浅施主杂质态在n—Hg1—xCdxTe磁致金属—绝缘体相变中的作用

在０．３－４．２Ｋ温度范围，测量了ｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．１９５）在磁量子极限后的横向磁阻，纵向磁阻和霍尔系数，观察到了磁致金属－绝缘体相变和相变发生前的霍尔系数下凹“Ｈｑａｌｌｄｉｐ”。基于电子在浅施主杂质上磁冻结的模型，讨论了磁致金属－绝缘体相变的机理及其温度效应和“Ｈａｌｌｄｉｐ”的起因。     

Hg_（1－x）Cd_xTe晶体中的层错研究

采用金相显微镜观察到了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体中的层错。层错面是｛１１１｝面，层错蚀坑呈条状，在（１１１）面上观察到的层错条状蚀坑只有三个方向，而且这三个方向互为１２０°。理论分析表明，在（１１０）面上观察层错时，层错条状蚀坑有四个方向，其夹角为５４７°或７０．５°；在（１００）面上观察层错时，层错条状蚀坑有三个方向，其夹角为０°或９０°。层错边界的不全位错是弗兰克位错。     

Hg_（1－x）Cd_xTe的扫描光致发光研究

用傅里叶变换红外扫描光致发光方法研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ体单晶样品，该方法可直接得到ＨｇＣｄＴｅ晶片组分的二维平面分布，并可得到辐射复合在复合机制中所占比重的平面分布，以及晶体中非平衡载流子寿命的分布     

低补偿度n－Hg_（1－x）Cd_xTe的弱局域效应

本文在多次实验中选择的低补偿度ｎ－Ｈｇ１—ｘＣｄｘＴｅ样品上测量了０—１０ｍＴ弱磁场范围的横向磁阻和纵向磁阻，观测到了三维电子系统中弱局域导致的负磁阻修正效应．初步讨论了样品尺寸、磁场与电流的相对取向以及温度对弱局域效应的影响．     

在磁场中的Bridgman－Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长数值模拟研究

对垂直Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体生长系统，用数值模拟方法研究了与晶锭轴同方向的恒定磁场对熔体中温度场、流场、浓度场及ｓ－ｌ界面产生的影响，介绍了边界条件的处理方法．结果表明，随着磁场强度的增加，熔体中的热对流强度逐渐减弱，ｓ－ｌ界面逐渐向上移动并趋于平坦．     

Hg_（1－x）Cd_xTe双色红外探测器装配工艺

简要介绍了研制叠层ＭＣＴ双色红外探测器的装配过程，对器件装配前后的测试结果进行了比较分析，发现部分双色红外探测器的探测率已接近背景限。表明叠层ＭＣＴ双色红外探测器的装配工艺是可行的。     

Hg_（1－x）Cd_xTe液相外延薄膜的光致发光

用红外光荧光测量分析了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的发光特性，观察到局域激子及束缚激子发光．当外延层减薄至２μｍ后，ＰＬ信号的峰位将向高能方向移动，这是由于外延薄膜纵向组份不均匀引起的     

液相外延生长Hg_（1－x）Cd_xTe薄膜及其特性分析

报道了用液相外延技术生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法．结果表明Ｈｇ气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响．由Ｘ射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份，由红外透射光谱确定外延层组份的纵向分布．     

高温区Hg_（1－x）Cd_xTe光导器件的温度－电阻关系

在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度、迁移率、电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合．利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值，是一种判断器件均匀性和性能的有效方法     

P型长波Hg_（1－x）Cd_xTe材料MBE生长技术研究

用分子束外延的方法在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上研制了Ｐ型长波ＨｇＣｄＴｅ材料，及３２×３２小规模长波混成红外焦平面列阵，其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好．在适当的热处理条件下，材料Ｐ型电学参数达到了较高水平，并具有良好的可重复性     

坩埚旋转的水平移动加热器法生长Hg_（1－x）Cd_xTe

首次研究了一种水平移动加热器法（ＴＨＭ）从未充满的溶区中生长圆柱形晶体。转动安瓿使晶体的整个截面不断地与溶液接触，强迫对流使溶液得到有效的搅拌。这种方法已被用于从富碲溶区中生长Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ单晶。其结构完整性和冶金学均匀性都与垂直生长的ＴＨＭ材料相当。     

MOCVD－Hg_（1－x）Cd_xTe／CdTe／GaAs外延材料红外吸收光谱研究

从理论上完成对ＭＯＣＶＤ工艺生长的ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ材料的透过率、吸收边和相干行为的计算．结果表明光的干涉条纹与外延层ＨｇＣｄＴｅ和缓冲层ＣｄＴｅ的总厚度相关，其透过率不能直接反映材料的内在质量．计算结果还表明，外延材料组份的均匀性对红外光谱的吸收边有很大的影响．运用理论计算对实验中测得的光谱曲线进行了分析，发现ＭＯＣＶＤ工艺存在着一种部分过饱和态的生长机制，并发现负禁带ＨｇＴｅ薄膜也具有一定的透光特性．     

偏心Bridgman－Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长S－L界面形状的数值模拟

用三维数值模拟方法研究了偏心Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体生长系统Ｓ－Ｌ界面附近的温度分布．考察了偏心程度、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对倾斜Ｓ－Ｌ界面的影响情况．结果表明，偏心温度场可提高晶片上一较大区域内的横向组分均匀性．ψ＝０、π面上的等温线分布可作为确定切片倾角的依据     

n-Hg_（1－x）Cd_xTe中复合中心

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．４）ｐ＋ｎ结中Ｈ２（０．２９）空穴陷阱的俘获机制，发现它不满足级联复合机制或俄歇复合机制，该能级俘获截面的温度关系满足σ（Ｔ）＝σ∞ｅｘｐ（－ＥＢ／ｋＴ）形式，推测多声子无辐射复合起着决定性作用     

布里兹曼法碲镉汞（Hg_（1－x）Cd_xTe）晶体生长过程热场的数值分析

用控制容积法对布里兹曼法碲镉汞（Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ）晶体生长过程热场分布进行了计算．介绍了控制容积公式的推导和边界条件的处理，并对所得结果进行了分析．虽然碲镉汞晶体生长时热场受系统的影响情况错综复杂，但从本文的研究结果中仍可看出一些明显的规律，可供从事该方面研究工作时参考．     

在加速坩埚旋转条件下用移动加热器法生长Hg_（1－x）Cd_xTe单晶

加速旋转坩涡技术已用于Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ的ＴＨＭ生长，以在较高速率下生长单晶。扩大界面前的对流搅拌区获得的这种较高的生长速率，可用于解释简单的组分过冷理论的某些结果。研究了几种不同的、可满足简单流体力学和几何学判据的加速坩蜗旋转技术（ＡＣＲＴ）周期。在冶金学均匀性及结构完整性这两方面对生长的晶体作了研究，结果表明，把生长速率从１．５ｍｍ／ｄ提高到８．５ｍｍ／ｄ时，其性能并无衰变。     

用室温红外透射谱研究Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜的组份分布

根据Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ本征吸收系数的经验公式及Ｈｏｕｇｅｎ模型，建立了一种用室温红外透射谱研究Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜组份均匀性的方法，用这种方法检测了ＬＰＥ、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ薄膜的组份分布，并与二次离子质谱（ＳＩＭＳ）测量结果进行了比较     

Si_（1－x）Ge_x合金的浅杂质光电导谱

在４．２—５０Ｋ温度范围内研究了直拉法生长的富含Ｓｉ的Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ合金的浅杂质光电导谱，首次观察到了锗硅合金中从硼受主杂质基态到ｐ３／２价带的光电离跃迁过程及硼受主杂质的与自旋－轨道分裂带（ｐ１／２价带）相联系折光电导过程，并由此确定了硼杂质的电离能．结果表明，低锗组分下，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ合金中浅受主杂质电离能随合金组分线性变化．     

Hg_（1－x）Cd_xTeTHM法晶体生长的数值模拟

Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅＴＨＭ法晶体生长的数值模拟严北平，王朝东，刘家璐，罗宏伟，张延庆（西安电子科技大学电子所西安７１００７１）郎维和，张宝峰（华北光电技术研究所北京１０００１５）Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ是目前长波红外探测器的最好材料，而大...     

MBE生长的p－Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜变磁场下的Hall系数及电导率

本文报道了利用分子束外延技术在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＴｅ异质结，并通过ＶａｎｄｅｒＰａｕｗ（ＶｄＰ）方法测量Ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜在不同温度及磁场下Ｈａｌｌ系数和电导率，采用最小二乘法对实验数据下行拟合，得到了混合导电机制下电子、重空穴和轻空穴的迁移率及载流子浓度．