LiClO_4·3H_2O晶体的压电性能

本文测量了LiClO_4·3H_2O晶体的压电系数,结果为:d_(33)=5.2,d_(31)=-1.0,d_(15)=0.8×10~(-12)C/N。     

Hg（C4H8N2S）3Cl2晶体压电系数的测量

本文测量了Hg(C_4H_8N_2S)_3Cl_2晶体的压电系数,结果为:d_(33)=3.2,d_(31)=-0.2, d_(22)=2.9,d_(15)=3.3×10~(-12)C/N.     

PZT60／40晶体压电性能随空间变化的研究

在准同型相边界（x＝0.53）附近,利用坐标变换法,对压电性能较好的PZT60／40（60％PbZrO     

钛酸钡晶体压电性能的分子动力学模拟

利用Tanaka对势函数,开展不同电场加载下单晶钛酸钡分子动力学方法模拟,研究外电场、温度等对单晶钛酸钡的压电应力常数(e33)的影响.结果表明,常温下,电场强度对e33影响不大;但随着电场强度增大,e31上升趋势较明显;温度在约275 K前,e33随温度升高迅速增大,此后基本呈缓慢走低的势头.     

β—BBO晶体压电应变系数的测量

用干涉法和准静态ｄ３３测量仪相结合测量了β－ＢａＢ２Ｏ４（β－ＢＢＯ）晶体的全部电压变变系数，结果为：ｄ３３＝１．０×１０＾－１２Ｃ／Ｎ，ｄ３１＝－０．８３×１０＾－１２Ｃ／Ｎ，ｄ２２＝２．２×１０＾－１２Ｃ／Ｎ，ｄ１５＝２１．２×１０＾－１２Ｃ／Ｎ。     

压电晶体及其应用

本文描述了一些压电晶体的现状。详细论述了诸如石英、LiNbO_3、LiTaO_3、Bi_(12)GeO_(20)、Bi_4Ge_30_(12)和Li_2B_4O_7等压电晶体的一般性质、生长条件、晶体的性能及其应用领域,特别强调其在光学、声学、表面波领域的应用。     

压电晶体表面的声非线性

本文根据非线性反射法通过对压电晶体表面进行部分模场分解,提出了解决声非线性问题的基本途径。非线性压电晶体自由边界反射问题的二次近似解表明:二次谐波场是由四种基本反射波的无数交扰和自作用决定的。由于二阶和三阶弹性、压电、介电等材料参数的缘故,这些互作用在晶体的块体内和表,面上产生2ω的弹性和电效应源。由自模式互作用产生的谐波相位匹配导致声表面波(SAW)二次谐波的产生,振幅沿边界增大。通过解非线性反射问题推导出压电晶体中SAW二次谐波的分析表达式。SAW二次谐波产生的效率取决于基频SAW的所有四种部分波的分布且与材料声非线性参数值、慢模及其相应的幅度和相位成正比。预计压电晶体中非线性SAW稳态波形将不同于传统的N形或“锯齿”形。