印制电路词汇(9)

528 face bonding:面焊接 为了电路面与基板面相接而将裸片组装在基板上的工艺。529 face down:倒装 形成芯片电路元件的一侧与基板面正向组合的状态即为倒装(如下图所示)。以这种方式构成的芯片代表就是倒装片。     

ASE和IBM二公司在倒装芯片组装中进行合作

据可靠消息,台湾ASE(日月光半导体制造公司)和美国IBM公司在倒装芯片组装技术方面相互合作,采用IBM公司开发的SLC(Surface Laminar Circuit)基板,共同开发第二代的倒装芯片组装技术。ASE公司采用该基板进行倒装芯片组件的设计、制造、安装等。另外,二公司计划共同提供基板组装的设计服务等。     

MCM中的倒装芯片互连技术

本文介绍一种实用的倒装芯片的凸点形成技术，倒装焊接芯片与基板的对准方法及倒装焊的考核结果。     

MCM—C倒装焊工艺技术研究

简要介绍了主要倒装焊技术，重点研究了实用性强、可行性好的超声热压倒装焊、导电环氧粘接倒装、ACA粘接倒装以及MCM—C基板上的芯片倒装焊区制作、倒装后芯片的下填充等工艺技术，总结了芯片倒装互连质量的主要检验要求。     

国外工艺文献导读

责任编辑吕淑珍 20000301 提高倒装片工艺的成品率和可靠性一 Brian J Lewis.SMT,1999,13(11):64～68(英文) 尽管有一些成熟的工艺适用于PCB上的裸芯 片贴装,但倒装片技术是最独特的,芯片被直接倒装 在基板上.倒装片工艺的最关键问题之一是由于热 膨胀系数不同而引起的芯片与基板之间的应力,为 了消除这一应力,下填充工艺被应用于基板与芯片 之间.为了提高倒装片组装的成品率和可靠性,本 文研究了一些相关参数,并介绍了在工艺中怎样检 验每一参数的作用以及必须进行的调整. 20000302 免洗焊膏的改进-Smith Brian.SMT,     

倒装芯片的底部填充材料和涂布

倒装芯片是当今半导体封装领域的一大热点,它既是一种芯片互连技术,更是一种理想的芯片粘接技术。以往后级封装技术都是将芯片的有源区面朝上,背对基板粘贴后键合(如引线键合和载带自动键合TAB)。而倒装芯片则是将芯片有源区面对基板,通过芯片上呈阵列排列的焊料凸点来实现芯片与衬底的互连。显然,这种芯片互连的方式能够提供更高的I/O密度。     

用于倒装芯片的金球凸点制作技术

倒装芯片中凸点用于实现芯片和基板的电路互连,芯片凸点的制作是倒装芯片技术的关键技术之一.对金球凸点制作进行了介绍.金球凸点直接粘附于芯片上,同时又可具有电路互连的作用,可以完成倒装芯片与基板的电气连接.金球凸点的优势是简单、灵活、便捷、低成本,最大特点是无需凸点下金属层(UBM),可对任意大小的单个芯片进行凸点制作,平整度可达到±4μm.     

RFID芯片超声倒装封装技术研究

超声倒装是近年来芯片封装领域中快速发展的一种倒装技术,具有连接强度高、接触电阻低、可靠性高、低温下短时完成和成本低的优势,特别适合较少凸点的RFID芯片封装。在镀Ni/Au铜基板上进行了RFID芯片超声倒装焊接实验,金凸点与镀Ni/Au铜基板之间实现了冶金结合,获得了良好的力学与电气性能,满足射频要求。     

避免发生芯片裂纹的倒装片BGA技术概述

介绍了把断裂力学法应用于倒装片BGA的设计方法。概述了一些关键的材料特性和封装尺寸对倒装片BGA芯片裂纹的影响作用，从而断定基板厚度和芯片厚度是倒装片BGA芯片发生裂纹的两个最重要的因素。     

倒装芯片放置工艺的设计分析

对倒装芯片不流动底部填充胶进行压迫流动填充,底部填料会对倒装芯片产生流体静态压力,阻碍芯片向下放置。根据牛顿流体挤压流动的静态近似分析估算出底部填料对芯片的作用力,分别计算在两种不同工艺条件下放置压力达到最大时,两种不同规格芯片与基板的间隔距离,比较与芯片凸点高度,然后计算使芯片凸点与基板键合区实现接触所需放置压力的最小保持时间,从正反两个方面讨论关键参数等对倒装芯片工艺设计影响。     

无需TSV的3D芯片叠加

正成就高性能,低成本,薄型化封装设计面对面芯片叠加可以简化封装:使用成熟的铜柱微凸点倒装技术叠加两颗或多颗芯片,而无需昂贵的穿硅孔(TSV)技术近距离芯片互联可以提高性能:实现高带宽,高密度和高功率目标,而无需昂贵的2.5D或3D穿硅孔(TSV)技术优化芯片放置可以实现轻薄化:减薄的子芯片置于倒装母芯片下的凸点阵列环内与母芯片互联,或置于基板BGA阵列环内与基板互联,封装体没有增厚     

热超声倒装焊在制作大功率GaN基LED中的应用

设计了适合于倒装的大功率GaN基LED芯片结构,在倒装基板硅片上制作了金凸点,采用热超声倒装焊接(FCB)技术将芯片倒装在基板上.测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump,焊接后的GaN基绿光LED在350 mA工作电流下正向电压为3.0 V.将热超声倒装焊接技术用于制作大功率GaN基LED器件,能起到良好的机械互连和电气互连.     

无填料底充胶的可靠性影响

底层填充密封剂是开发用于封闭倒装芯片IC的。一般来说，这类密封剂都是含有硅的环氧树脂，在毛细作用下，其在芯片的底部会出现芯吸的现象。经固化后，密封剂就会使焊点具有机械强度。倒装芯片的热膨胀系数(CTE)要比其组装基板的热膨胀系数低。在热循环过程中，这种CTE不匹配会导致倒装芯片和印板移动，以及焊点机械疲劳。循环疲劳最终会以IC故障而告终。     

为CSP和BGA而设计的底部填充剂的工艺优势

底部填充剂原本是专为倒装芯片设计的。由于硅质的倒装芯片的热膨胀系数比基板材质低很多，因此，在热循环测试中会产生相对位移，导致机械疲劳从而引起不良焊接。底部填充剂材料通常是环氧树脂，利用毛细作用原理渗透到倒装芯片底部，然后固化。它能有效提高焊点的机械强度，从而提高芯片的使用寿命。     

倒装芯片的声学成像检测

倒装芯片应用中出现的主要问题都是长期的可靠性问题。在基板组件上的高端倒装芯片的生产中，由于对可靠性的要求很高，所以，采用自动设备实施的100％声学检测大体上已成为标准。     

倒装芯片热电极键合工艺研究

文章将论述一种无掩模制造细小焊料凸点技术。利用热电极键合工艺将带有凸点的倒装芯片焊到基板上。此项工艺能将间距小至40μm的倒装芯片组装到基板上。文章也论述了间距为40μm、电镀AuSn钎料凸点的倒装芯片组装工艺技术。金属间化合物相的形成对焊点可靠性有重要影响,尤其是对于细小焊点。文中研究了金属间化合物相的形成与增加对可靠性的影响。讨论分析了热循环和湿气等可靠性试验结果。     

倒装片可修复底部填充材料的研究现状及发展

有机基板上的倒装芯片一般采用底部填充技术以提高其封装的可靠性.有缺陷的芯片在倒装后难以进行返工替换,使得倒装芯片技术成本提高,限制了此技术的应用.提出新型可修复底部填充材料的开发成为解决这一问题的有效途径.介绍了倒装芯片的可修复底部填充技术和可应用于可修复底部填充材料的技术要求,并综述了国内外对于可修复底部填充材料的研究现状.     

倒装芯片封装技术及内部应力检测技术探析

当前,倒装芯片封装技术已经成为相关领域的主流方法,但由于芯片、基板、焊球、下填料等材料具有差异化的热膨胀系数,导致封装过程中极易引入热应力,不利于保持芯片的性能及其可靠性。采用有效方法能够对倒装封装过程中所产生的应力进行检测,对于完善封装参数,提高产品可靠性,具有重要的现实意义。     

倒装芯片在基板上的装配工艺

倒装芯片装配是能否实现产品微型化能力的关键。我们以前己经针对一些倒装芯片的互连形式开展了研究工作，包括：各向异性的导电簿膜或者焊膏，以及金-金热声波键合。目的主要是瞄准间距为0．200和0．250mm的倒装芯片的焊接装配工作。对于倒装芯片来说有二种施加焊剂的方法：焊剂沉浸方式和对基板进行焊剂喷射的方式。我们对传统的SMT贴装设备（可以满足倒装芯片装配的价格提升的高档货）所具有的贴装准确性展开了研究，并且对所获得的结果进行讨论。     

采用MUF的倒装芯片封装技术

业界对信号完整性和电学性能提出了越来越高的要求,因而开始向更薄基板的方向发展,Amkor Technology Inc.开发出一种使用模塑底部填充（MUF）而非毛细底部填充（CUF）的倒装芯片模塑球栅阵列（FCMBGA）封装技术,使得无源器件与倒装芯片的间距更小,同时还提供了更优的薄芯基板变形控制,并可以获得更好的焊料连接可靠性。