SONOS有助于非易失性存储器在SoC的集成

在系统级芯片（SoC）应用中,SONOS（硅／二氧化硅／氮化硅／二氧化硅／硅）为其非易失性存储器（NVM）的集成提供了解决方案。     

非易失性并行存储器的应用

以EPROM2764为例，介绍如何用存储器实现组合逻辑电路，拓展了存储器的应用领域。     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

ＦＲＡＭ是一种新型非易失性存储器，这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制，本文介绍其基本工作原理和结构及其特点，并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

嵌入式非易失性存储器在SoC物理设计中的应用

嵌入式非易失性存储器以其同时具备数据可更改性及掉电保存性而已被越来越广泛的应用于SoC物理设计。文中结合一款电力网控制芯片R36的实际设计案例,分析了该器件的应用特点,并从用途、性能、容量选择等方面说明了通过非易失性存储器对降低芯片成本、提高速度及可靠性应用方法。     

非易失性存储器：在二十一世纪的问题,挑战和发展趋势

引言 本世纪末,存储器市场的预测表明,存储器将占集成电路总市场份额的二分之一。 当然,这个市场的主要部分是由DRAM所占有,但与此同时,非易失性存储器(NVM)显得越来越重要,它们将占总市场的11％。在非易失性存储器市场中,闪速存储器预计占60％以上的份额。事实上,闪速存储器对整个非易失性存储器市场来讲将成为非常重要的分支。     

几种新型非易失性存储器

本文简单介绍了铁电存储器、磁性随机存储器和相变存储器这三种比较有发展潜力存储器的原理、研究进展及存在的问题等.     

应变工程在非易失性存储器中的应用

向非易失性存储器的存储单元中引入应变会降低隧穿漏泄电流并可对存储单元进行等比变化。     

非易失性存储器在二十一世纪的问题,挑战和发展趋向

引言 本世纪末,存储器市场的预计表明,存储器将占集成电路总数的二分之一。 当然,这个市场的主要部分是被DRAM所占有,但与此同时,非易失性存储器(NVM)显得越来越重要,这样,它们将占总市场的11％。在非易失性存储器市场中,闪速存储器预计占60％以上的份额。事实上,闪速存储器对整个非易失性存储器市场来讲将     

意法半导体在非易失性存储器开发中取得进步

意法半导体日前宣布该公司在开发新型的可能会取代闪存的电子存储器中取得进步,这种新的技术叫做换相存储器(PCM),其潜在性能优于闪存,包括更快的读写速度、更高的耐用性以及向单个存储地址写入的能力。这项技术的内在灵活性高于目前正在应用中的其它非易失性存储器技术。     

阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真

为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真.同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考.     

面向纳电子时代的非易失性存储器

目前,业界对两大类全新的非易失性存储器进行了可行性调研,其中一类是基于无机材料的存储器技术,如铁电存储器(FeRAM)、磁阻存储器(MRAM)或相变存储器(PCM),另一类存储器技术则基于有机材料,铁电或导电开关聚     

用于存储器电路的ONO结构特性研究

为研究存储器的多晶间介质采用ONO(Oxide-Nitride-Oxide)结构的基本特性,从ONO叠层的工作原理和它在器件制作中的工艺结构出发,设计了采用ONO结构存储器的模拟实验,对不同工艺条件下的ONO叠层作对比实验,通过ONO叠层的I-V曲线、漏电流、击穿场强和电荷保持特性的测试及分析,研究了不同生长条件对ONO结构的影响程度,获得了最优的ONO叠层制作条件,为存储器的设计和工艺控制提供了参考.     

快闪存储器及其应用

本文评述存储器家庭新成员－快闪存储器的结构原理和特性，研制进展，编程擦除方法以及使用注意事项，提供了快闪存储器的多种应用途径。     

非易失性存储器应用的一种6H—SiC垂直集成的双极存储单元

在宽带隙半导体碳桂材料上，将一个ｎｐｎ双极存取晶体管和一个ｐｎｐ存储电容器合并成垂直集成的一晶体管存储单元，大大地降低了热产生速率，通过将高温下获得的电荷恢复数据外推，表明存储器单元的室温恢复时间可超过１０＾６年。     

意法半导体（ST）非易失性存储器开发取得进展

意法半导体(STMicroelectronics)官布新型存储器开发取得重大进展，新产品被称为换相存储器(PCM)，其潜在性能优于闪存，优点包括更快的读写速度、更高的耐用性，以及向单个存储地址写入的能力。据称这项技术的内在灵活性高于目前正在应用中的其它任何非易失性存储器技术。     

非易失性静态随机存储器研究进展

在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在解决传统SRAM掉电数据储存问题、加快读取速度以及减少功耗等方面的优势进行阐述。对近年来基于阻变存储器的NVSRAM的研究背景和国内外研究现状进行了调研,着重比较和分析了已有结构的优缺点,重点探讨了提高恢复率、减少漏电流和降低功耗的关键优化技术。最后,展望了NVSRAM未来的应用和研究发展方向。     

飞利浦积极开发嵌入式非易失性存储器

飞利浦电子公司今天宣布其0．18微米CMOS嵌入式闪存／EEPROM技术现已完全符合Grade-1汽车电子应用的需求，而其0．14微米嵌入式闪存／EEPROM已开始在位于荷兰奈梅亨市的晶圆厂进行量产，这也是飞利浦第二家符合这一工艺生产要求的工厂。飞利浦表示，这两项最新的发展是飞利浦产品发展规划中的重要里程碑，表明其低功耗闪存／EEPROM技术已扩展到90纳米CMOS及更先进的水平。     

飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来

经常有人将MRAM（磁阻RAM，magnetoresistive randoma ccess memory）称作是非易失性存储器（nvRAM，Non—Volatile RAM）在未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM可以在掉电时保留数据，并且不需要定期刷新，它利用磁性材料和传统硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，几乎没有寿命限制。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其它要求高速、耐用和非易失性的商业应用。[第一段]     

新型非易失性存储器的抗辐射能力研究进展

通过研究铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器4种新型非易失性存储器的抗辐射能力,总结了每种非易失性存储器的总剂量效应和单粒子效应。针对总剂量效应和单粒子效应进行了对比与分析,得到了目前的新型非易失性存储器的抗辐射能力仍然取决于存储单元以外的互补金属氧化物半导体(CMOS)外围电路的抗辐射能力。该结论为抗辐射非易失性存储器的研究提供了参考。