小型化X波段双通道T/R组件的设计与实现

介绍了一种X波段的双通道T/R组件,采用MCM工艺进行小型化设计,并结合电磁仿真软件对组件中的关键电路和结构进行分析和优化,最终实现的T/R组件具有体积小、重量轻的优点。测试结果表明,该组件具有良好的电气性能。     

L波段高功率小型化T／R组件的研制

介绍了相控阵雷达中使用的一种Ｌ波段高功率小型化Ｔ／Ｒ组件，简述了该组件的组成、工作原理、设计思想及相关生产、调试问题，给出了组件的主要性能指标，并与国内同期同类组件装备进行了比较，总结了组件的特点。     

一种S波段高功率T/R组件的研制

介绍了一种S波段高功率T/R组件的研制方法和关键技术。该T/R组件包含4个通道,功能结构复杂,共有4个发射支路和12个接收支路,满足实际应用中实现多路信号的接收。12路接收信号通过3个独立的1∶4功分器合成到3个输出端口,对功分器进行仿真优化电路。发射通道输出功率大于100 W,效率达到40%以上;12路接收通道增益平坦度和增益一致性均在1 d B以内。由于组件使用较多的裸芯片和封装器件,对工艺流程也做了简要介绍。测试结果表明,组件满足各项指标要求。     

X波段氮化镓小型化T/R组件的设计与实现

针对高功率T/R组件的小型化问题,提出了一种X波段氮化镓(Ga N)小型化T/R组件的设计与实现方法。在小型化尺寸内实现了4个收发通道,内部包含了318个元器件。对组件复杂功能及由此带来的工艺装配问题和热问题进行了阐述与分析。研制出了采用多功能芯片技术、多层复合基板技术和多芯片组装(MCM)技术的组件,内部高度集成,实现了小型化。测试结果表明,组件尺寸为65 mm×60 mm×8.5 mm,发射输出功率≥30 W,实现了小型化和良好的电气性能。     

一种高功率密度T/R组件的设计

主要针对某款C波段大功率T/R组件的小型化进行研究。通过对T/R组件的电路与结构的分析与设计,制作了发射功率大于100 W、接收通道增益大于8 d B、体积90 mm×80 mm×37 mm的T/R样机,该项研究对高功率密度T/R组件的设计与研制具有一定的工程指导意义。     

一种高功率小型化T／R组件发射通道的设计

介绍了一种高功率小型化T／R组件的组成及工作原理；结合该型T／R组件发射通道的特点，论述了小型化发射通道设计的几项关键技术，这主要包括：匹配电路小型化设计；3dB电桥的设计；输出功率可调的实现。     

一种模拟T/R与变频模块一体设计的组件

为适应雷达高功率、小型化的要求,设计一种模拟T/R和变频部分为一体的T/R组件.对结构合理设计,缩减每个通道的宽度,保证后续波束的合成精度,实现小体积下的通道间距.为T/R的多通道、小型化、一体化提供一种设计参考.     

数字T/R组件的电磁兼容设计

介绍了大型预警相控阵雷达的数字T/R组件,阐述了数字T/R组件的电磁兼容设计,对其中产生的电磁干扰问题进行了详尽的分析,并提出具体改进措施,通过试验测试组件最终达到性能指标,实现了电磁兼容。通过应用实例,探讨了数字T/R组件电磁兼容设计的思路和方法,为工程研制提供了非常有益的参考经验。     

X波段高功率T／R组件的设计与制作

介绍一种X波段高功率T/R组件的设计与制作,该组件运用两只功率放大器裸芯片和一个Wilkinson耦合器设计了一个平衡放大器作为发射通道的高功率末级功放.详细讨论电磁兼容分析和装配工艺,充分利用了混合集成电路(HMIC)和多芯片组装(MCM)相结合的技术,该平衡放大器能实现16 W的高功率.     

X波段微型片式T/R组件的设计方法

片式T/R组件是一种新集成形态的微波集成产品,由于采用了基板立体堆叠的三维立体集成方法,具有小、薄、轻的特点,主要应用于星载相控阵天线以及共形相控阵、智能蒙皮等新型电子系统.以X波段微型片式T/R组件设计研究为例,对此类新形态微波集成产品的实现方式进行了阐述.该组件通过采用基板立体堆叠的三维立体集成方法,能在20 mm...     

一种新型小型化收发组件的设计

收发组件作为雷达的核心部件之一,性能好坏直接影响到雷达的整体性能。本文介绍一种Ka波段应用于雷达导引头的收发组件的基本原理,并对关键过渡形式进行重点考虑。设计出了一种小型化的收发组件,该收发组件实现一发三收的功能,具有高功率、小体积、轻重量的特点,发射通道输出功率达到了2W,接收通道增益为23d B,噪声系数为6d B,尺寸为Φ40mm×15mm,重量为95g。     

Ku波段收发组件研制

介绍了Ku波段收发组件的设计与制作,整个组件由低相噪振荡器、滤波器、功分器、发射开关、发射推动级、功率放大器、低噪声放大器、接收开关、混频器和中频放大器等部分组成。文章分别对一些主要部件进行了简要的理论分析,并给出微波电路的结构形式,最后给出样品的测试结果。     

一种瓦片式T/R的关键工艺分析

该文介绍了一种Ku波段瓦片式发射/接收（T/R）组件的工艺设计技术。组件整体采用了低温共烧陶瓷（LTCC）高频基板、低频电源印制电路板（PCB）和控制PCB板,利用立体组装的方式实现产品的小型化。产品采用金锡焊接SMP接头实现气密性焊接,同时采用4种焊接材料实现了产品的温度梯度焊接,并对关键工艺进行了工艺鉴定分析,保证了产品的长期可靠性。     

超宽带相控阵数字T/R组件结构工艺设计

对一种超宽带相控阵数字T/R组件的结构工艺设计进行了研究。在组件结构总体布局设计、热设计、电磁兼容设计、加工装配工艺设计等方面提出了一种新的设计方法。通过理论分析和实物验证证明,合理的结构工艺设计对提高T/R组件的可靠性非常重要。     

Ku波段高增益8通道T/R组件设计与实现

利用低温共烧陶瓷(LTCC)高集成化设计优势,设计并实现了一款Ku波段高增益8通道T/R组件。该组件通过双向放大器的合理运用,有效提高了组件的收发增益,同时利用液态金属材料的特性,将硅铝壳体与铝合金散热齿进行有机结合,大大提高了组件在连续波发射工作模式下的热量传导能力,保证了组件小体积下工作的可靠性。最终设计实现的Ku波段高增益8通道T/R组件,体积仅84 mm×48 mm×6 mm,质量约60 g,发射功率增益大于45 dB,发射输出功率大于1 W,接收增益大于29 dB,接收噪声系数小于3.5 dB。该组件8个通道收发性能一致性好,性能稳定,具有良好的工程实用价值。     

小型化收发组件结构设计

论述了一种小型化收发组件结构设计方案,在电性能、散热、环境适应性等方面进行了结构设计和分析。通过ANSYS仿真平台对组件进行了热仿真与随机力学仿真,并给出了组件在正常工作时的实测温度及随机振动试验结果,并对仿真结果进行了验证,提高了收发组件的小型化一次设计成功率。     

一种新颖的Ka频段T/R组件立体混合集成封装

介绍了一种新颖的Ka频段T/R组件立体混合集成封装.针对Ka频段T/R组件高频率和高密度的特点,提出了一种新颖的多层组装和双面密封的立体电路结构,采用软基片、FR-4等简单成熟工艺,实现了Ka频段M- MCM的混合集成.该封装具有集成度高、散热性好和可靠性高等特点,能够应用于Ka频段二维有源相控阵T/R子阵的工程研制.     

S波段T/R组件用GaN功率放大器链的设计(英文)

基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的功率放大器链是下一代S波段相控阵雷达T/R组件的核心部分。研制的S波段放大器链主要由驱动放大器和功率放大器组成,驱动放大器与功率放大器都是基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的混合集成电路。基于混合集成电路的放大器链获得了高的输出峰值功率和附加功率(PAE),整个放大器链输出功率在800 MHz频率范围内大于20 W,附加效率(PAE)大于50%。