首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
背电极花样对单晶硅太阳电池机械性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
用三点弯方法研究了3种不同背电极花样的单晶硅太阳电池前后主电极附近以及铝背场和细栅区域的机械性能,初步探讨了背电极花样对断裂强度的影响。研究表明:背电极花样对太阳电池的断裂强度有明显影响,通过改进背电极花样能够有效提高太阳电池的机械性能,降低其破碎率。  相似文献   

2.
《太阳能》1991,(1)
上面系统地介绍了太阳电池的原理、制造方法和各种应用技术,实际上都是以单晶硅太阳电池为基础的。从世界上第一个有实用价值的硅太阳电池问世以来,光伏技术已有很大的进展。现在绝大多数长寿命的地球卫星都是采用单晶硅太阳电池供电的。地面应用的硅太阳电池要求价廉,所以不少部门用多晶硅材料制成太阳电池。从70年代开始,非晶硅太阳电池发展很快。它利用在反应室内的硅烷气体中进行辉光放电而形成非晶硅薄膜;并在放电过程中,混入磷烷或烷等气体,以形成N层和P层。整个太阳电池是由大面  相似文献   

3.
以采用PECVD工艺制备的背面氮化硅薄膜对双面单晶硅太阳电池电致发光(EL)发黑的影响为研究对象进行了实验验证.结果表明,当背面氮化硅薄膜中底层膜的折射率较低时,会导致双面单晶硅太阳电池背电极位置的EL发黑;底层膜和中层膜的折射率过高时,会导致双面单晶硅太阳电池的EL大面积发黑;上层膜边缘的折射率较高时,会导致双面单晶...  相似文献   

4.
从1958年世界上第一颗人造地球卫星发射成功以后,太阳电池开始在人造卫星上作为能源使用。那时的太阳电池是用单晶硅制作的,价格贵,只能用在空间探索那样的专门项目里。后来多晶半导体材料问世,使太阳电池的成本有所降低。但要使太阳电池得到普遍应用,甚至成为大规模发电的一种手段,其成本还必须大大降低。在过去的五年里,太阳电池有了  相似文献   

5.
0引言云南半导体器件厂长期从事单晶硅太阳电池的研制和生产。1984年从美国、加拿大引进一条具有80年代初期国际先进水平的单晶硅太阳电池生产线 ,经过几年的消化吸收 ,1990年批量生产的产品 ,平均光电转换效率达到12 %。此后 ,对提高单晶硅太阳电池效率的技术和工艺进行了广泛深入的理论分析和实验研究 ,并将获得的研究成果直接应用于生产 ,使产品平均光电转换效率由12 %提高到14 %以上 ,部分达到15 %,生产成本亦有所下降 ,取得显著的经济效益。现将几项主要成果作一简要介绍。1衬底制备硅衬底质量是制造高效单晶硅太…  相似文献   

6.
鹏飞 《太阳能》2012,(20):34-34,39
中国光伏产业产量虽然连续多年位居世界第一,但也是由小到大,从"萌芽"慢慢长成"参天大树"的。我国光伏事业发端于天津十八所,那里曾经萌生了中国光伏的多个"第一":1960~1965年,制造出中国第一个多晶硅、单晶硅太阳电池;1965~1970年,在国内第一次开展地面光伏应用研究,为我国第一颗安装太阳电池的卫星实践1号装备太阳电池;1988年,研制成功中国第一台聚光光伏电站;2011年,成为中国第一家被国际电工组织聚  相似文献   

7.
▲美国贝尔实验室的两名研究人员,演示了一台新型液体结太阳电池。据称,这一实验装置“是个了不起的进展”。在液体结电池中,两根电极(其中一根为半导体电极)浸没在一种溶液内,采用这种方法,最终可得到一些比固体结电池寿命长、价格低的太阳电池。贝尔实验室这种新型的太阳电池,光电转换效率已达11.5%,可与商用单晶硅太阳电池相媲美。最重要的是,它克  相似文献   

8.
《太阳能》2004,(6):30-30
德国弗劳恩霍夫协会科研人员采用新技术。率先使多晶硅太阳电池的转换率达到20.3%。弗劳恩霍夫协会近日发表的新闻公报说,与单晶硅太阳电池相比,多晶硅电池成本低,但也存在明显缺陷。晶粒界面和晶格错位,是造成多晶硅电池光电转换率一直无法突破20%的关口。  相似文献   

9.
《太阳能》2020,(1)
以激光掺杂选择性发射极(LDSE)技术在PERC单晶硅太阳电池中的应用为研究对象,使用太阳电池单二极管模型模拟了反向饱和电流密度与开路电压、比接触电阻与填充因子之间的关系;测试了不同激光功率和激光划线速度对扩散后方块电阻变化值的影响,并通过扫描电镜(SEM)对硅片表面形貌和电化学电容-电压(ECV)法对发射极表面浓度和结深进行了表征;采用5主栅金属化图形设计PERC单晶硅太阳电池,通过LDSE工艺参数优化,制备了平均转换效率达到21.92%的PERC单晶硅太阳电池。研究结果表明,LDSE技术可提高PERC单晶硅太阳电池的外量子效率(EQE)短波蓝光响应和转换效率。  相似文献   

10.
晶体硅粒太阳电池的硅粒层研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
为降低太阳电池的制造成本,设计了一种新颖的太阳电池-硅粒太阳电池。采用淮相外延方法,成功地在劣质单晶硅片上生长出粒度均匀,大小适宜,排列整齐和光电特性优良的单晶硅粒。报道了该单晶硅粒的生长方法,生长动力学以及硅粒层的形貌的一些半导体特性。  相似文献   

11.
通过建立光伏组件-控制器-蓄电池,负载试验系统,对日立公司双面受光单晶硅太阳电池组件分别在东西和南北朝向情况下垂直地面安装时的功率输出特性进行了测试和分析.根据应用测试结果,总结了双面受光太阳电池的应用优缺点和可能的应用方式.  相似文献   

12.
晶体硅太阳电池钝化工艺的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用热氧化法在多晶硅及单硅大面积太阳电池上生长二氧化硅钝化膜,结合丝网印刷制电极及二氧化钛减反射膜工艺,使太阳电池的扩散长度及效率得到改进。也进行了在多晶硅太阳电池上采用等离子沉积法制作氮化硅减反射膜的研究。  相似文献   

13.
近些年,中国光伏产业进入存量市场的激烈竞争局面。海外光伏产业链建设需求庞大,应充分利用好自身优势,把握好“走出去”做大增量市场的机会。在分析海外光伏市场发展现状的基础上,对PERC、TOPCon、p型IBC、HJT单晶硅太阳电池技术的投资成本进行了拆解,并对采用这4种太阳电池技术路线的海外生产线的建设成本和设备投资回报进行对比;然后通过海外实际项目案例,对海外以PERC和TOPCon单晶硅太阳电池技术为代表的生产线建设情况进行了研究分析。分析结果显示:当前阶段,PERC单晶硅太阳电池生产线预留升级p型IBC单晶硅太阳电池技术和TOPCon单晶硅太阳电池技术是目前最适合在海外投资建厂的技术。  相似文献   

14.
本文从太阳电池的基本原理、我国的发展历史和现状说起,比较详细地阐述了我国太阳电池科学研究和系统开发的新进展,介绍了太阳电池在国内的应用情况,并对今后的工作提出了建议。一、历史和现状太阳光发电是太阳能利用技术的佼佼者,它的起源可以追溯到十九世纪中叶。法国物理学家培克雷尔1839年在实验中首先发现光生伏打效应。1941年奥勒做成了单晶硅生长结光电池。1954年美国贝尔实验室恰宾和皮尔逊研制成第一个实用性硅太阳电池,光电转换效率为6%。1958年美国先锋1号人造卫星第一  相似文献   

15.
赵红英  李立 《太阳能》2013,(7):17-19
采用实验测量装置对非晶硅太阳电池组件和单晶硅太阳电池组件的日均发电量进行测试对比,并对非晶硅的温度系数、I-V曲线特性及低光强下的吸收特性进行了分析。结果显示:非晶硅太阳电池板的发电效能优于单晶硅太阳电池板。  相似文献   

16.
报道了用常压化学汽相沉积(APCVD)工艺制备TiOx纳米光学薄膜的研究结果,讨论了衬底温度对薄膜结构及折射率的影响,实验验证了太阳电池对光学减反射膜的理论要求,优化了工艺条件,制备的TiOx纳米光学薄膜性能稳定,大面积颜色均匀一致。采用该工艺制备的TiOx减反射膜能使单晶硅太阳电池光电转换效率平均增加10%。  相似文献   

17.
研究背面结构对铝背发射极n型单晶硅太阳电池的影响,提出背面抛光结构铝背发射极n型单晶硅太阳电池的制备方法。使用少子寿命测试仪、扫描电镜(SEM)、量子效率测试仪及太阳电池测试仪对电池的表面复合速率、微观结构、量子效率和电性能进行测定。结果表明:对铝背发射极n型单晶硅太阳电池,背面抛光结构优于背面金字塔绒面结构,背面抛光结构可降低电池背面的复合速率、改善p-n结质量、提高量子效率,使电池转换效率提高0.34%。  相似文献   

18.
研究了氧化铝膜与氮化硅膜厚度,以及氮化硅折射率对PERC单晶硅太阳电池电性能的影响,结果表明,氧化铝膜较薄、氮化硅膜较厚时,PERC单晶硅太阳电池的V_(oc)与I_(sc)明显提高,电池效率提升明显;并且结合不同工艺参数的少子寿命及量子效率,证明了背钝化膜钝化作用的优势。  相似文献   

19.
昌金铭 《能源工程》1990,10(4):7-11
本文比较详细地阐述了我国在系统开发太阳电池技术和装备上的新进展;系统地介绍了太阳电池在国内的航标识别、铁路信号、无线电通信、电视传播、农林牧业、水文气象、家用电源等方面的广泛应用情况。根据我国的国情,对单晶硅、多晶硅、非晶硅和化合物电池的研究开发以及推广应用提出了积极建议。  相似文献   

20.
低成本大圆片镀镍电极硅太阳电池,由直径75mm、电阻率0.5—2Ω·cm p型(100)复拉单晶硅片制成,其工艺流程如下: 实验中,用稀氢氧化钠溶液对硅单晶(100)面作各向异性腐蚀,得到的绒面大大降低了太阳电池表面的反射损失,同时还为制作化学镀镍电极准备了一个“粗糙”的表面。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号