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在0.3-4.2K温度范围,测量了n-Hg1-xCdxTe(x=0.195)在磁量子极限后的横向磁阻,纵向磁阻和霍尔系数,观察到了磁致金属-绝缘体相变和相变发生前的霍尔系数下凹“Hqalldip”。基于电子在浅施主杂质上磁冻结的模型,讨论了磁致金属-绝缘体相变的机理及其温度效应和“Halldip”的起因。 相似文献
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采用金相显微镜观察到了Hg1-xCdxTe晶体中的层错。层错面是{111}面,层错蚀坑呈条状,在(111)面上观察到的层错条状蚀坑只有三个方向,而且这三个方向互为120°。理论分析表明,在(110)面上观察层错时,层错条状蚀坑有四个方向,其夹角为547°或70.5°;在(100)面上观察层错时,层错条状蚀坑有三个方向,其夹角为0°或90°。层错边界的不全位错是弗兰克位错。 相似文献
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用傅里叶变换红外扫描光致发光方法研究了Hg1-xCdxTe体单晶样品,该方法可直接得到HgCdTe晶片组分的二维平面分布,并可得到辐射复合在复合机制中所占比重的平面分布,以及晶体中非平衡载流子寿命的分布 相似文献
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用红外光荧光测量分析了Hg1-xCdxTe液相外延薄膜的发光特性,观察到局域激子及束缚激子发光.当外延层减薄至2μm后,PL信号的峰位将向高能方向移动,这是由于外延薄膜纵向组份不均匀引起的 相似文献
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报道了用液相外延技术生长Hg1-xCdxTe薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法.结果表明Hg气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响.由X射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份,由红外透射光谱确定外延层组份的纵向分布. 相似文献
9.
在200~300K范围内测量了n-HgCdTe的电学参数,并推导了载流子浓度、迁移率、电阻和组分的关系表达式,所得结果与红外光谱测量数据符合.利用HgCdTe光导器件的电阻-温度特性确定组分,不需要电阻的精确值,是一种判断器件均匀性和性能的有效方法 相似文献
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首次研究了一种水平移动加热器法(THM)从未充满的溶区中生长圆柱形晶体。转动安瓿使晶体的整个截面不断地与溶液接触,强迫对流使溶液得到有效的搅拌。这种方法已被用于从富碲溶区中生长Hg_(1-x)Cd_xTe单晶。其结构完整性和冶金学均匀性都与垂直生长的THM材料相当。 相似文献
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从理论上完成对MOCVD工艺生长的HgCdTe/CdTe/GaAs材料的透过率、吸收边和相干行为的计算.结果表明光的干涉条纹与外延层HgCdTe和缓冲层CdTe的总厚度相关,其透过率不能直接反映材料的内在质量.计算结果还表明,外延材料组份的均匀性对红外光谱的吸收边有很大的影响.运用理论计算对实验中测得的光谱曲线进行了分析,发现MOCVD工艺存在着一种部分过饱和态的生长机制,并发现负禁带HgTe薄膜也具有一定的透光特性. 相似文献
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利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了Hg1-xCdxTe(x=0.4)p+n结中H2(0.29)空穴陷阱的俘获机制,发现它不满足级联复合机制或俄歇复合机制,该能级俘获截面的温度关系满足σ(T)=σ∞exp(-EB/kT)形式,推测多声子无辐射复合起着决定性作用 相似文献
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加速旋转坩涡技术已用于Hg_(1-x)Cd_xTe的THM生长,以在较高速率下生长单晶。扩大界面前的对流搅拌区获得的这种较高的生长速率,可用于解释简单的组分过冷理论的某些结果。研究了几种不同的、可满足简单流体力学和几何学判据的加速坩蜗旋转技术(ACRT)周期。在冶金学均匀性及结构完整性这两方面对生长的晶体作了研究,结果表明,把生长速率从1.5mm/d提高到8.5mm/d时,其性能并无衰变。 相似文献
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根据Hg1-xCdxTe本征吸收系数的经验公式及Hougen模型,建立了一种用室温红外透射谱研究Hg1-xCdxTe外延薄膜组份均匀性的方法,用这种方法检测了LPE、MBE、MOCVD薄膜的组份分布,并与二次离子质谱(SIMS)测量结果进行了比较 相似文献
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