编程二极管偏置电桥

诸如Motorola TL431A那样的可编程参考二极管可对硅压力检测器电桥供给恒流偏置(如图)。本电路图比用运放加分离的参考二极管简单,也比采用需要温度补偿的电流二极管简单。 TL431A在1～100mA电流范围内提供,2.5V的V_(REF)。可根据检测器制造厂家的规定,用V_(REF)/R_2来设定电桥检测器所需的偏置电流。由电阻R1及电源电     

精确和稳定的均方根-直流变换器

将众所周知的真均方根——直流电路(rms-to-dc)与简单的S/H电路组合,就能消除偏移引起的误差,从而能提高精度和温度的稳定性。图1电路采用了一只低成本模拟倍增器IC_1,积分器IC_(3A)、R_5和C_1;以及模拟倒相器IC_2、R_3、R_4和D_1,将模拟V_(IN)变换成真均方根——直流V_(OUT)。     

关于砷化镓薄层外延硫掺杂量控制问题的研究

本文主要探讨砷化镓薄层外延硫掺杂量的控制问题。讨论了掺杂混合溶液S_2Cl_2/AsCl_3中,S_2Cl_2含量逐渐减少的原因。在科研实践的基础上,将复杂的薄层外延硫掺杂行为,简化为掺杂流量V=CF的线性公式,其中F=As/S×10~(-4),C为反应系数。讨论了F值的大小问题,认为:F=2～5的掺杂混合溶液较为适用。进一步建立了V_2=KU_1V_1,根据上一炉外延片的击穿电压U_1与掺杂流量V_1来调整下一炉掺杂流量V_2的公式。运用这两个公式为我们科研实践服务,对稳定科研工艺是有一定的效果的。     

三屏同显的LED数字钟

本钟有三块数字钟专用三位半LED显示屏和7光点显示器,同时显示月日时分秒和星期的内容,星期的显示方式也较新颖。LM8363具有月日显示功能,采用扫描供电原理实现三屏同显。图1是主电路原理图。V_1、V_2组成振荡器,向IC1提供500Hz的计数脉冲。IC2组成3进制计数器,Q_0、Q_1、Q_2循环输出高电平(设—10V电源端为零电位,下同),V_5、V_6、V_7循环导     

与电压无关的延时器

虽然本电路给出的是一个RC延时器,但该电路具有不需要调节和不受电源电压影响的优点。这是因为电路电压变化对两比较器的输入端是对等的。 输入脉冲在IC1b输出端产生“1”时,并加于RC和R2,R3上,所以: V_(c1)=V1(1—e~(t0/R1C1)) V_(R3)=V1R3(R2—R3) 由于V_(c1)变化到与V_(R3)相等时的时间决定时延,解此方程,得t_0为 t-0=-R1Clln(1-R3/(R2 R3)) 式中t_0仅与RC有关,而与电压无关。采用二极管是当输入为零时避免在两比