采用新型叉指换能器结构的声表面波滤波器

在声表面波器件中,由于表面波滤波器具有许多优点而受到重视,并积极开展研制工作,其中一部分业已投入使用.其优点有:重量轻、体积小、性能优良、频率范围从数兆赫到数千兆赫、可单独控制振幅特性和相位特性、以及因使用集成电路可以批量生产等等.在表面波滤波器中,为了得到所要求的频率特性,必须进行加权.     

微机械叉指换能器声表面波陀螺

回顾了声表面波(SAW)陀螺发展史，总结了声表面波陀螺设计思想的变迁，重点介绍了一种新型微机械-叉指换能器(MEMS—IDT)声表面波陀螺。它具有适合标准IC工艺生产的简单二维结构，具备体积小、成本低、便于批量生产以及不用真空封装的特点。由于没有普通微机械陀螺的悬浮机构，抗冲击及振动的能力较普通微机械陀螺显著提高。同时，提出了一些迫待解决的问题。     

声表面波非线性相位叉指换能器的设计

论述用“积木式”方法,采用均匀条宽和间隔的叉指结构,实现对群时延有特殊要求的声表面波叉指换能器的设计原理和方法.在时域上引入了不同群时延的窄带校正函数.对幅频特性和群时延特性进行精细调整.研究了机辅设计程序.实验表明,该程序对设计各种幅频和相频特性的IDT是行之有效的.     

叉指换能器模型对声表面波滤波器的影响及其设计考虑

本文论述了叉指换能器(IDT)模型对声表面波滤波器(SAWF)综合设计的影响;指出了现有综合设计方法共同存在的问题;并提出了一种新的设计思想和方法。该方法能将IDT的物理模型直接纳入SAWF综合设计之中,并能消除现有方法不可避免存在的器件实际响应与设计目标响应之间的偏离,提高SAWF的设计精度。     

声表面波器件叉指换能器的制作技术

声表面波器件的制造关键在于如何制作叉指换能器，特别对于GHz频率以上的器件,亚微米线宽如何控制是声表器件能否制作成功的关键。本文提供了其制作工艺流程及要点。     

镜像阻抗连接叉指换能器制作低损耗声表面波滤波器浅探

介绍了镜像阻抗连接叉指换能器制作低损耗声表面波滤波器的基本原理，给出了研制的在同一种基片上采用不同的镜像阻抗连接叉指换能器制作的不同带宽的低损耗声表面波滤波器，并且可从结果中看到带内波动≤０．３ｄＢ。     

声表面波叉指换能器的一种新设计方案

采用时域上对脉冲响应直接奇偶分解与校正函数相结合的方法设计叉指换能器.并利用几何刻图数据计算理论频响.理论和实验证明,该方法对频响能进行精细调整.所计算的频响比用常规方法计算的精度高,与实验值吻合更好.可用于各种带宽的滤波器设计.     

铜叉指换能器声表面波驱动装置的研究

本实验中首次采用铜材料作为声表面波驱动装置的叉指换能器材料.对铜材料和铝材料进行了详细比较,得到铜材料相比于铝材料的优点.采用并详细对比了离子铣和剥离工艺两种制造工艺,实验表明剥离工艺效果更好.得到了利用剥离工艺制造的铜叉指换能器的原子力显微镜轮廓.制造了声表面波驱动装置并得到了优化的制造参数.     

用电路模型分析非周期声表面波叉指换能器

本文给出一种电路模型方法,用于计算非周期又指换能器,如抽指加权和色散换能器的静电电荷分布。知道这一电荷分布就可计算出电端导纳参数。此方法中,换能器内的每一电极和间隔被分为若干小的电极,从而组成等周期阵列。每一小电极在电路中表示为一个节点。换能器的电位和电荷分布分别由节点电压及每个节点所具有的电荷给定。由电路模型得到的公式化可以用来分析长阵列非周期换能器而没有计算机内存的限制。     

声表面波薄膜叉指换能器静态电容的计算

本文提出薄膜叉指换能器叉指边界上的电位分布和电荷分布的解析函数模型。用该模型计算声表面波薄膜叉指换能器的静态电容在金属化比α取[1/16,13/16]时,其误差只有千分之几。     

第二讲 声表面波叉指换能器(二)

三、叉指换能器结构形式 1.色散叉指换能器 色散叉指换能器是不等指宽(或间隔)叉指换能器的通称。前面提到的换能器均是等指宽和等间隔的,也就是声波和电压之间的相位与频率呈线性关系。在色散叉指换能器中,两者呈非线性关系。如果群延迟(相位对频率的一阶导数)与频     

聚能叉指换能器波束压缩声表面波卷积器

本文叙述采用聚能叉指换能器和△V/V波导进行波束压缩以提高声功率密度,制作在YZ-LiNbO_3基片上的声表面波卷积器。在保持器件原有性能的条件下提高了卷积效率,实验测得卷积效率为-71—-72毫瓦分贝;动态范围为45—50分贝。这种卷积器可适用于大时-带积。     

第二讲 声表面波叉指换能器(一)

本讲主要介绍瑞利波的激发性和接收机理.虽然瑞利早在90多年前就从理论上预计到这种波式,但一直没有得到广泛应用,原因在于没找到简单而有效的激励方法.直到White发明了用叉指电极激励瑞利表面波后才迅速发展起来,得以广泛应用.在叉指换能器出现之前,激励表面波的方法如图1所示.其中(a)为楔形换能器用作模式转换器产生表面波的示意,它可将楔形块内的体切变波经界面折射在基体表面形成表面波.其条件是:     

X射线光刻和剥离技术制作声表面波叉指换能器

提供了采用电子束光刻、X射线光刻和金属剥离技术制作亚微米尺寸的声表面波叉指换能器的方法.首先利用电子束光刻和微电镀技术制作x射线光刻的掩模,然后利用X射线光刻和剥离技术高效地制作大面积、纳米尺电、电极陡直均匀的叉指换能器.制备出的叉指电极特征尺寸为600 nm,面积为4 mm×6 mm,断指率小于3‰,可应用于高频声表面波器件中.研究结果表明,X射线光刻结合剥离技术是一种制备高频SAW器件的优良方法.     

96 MHz锥形叉指宽带声表面波滤波器

介绍声表面波锥形叉指换能器的基本原理,采用折线电极锥形叉指换能器制作的TD-SCDMA制式用96MHz宽带滤波器,1dB带宽4.8MHz,15dB抑制小于6.4MHz,插入衰耗约12dB,封装为SMD(13.3mm×6.5mm)。     

一种新型表面波叉指换能器

在布拉格衍射的声光器件中,有时要求叉指换能器具有较大的带宽。由Chirp换能器结构可以实现较大带宽。但是,要求具有较高的工艺水平。利用常规工艺较难实现。本文提出一种新结构.利用常规光刻工艺可很容易实现。     

声表面波单指无内反射叉指换能器结构及其性能分析

根据我们以前的理论,本文提出了一些常用晶体的各种可能的单指无内反射叉指换能器结构,并分析了影响它们性能的几种因素。其中YZ—LiNbO_3,ST—X石英及X,112°YLiTaO_3上的金或金加铬单指结构存在某些缺点,用途受到较大限制,仅适用于带宽较宽及对中心频率准确度要求不太严格的场合。而上述三种基片上的沟槽填铝结构及Y128°LiNbO_3的铝和铝加铬单指结构是比较好的结构,具有比较广泛的用途。最后给出了我们在ST—X石英上用沟槽填铝单指结构研制的一种高带外抑制窄带滤波器的实验结果。     

声表面波低损耗滤波器的换能器结构

一、前言 声表面波(SAW)器件以它的独特优点已广泛用于军事、民品电子设备中,由于常规的叉指换能器(IDT)结构,SAW是双向传播的,存在6db的固有传播损耗。如果IDT与外部负载匹配以实现最小的插入损耗,则三次渡越回波抑制只有12db,使幅度和相位波动大到不能使用,通常解决的办法是使IDT失配增大插入损耗来降低三次渡越信号。不用任何办法设计出的常规SAW滤波器插入损耗在20db左右,在中频范围内,在电路中加一级