低压铝箔交流腐蚀工艺研究

考察了电解电容器用高纯铝箔在HCl-H2SO4-H3PO4混合酸体系中的交流腐蚀过程,综合配方和工艺两方面主要因素研究铝箔的交流扩面行为。结合SEM形貌分析,重点考察了前级电流密度、后级电流密度及腐蚀电量等对铝箔比容的影响,确定了最佳的低压铝箔交流腐蚀工艺,在2V化成,Cs达76×10–6F/cm2。     

阴极析氢对铝箔交流腐蚀特性的影响

研究了电容器铝箔在ｃ（ＨＣｌ）为２ｍｏｌ／Ｌ溶液中交流腐蚀时,阴极半周的析氢过程对铝的电化学行为和表面形貌的影响。铝的阳极点蚀与阴极半周有无氢气析出和析氢速度有关。实验结果表明,在交流腐蚀过程中阴极析氢对铝的阳极点蚀表现出促进和抑制的双重作用。     

电容器铝箔交流腐蚀过程中腐蚀膜形成条件分析

交流电解腐蚀扩面技术是低压铝电解电容器小型化的关键。分析了电极铝箔在盐酸溶液中交流负半周液相传质过程及交流电频率对电极表面几何结构的影响，结果表明，如果本体盐酸浓度ｃ０，外加阴极电流密度ｉａｐｐｌ和交流电的频率ｆ满足：｛ｃ０｝ｍｏｌ·Ｌ－１／｛ｉａｐｐｌ｝Ａ·ｃｍ－２≤５８７｛ｆ｝Ｈｚ·（｛ｆ｝Ｈｚ＋１０．４）－２，则Ａｌ３＋就可能沉淀形成腐蚀膜。控制盐酸浓度，阴极电流密度和交流电频率可改善腐蚀膜品质。     

低压铝箔交流腐蚀研究

在３０Ｈｚ频率下，通过铝箔在ＨＣｌ＋Ｈ２ＳＯ４＋ＨＮＯ３＋Ｈ３ＰＯ４体系中的交流腐蚀，研究腐蚀液组成中腐蚀主体及缓蚀剂对铝箔腐蚀的作用，探讨腐蚀过程中电源频率、腐蚀液温度、电流密度及腐蚀时间对铝箔腐蚀的影响。腐蚀液组成的配比恰当，有利于比容的提高。在特定的频率下采用合适的腐蚀液温度、适宜的电流密度和腐蚀时间可以提高铝箔的静电容量。     

低压铝箔交流腐蚀工艺中的超声波辅助应用

采用国产铝箔,在超声波辅助条件下,对铝箔进行交流腐蚀,研究了超声波辅助腐蚀对腐蚀箔比容和力学性能的影响。结果发现:当腐蚀箔保持率为1.63g/dm2,采用磁力搅拌的腐蚀箔比容只有71.8×10–6F/cm2,而采用超声波辅助腐蚀的腐蚀箔比容为79.4×10–6F/cm2,提高了10.6%,且抗拉强度提高约20%。     

中高压电子铝箔腐蚀系数的研究

分析比较了基于矩形凹槽模型、圆孔隧道模型、正立方孔隧道模型计算出的中、高压电子铝箔腐蚀系数与KDK公司(H100)形成箔实际腐蚀系数的关系。结果表明:中、高压电子铝箔真实理论极限腐蚀系数应介于正立方孔-圆孔理论极限腐蚀系数之间。中压电子铝箔(220～485 V)通过电蚀扩面提高化成箔比电容余地还很大,高压电子铝箔(>485 V)的实际腐蚀系数与理论极限腐蚀系数已经很接近,通过电蚀扩面提高比电容的余地较小。     

产国阴极铝箔腐蚀工艺的探讨

铝电解电容器用阴极铝箔的腐蚀工艺往往受铝箔本身的组织成分以及生产设备制约,影响阴极铝箔腐蚀比容的因素是多方面的。着重研究了国产阴极铝箔的腐蚀特性,找到了一套能使国产阴极铝箔与引进设备相适应的新工艺,使国产阴极铝箔的腐蚀此容由原来的260μF/cm~2提高到370μF/cm~2,实现了阴极铝箔的国产化。     

基于增材制造的铝粉电极箔的比容预测

传统腐蚀箔的扩面倍率已接近理论极限,工业上化成箔比容量的增长几乎停滞,并且腐蚀过程会产生大量含有金属离子的酸性废液.本文基于增材制造的思想,提出了一种铝粉烧结电极箔的新制造方法.该法使用高纯铝粉和光铝箔为主要原料,通过铝粉层在铝箔上的堆叠、烧结等过程形成一个三维的导电网络,从而提升电极箔表面积.根据铝粉简立方堆积模型,...     

铝箔腐蚀工艺的探讨

<正> 一、前言 腐蚀是提高铝电解电容器比容的重要工艺。国外电容器厂家在铝箔腐蚀工艺上花了大量的人力、物力,采取了许多有效措施,使铝电解电容器的水平有了很大提高,有的产品在性能上完全可以代替钽电解电容器。我国的铝电解电容器在近几年有较大的提高,特别是交流腐蚀工艺的出现对生产     

低压电容器铝箔组织结构对比电容量的影响

本文对LG3铝箔组织结构与交流腐蚀后比电容量的关系进行了研究。结果表明,淬火过饱和空位浓度、立方织构体积分数和杂质的存在状态是影响铝箔比电容量的主要因素。淬火过饱和空位浓度越高,位错环就越多,腐蚀活化点就越多,比电容量就越高。铝箔立方织构体积分数越高,第二相杂质粒子越少,比电容量就越高。要提高铝箔的比电容量,还应考虑淬火过饱和空位浓度,立方织构体积分数和杂质存在状态的综合影响。     

彩色PDP技术现况与发展

本文着重介绍彩色交流等离子体电视的技术现状和发展，讨论表面放电式PDP技术的发展和存在的问题以及当前研究的重点。此外，还介绍了东南大学研究开发的荫罩式PDP的特点，并与表面放电式PDP进行了比较。     

铝电解电容器用阳极箔扩面腐蚀机理的研究

研究了高纯电子铝箔在HCl溶液中的电蚀行为,提出了Cl对铝的氧空位输运侵蚀机理,指出Cl在侵蚀膜表面吸附,以及在膜内部传输的机制,并利用该机理模型很好地解释了高纯电子铝箔在HCl溶液中的电蚀行为。     

Comparison of wet chemical treatment and Ar-ion sputtering for GaInP2(100) surface preparation

The interaction of the native oxide covered p-GaInP₂(100) surface with aqueous 1 M HCl and 40–48% (NH₄)₂S solutions is studied by high-resolution surface-sensitive photoemission spectroscopy excited by synchrotron radiation. The aqueous ammonium sulfide solution is more efficient in etching the native oxide layer than the aqueous HCl solution. After etching with any of the solutions, the gallium phosphates disappear completely and the surface remains covered with only a little amount of indium phosphates and hydroxides, gallium suboxides, as well as gallium and indium chlorides or sulfides, respectively. After wet etching a band bending of about 0.5 eV remains, as it is observed for the untreated surface. Ar ion sputtering of the native oxide covered p-GaInP₂(100) surface and subsequent annealing results in a strong increase of the Ga/In atomic ratio, in a decrease in the surface band bending, and in an increase in the surface work function. Since the Ar-ion sputtering and subsequent annealing results in considerable distortion of the near-surface layer of the p-GaInP₂ compound, it cannot be considered as a satisfactory method for the preparation of a well-defined p-GaInP₂(100) surface. On the other hand, even after prolonged exposure (30 min) to aqueous HCl solution the chemical composition of the p-GaInP₂(100) surface etched with aqueous HCl solution remains stable, which can be of importance for the development of solar water splitting cells.     

铝基刚挠结合板制作工艺探讨

金属铝基由于其良好的散热性能，广泛应用于LED方面；但随着PCB技术进一步向短、小、轻、薄的方向发展，其平面安装技术在安装空间方面受到了极大的限制，因此，如何实现金属基板三维折叠安装成为业界新的研究课题。对铝基＋软硬结合板的制作工艺进行了可行性探讨，通过铝基表面复合处理工艺＋纯胶预贴局部撕胶十二氧化碳激光切割技术有效实现了金属铝基与挠性电路的有机结合，满足了客户对金属基板实现三维安装的特种需求。     

铝合金电解着色封闭膜的电子能谱分析

对铝合金阳极氧化、电解着色及封闭膜的表面结构和封闭机理进行了俄歇电子能谱、Ｘ光电子能谱和离子探针分析，分析结果对铝合金精饰工艺和研究具有较好的指导作用。     

A space vector-based rectifier regulator for AC/DC/AC converters

A voltage-sourced rectifier control scheme for use with AC/DC/AC variable speed drives is presented. A control scheme is derived that directly calculates the duration of time spent on the zero state and on each switching state adjacent to the reference vector, over a constant switching interval, in order to drive the line current vector to the reference vector. In addition, under transient conditions, when deadbeat control is not possible, a control scheme is presented that ensures that the line current vector is driven in the direction of the reference current vector. The current reference for the rectifier controller is derived from the bus voltage error and a feedforward term based on the estimated converter output power. The proposed space vector-based rectifier regulator is shown to exhibit improved harmonic and transient performance over existing per-phase duty cycle prediction methods, especially at modulation indices near unity. The deadbeat control of the rectifier input current is accomplished every half-cycle with constant switching frequency while still symmetrically distributing the zero state within the half-cycle period     

交流电波形对低压腐蚀铝箔微观形貌及性能的影响

对低压铝箔施加五种不同波形交流电,研究了不同交流电波形对低压铝箔腐蚀形貌及电性能的影响。结果表明:正弦波、三角波电流变化率较小,孔大而浅,不易产生并孔;而方波、梯形波电流均有一段平稳不变期,易产生并孔;变形正弦波一个周期存在四个峰值电流,发孔几率比正弦波要大,也易出现并孔。实验表明如果在不同腐蚀阶段选择适当的波形和频率,会使电子铝箔的性能指标有较大提高。     

铝合金硬质阳极氧化的能谱分析

本文对铝合金硬质阳极氧化膜进行了俄歇电子能谱和Ｘ光电子能谱分析，对膜层表面的耐磨耐腐蚀性能作了微观机理分析，其分析结果对铝合金硬质阳极氧化工艺的完善具有一定的参考价值。     

微波组件Al-Si封装材料表面改性工艺研究

对高硅铝合金进行表面改性工艺实验,工艺分步实施化学镀镍、电镀镍、电镀金步骤,得到的镀层表面光滑平整,没有明显的结瘤和夹杂,镀层经高温烘烤无起泡脱落现象,与对应的铅锡焊料具有良好的焊接性和焊接速度,焊接后长期放置不出现晶须。该工艺作为高硅铝合金可焊性表面处理技术之一,兼具可选择区域镀、可接触导通、良好的键合性能,能兼容各种助焊剂,对于铝基复合材料表面处理具有十分重要意义。