微波ECR等离子体溅射法沉积ZnO薄膜

低温沉积薄膜技术在制作先进的微电子学器件和集成多功能传感器方面非常重要。最近,应用微波电子回旋共振(ECR)等离子体溅射法沉积成高性能、高沉积速率和低基片温度的ZnO薄膜。本文叙述应用微波ECR等离子体溅射法沉积ZnO膜的制法及其性能。     

采用磁近管方式溅射的电子回旋共振等离子体沉积技术的研究

蒋磁控管方式溅射用于微波ＥＣＲ等离子体沉积技术。在低气压和下沉积了高度Ｃ轴取向的ＺｎＯ薄膜，其膜的沉积速率比普通ＣＥＲ溅射中所得到地速率大得多，并且在Φ１２ｃｍ的膜区域内显示出良好的均匀性。     

新型微波等离子体源

微波等离子体的一个重要发展是电子回旋共振(ECR)放电,本文介绍ECR放电技术的现状和报告一种新型ECR等离子体源—横磁瓶ECR等离子体源,并叙述其原理和结构。     

采用磁控管方式溅射的电子回旋共振等离子体沉积技术的研究

将磁控管方式溅射用于微波ＥＣＲ等离子体沉积技术。在低气压和低温下沉积了高度Ｃ轴取向的ＺｎＯ薄膜,其膜的沉积速率比普通ＥＣＲ溅射中所得到的速率大得多,并且在Φ１２ｃｍ的膜区域内显示出良好的均匀性。     

TiC/n型4H-SiC欧姆接触的低温退火研究

利用电子回旋共振(ECR)氢等离子体处理n型4H-SiC(0.5～1.5×1019cm-3)表面,采用溅射法制备碳化钛(TiC)电极,并在低温(<800℃)条件下退火。直线传输线模型(TLM)测试结果表明,TiC电极无需退火即可与SiC形成欧姆接触,采用ECR氢等离子体处理能明显降低比接触电阻,并在600℃退火时获得了最小的比接触电阻2.45×10-6Ω.cm2;当退火温度超过600℃时,欧姆接触性能开始退化,但是比接触电阻仍然低于未经氢等离子体处理的样品,说明ECR氢等离子体处理对防止高温欧姆接触性能劣化仍有明显的效果。利用X射线衍射(XRD)分析了不同退火温度下TiC/SiC界面的物相组成,揭示了电学特性与微观结构的关系。     

《IBS—300型》离子束溅射装置

由于离子束溅射法可以在高真空条件下成膜,能够精确地控制膜的生长过程,生长出理想的合金和化合物,而且可在室温附近成膜。因此可用以生长出所有无机材料和各种结晶构造的膜。但是,由于装置的构造复杂,价格高,成膜速度缓慢,成膜面积受到限制等问题,现在成膜的例子大部分还处于研究开发阶段。最近,由于研制成输出束流大的离子枪,因而大幅度地提高了成膜速度,使这种技术向实用化的方向迈进了一大步。     

溅射过程的理论推导

本文通过引入溅射模型，对溅射过程进行了推导与计算，得到溅射速率的解析式，与Ｒｏｌｅ等人所得公式比较表明，本文所得公式能更好地述溅射过程，并且表明，选择合适的入射离子参数（入射能量和入射角）可以减小溅射损伤。     

与等离子体相关的真空沉积技术及其应用

介绍了产生等离子几种放电方式（如直流二极放电，射频放电，真空辉光放电，真空弧光放电等）与等离子体相关的溅射沉积，离子镀沉积等常用的真空沉积技术及其在薄膜 备中的应用。     

准分子激光溅射法制备高温超导薄膜机理研究的新进展

本文简要介绍准分子激光溅射法制备高温超导薄膜的实验技术。重点阐述了近年来由大量实验研究所揭示出的激光溅射及成膜过程的一些基本特点和规律。同时,对准分子激光制膜保成份蒸镀这一独特优点的机制进行了深入的讨论。     

离子束溅射原位沉积高温超导薄膜的机理与实验研究

理论计算了氩离子束溅射Ｙ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ靶的组分原子溅射率，得出了溅射过程中存在Ｃｕ原子溅射率偏低的“择优溅射”效应。通过分析原位形成高温超导薄膜的实现条件，表示出了离子束溅射原位成膜的基本过程。实验上采用分子氧辅助沉积技术，用离子束溅射法原位外延出ＹＢａ２Ｃｕ３－Ｏ超导薄膜。讨论了试验条件对薄膜特性的影响。提得到的实验结果与理论分析相一致。     

一种新的溅射工艺

Surface Solution公司研制了一种直流磁控管溅射丁艺，用来在圆管内表面进行淀积。常规的平面溅射工艺所需的固体磁体组件，由于体积太大不能放入小口径管子内部。新工艺使用的设备比较简单，不使用磁体，而是在要涂复的管子内安放一个阴极，在其周围产生电磁场。这种等离子体汽相淀积工艺常可以不用独立的真空室，因为在许多情况下可将管子两头封闭形成密封的腔室。     

利用高频溅射刻蚀光刻伺服盘工艺参数的确定

光刻伺服盘是一种新的磁头伺服定位技术。本文分析了利用高频溅射法刻蚀光刻伺服盘的刻蚀机理,并对主要的刻蚀参数如溅射电压、气体压力等对刻蚀精度的影响作了比较详细的讨论。     

用于PDP应用的高速MgO溅射源

ＢＰＳ研制出一种用于ＰＤＰ应用的新型高速ＭｇＯ溅射源。该溅射源与现有的用于大批量生产的立式串级系统完全兼容。工艺过程是基于在金属镁靶上进行的全反应。此装置采用特殊设计，可解决低附着率以及由于靶电弧所引起的工艺不稳定等问题。本文还进一步讨论了表面拓朴学，溅射阻力以及其它有影响的参数。     

一种最新的等离子体腐蚀技术──TM-ECR

目前，提出了一种千兆位级DRAM超LSI批量生产所必需的最新等离子体腐蚀技术，并实践验证了其性能。该技术称谓时间调整电子回族共振［TM－ECR：（Time－ModulatedElectronCyclotronResonance）]等离子体腐蚀；它是采用以微秒反复进行等离子体“通”、“断”的脉冲调制等离子体。结果，可独立控制等离于体中的活性成分的种类、密度、能量，近而可达到同时兼备高选择性、；高各向异性、高速性的腐蚀效果。同时，也可减小由于电行积累而对衬底造成的不良影响。通常，TM－ECR等离子体腐蚀技术形成的高纵、横比接触孔的腐蚀形状为孔直径…     

溅射薄膜应变式压力传感器

利用溅射使材料薄膜化的技术在电子器件以及其它方面得到了迅速的发展。这是因为薄膜具有和体材料不同的性质,利用这种性质就有可能得到以前技术不能得到的器件。溅射薄膜应变式压力传感器就是正在开发中的这类器件中的一种。这种溅射薄膜应变式传感器是利用通过溅射在产生应变的梁和膜片等上面直接形成薄膜。它的组成材料全部是无机物,厚度非常薄,是原来的箔式应变片的1/10,而且有耐热性好和形状规则等许多优点。     

紫外激光烧蚀金属Al靶诱导等离子体的发射光谱研究

通过测定紫外激光烧蚀Ａｌ靶诱导等离子体的发射光谱，研究了激光烧蚀Ａｌ靶的溅射过程和烧蚀环境气体对发射光谱强度的影响，提出电子碰撞激发模型，定性解释了烧蚀环境气体对等离子体发射光谱的增强效应。     

新型电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀技术

刻蚀技术是制作微电子、光电子和声电器件十分重要的工艺.射频、微波电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀技术比传统的湿法刻蚀和反应性离子刻蚀等方法有较多的优点,已用于薄膜和半导体基片材料的刻蚀.本文主要就这些新的ECR等离子体刻蚀技术以及它们对几种材料的刻蚀特性予以探讨.     

溅射镀膜技术原理与工艺简介

本文简述了溅射技术的原理、工艺与应用，主要阐述了溅射镀膜的各种方式，以及探讨了不同的溅射技术对不同材料的影响。     

离子束溅射原位淀积高温超导薄膜的机理与实验研究

理论计算了氩离子束溅射Y－Ba－CU－O靶的组分原子溅射率，得出了溅射过程中存在Cu原子溅射率偏低的“择优溅射”效应。通过分析原位形成高温超导薄膜的实现条件，表示出了离子束溅射原位成膜的基本过程。实验上采用分子氧辅助淀积技术，用离子束溅射法原位外延出YBa2Cu3O(7-δ)超导薄膜。讨论了实验条件对薄膜特性的影响。所得到的实验结果与理论分析相一致。     

离子溅射技术对增透膜性能的影响

在薄膜的制备方面,目前有三大技术比较流行:电子枪(真空蒸发的主要方法)、离子辅助(离子镀技术)和离子束溅射(溅射技术的方法之一).对于这三种技术的一般特性,各种文献中都有介绍和说明,但对于薄膜的具体性能的影响则报导很少.我们曾研究了离子辅助沉积技术对薄膜性能的影响,本文是对该研究的补充,着重研究离子束溅射技术对制备增透膜性能的影响,如薄膜的表面形貌、薄膜的折射率、薄膜的弱吸收等,并对比在这几种工艺条件下制备的薄膜性能的优缺点,指出离子束溅射技术的固有特点和在制备薄膜产品中的局限性.本文在对薄膜性能的分析中采用了新的分析手段,如原子力显微镜、表面热透镜技术、X射线衍射技术.(OH13)