一种新型的耐高温碳化硅超结晶体管

对SiC BJT的特性和参数进行了分析研究。以GeneSiC公司的1200V/7A SiC超结晶体管为例,详细阐述了其静态特性、栅极控制特性、动态特性及安全工作区。并与目前商用最好水平的Si-IGBT进行了对比研究。SiC SJT在250℃时开关时间小于15ns,325℃时漏电流低于100uA,电流增益高达72,反向偏置安全工作区呈矩形,无二次击穿,具有承受长达22μs短路的能力。以100kHz、800V/7A下进行开关动作时,SiC SJT与 SiC肖特基二极管组合起来的开关损耗,比采用Si IGBT和Si快恢复续流二极管组合的降低64%左右,适合高频工作。     

与众不同的单结晶体管

单结晶体管（UJT）是一种特殊的电流控制型负阻半导体器件,它和普通晶体二极管一样．只有一个PN结,但却具有3个电极——1个发射极、2个基极。因为它具有2个基极,所以也称为“双基极二极管”。又因为它虽然有3个电极,外形跟晶体三极管完全一样,但内部仅有一个PN结．     

提高单结晶体管触发电路灵敏度的一种方法

经典的单结晶体管（ＵＪＴ）触发电路如图１所示，其中，交流电压７５Ｖ经整流、稳压削波后，既作为ＵＪＴ的同步电压，又作为放大回路的电源。图１经典的ＵＪＴ触发电路晶体管Ｔ１和Ｔ２组成两级直接耦合放大电路，对由给定电压和反馈电压叠加而成的控制信号电压Ｖ（Ｋ）...     

一种新型的半导体器件——霍尔集成电路

1947年秋,日本松下公司的DN830、DN831Hall集成电路商品化后,1976年春,美国SPR公司的Hall开关电路ULS3006T、ULN3006T首次问世;1977年秋,美国德克萨斯(Texas)公司生产了一种颇为经济的TL170C硅霍尔效应器件,它的标准封装形式是TO-920;其后相继又看到西德西门子公司的Hall开关电路SAS200系列。从上述几个国际上有名的公司对它的重视程度来看。把磁感效应和半导体集成技术组合起来的这种Hall集成电路,是一种很有前途的半导体器件。     

单结晶体管组成的正弦波发生器

本文介绍用单结晶体管产生正弦波振荡信号,电路如图1.虚线左边部分是正弦波发生器,右边场效应晶体管源极输出器电路是隔离负载影响的缓冲放大器.电路工作原理简述如下:它巧妙地利用了单结晶     

一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管

利用硅双基区晶体管（DUBAT）产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT (NDRHBT) . 经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其I-V特性,器件模拟结果和测试结果基本一致.     

一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管

利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHBT).经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其I-V特性,器件模拟结果和测试结果基本一致.     

单结晶体管触发电路的研究及实验验证

本文对单结晶体管触发电路的组成及工作原理作了详细阐述,并对触发电路的工作过程进行了分析,同时利用实验装置对触发电路关键点的电压波形进行了实验验证,最终验证理论研究与实验结果完全一致。     

InP异质结晶体管

提出了准平面构成的InP HBT新结构，用Si离子注入在半绝缘InP：Fe上形成隐埋n型区来代替通常采用的外延n型收集区，可有效降低器件的高度，减小寄生参数，提高器件的可靠性，测量结果表明，晶体管的hfe=100,VCE=3-4V,fT=10GHz。     

InP异质结晶体管

提出了准平面构成的InP HBT新结构。用Si离子注入在半绝缘In P:Fe上形成隐埋n型区来代替通常采用的外延n型收集区,可有效降低器件的高度,减小寄生参数,提高器件的可靠性。测量结果表明,晶体管的h_(fe)=100,V_(CE)=3～4V,f_T=10GHz。     

安森美半导体推出新型双极结晶体管

安森美半导体最新推出的NSSxxx低Vce(sat)表面贴装器件专为对能效控制要求极为严格的低压转换应用而设计。电流为1A时,该器件可提供45mV的超低饱和电压及300倍的电流增益。这种低Vce(sat)BJT还提供超过8kV的较高的静电放电(ESD)容差,因此能在突发浪涌情况下自我保护,避免受损。     

一种新型单层感知器

本文提出了一种新型单层感知器。与传统的单层感知相比，这种新型单层感知器具有更强的学习能力，它能解决传统单层感知器所无法解决的异或问题。另外，由于对学习步长的优化选取，这种新型单层感知器的学习速度要比传统的单层感知器快。     

单结晶体管二阶电路中分岔与混沌机理初探

本文叙述了发生在单结晶体管二阶受迫振荡电路中的倍周期分岔,周期迭加分岔和混沌现象,并讨论了这些现象的发生机理。     

一种新型正交场放大管——代玛管

本文描述了一种非重人电子注、分布发射、正交場、前向波放大管——代玛管。早期的研制者用非重入型正交場放大管在获取高于6分贝的增益方面所遇到的若干困难,在代玛管中通过采用电子速度渐变或电路速度渐变的方法而得到了克服。本文所述的正交場放大管的設计理論,是基于应用等效磁控管的概念,并考虑到电子速度补偿的需要。实际上,通过改变底极——阳极间的距离,或改变直流磁場,或两都同时改变,均可以实现电子速度的补偿。用代玛管所做的实驗,在15％的带寬上,給出的增益大于10分贝。阳极工作电压为25千伏时,输出功率在300千瓦到500千瓦之間。实驗结果表明,设计理论用于大信号、饱和增益的工作范围时,是很令人滿意的。但是,由于缺乏合适的小信号理论,致使速度补偿还沒有达到最佳的运用。     

选择性掺杂异质结晶体管

利用国产MBE系统外延生长的调制掺杂材料,试制出选择性掺杂晶体管或高电子迁移率晶体管(HEMT)。准增强型器件的跨导为60～90mS/mm。有些器件发现有负阻,跨导达190mS/mm。     

一种新型显示器件——电子束管平板

本文对荷兰飞利浦公司研制的新型显示器件──电子束管平板作了较为全面的介绍，并比较了这种显示器件与电子束管、有源矩阵液晶显示和等离子体显示板等的性能。     

硅异质结晶体管的试制

本文较详细地分析了Si/α-Si异质结晶体管(HBT)的微波性能和工艺优点,简述了工艺过程,初步实验结果证实:Si/α-Si HBT具有较好的小电流特性,晶体管的h_(fe)=12(V_(CE=10V,I_C=1mA),BV_(CEO)=20V。     

新型半导体器件综述

1.砷化镓数字集成电路由晶体管原理可知,逻辑电路的本征开关速度与晶体管的电流增益带宽乘积f_T有关,即t∝1/f_T (1)对于场效应晶体管,f_T=g_m/2πC_(gs) (2)g_m为跨导,C_(gs)为栅源间电容。若场效应管工作在漏极饱和条件下(V_(ds)>V_(gs)-V_p),漏极特性方程为I_(ds)=K(V_(gs)-V_p)~2 (3)式中K=eμ_nW/2aL_g按照跨导的定义可得式中I_(ds)为漏源电流,V_p为沟道夹断电压,     

f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管

成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP/InGaAs单异质结晶体管制作工艺中.在Vce=1.1V,Ic=33.5mA的偏置条件下,发射极尺寸为1.4μm×1.5μm的器件,其ft达到210GHz.这种器件非常适合高速低功耗方面的应用,例如超高速数模混合电路以及光学通信系统等.     

f＝210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管

成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP/InGaAs单异质结晶体管制作工艺中.在Vce=1.1V,Ic=33.5mA的偏置条件下,发射极尺寸为1.4μm×1.5μm的器件,其ft达到210GHz.这种器件非常适合高速低功耗方面的应用,例如超高速数模混合电路以及光学通信系统等.