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《粉末冶金材料科学与工程》2015,(6)
以四氯化锡和氨水作为原料,采用水热合成法制备SnO_2纳米粉体。探讨反应溶液浓度、水热合成温度、水热合成时间和初始溶液p H值对纳米SnO_2粉体性能及形貌的影响规律,并确定最佳工艺参数,同时对水热合成过程中出现的SnO_2纳米棒异常现象进行初步分析。结果表明:采用水热合成法制备的SnO_2纳米粉体均为四方晶系金红石型结构,粉末粒径为5~12 nm,呈近球形。在反应溶液浓度0.5~2.0 mol/L条件下,随反应溶液浓度升高,制备的粉体晶粒平均粒径呈线性增长;在水热合成温度160~220℃范围内,随温度升高,SnO_2粉体的平均粒径从5.1 nm增大到9.8 nm,在200℃时会出现降低;在水热合成时间6~30 h条件下,随反应时间延长,SnO_2粉体的平均粒径增大,在20 h时降低;随溶液p H值升高,制备的粉体晶粒平均粒径减小。在1.0 mol/L、p H值10的反应溶液中,在200℃保温20 h的工艺条件下进行水热合成反应,所制备的粉体平均粒径为5.5~8.5 nm,粉体均匀性和分散性良好。 相似文献
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纳米CeO2粉体制备方法的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了近年来国内外纳米CeO2粉体的几种主要制备方法及它们的研究进展,其中重点介绍了液相法及其特点,对纳米CeO2的制备技术和发展趋势进行了展望,并指出了今后应重点研究和解决的主要问题. 相似文献
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纳米二氧化钛是一种重要的新型无机功能材料,其制备及应用越来越受到重视。本文对纳米TiO2粉体的各种制备方法进行了简单介绍,并简述了纳米TiO2在化学工业、电子工业、环保及医药等各个领域的应用前景。 相似文献
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采用水热法,在磁控溅射铺膜后的ITO-基底(MST-基底)上制备出取向一致的SnO2纳米线阵列.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等手段对制备的纳米线阵列进行了表征.考察了不同的基底铺膜方式和退火温度对产物形貌、尺寸和取向性的影响.结果表明,不同的基底铺膜方法对产物的形貌和尺寸有较大的影响:在磁控溅射法铺膜的基底上生长出SnO2纳米线阵列;在旋涂法铺膜的基底上生长出SnO2纳米棒阵列;在未铺膜基底上生长出SnO2纳米颗粒薄膜.另外,退火温度对生长在磁控溅射铺膜基底上的产物的取向性有较大的影响,随着退火温度的升高,产物的取向性增强. 相似文献
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水热法合成纳米氧化锆团聚机理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用ZrOCl2·8H2O、Y(NO3)3和氨水为起始原料制备水热前驱物,以矿化剂溶液作为水热介质,通过水热法合成氧化钇稳定氧化锆(YSZ)纳米粉末.运用XRD、SEM等测试手段对YSZ粉末的性能进行表征和分析.研究了水热处理工艺、矿化剂的种类及浓度、有机表面活性剂对水热合成过程中粉末团聚现象的影响,并提出了相应的解决方法. 相似文献
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以ZrOCl_2·8H_2O为锆源,CO(NH_2)_2为沉淀剂,去离子水为溶剂,通过水热法合成单斜晶型的纳米ZrO_2。讨论水热温度和水热时间对纳米二氧化锆晶粒尺寸的影响,并利用场发射扫描电镜(SEM)和XRD衍射仪表征手段,对产品形貌及物相进行了表征分析。实验结果表明,水热温度是影响ZrO_2粉体晶化的主要因素,在140℃水热温度下,ZrOCl_2·8H_2O和CO(NH_2)_2反应生成Zr(OH)_4胶体。随着水热温度升高到160℃,大部分的Zr(OH)_4胶体分解生成ZrO_2并结晶。当水热温度继续升高至180℃时,Zr(OH)_4全部分解生成ZrO_2。水热时间的增加并不改变ZrO_2的晶型,且对ZrO_2的晶粒尺寸影响不大,随着水热时间由3 h增加到18 h,其粒径分别为51.2、46.1、45.6nm和54.3 nm,且样品具有良好的分散性。 相似文献
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纳米复合粉体对外墙涂料的改性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Uv-Vis研究比较了金红石型纳米TiO2以及金红石型纳米TiO2+SiO2复合粉体的紫外.可见光学特性。结果表明金红石型纳米TiO2+SiO2复合粉体比金红石型TiO2单一纳米粉体具有更加优异的紫外线吸收性能;并分别制备了含有0.5%,1%,2%TiO2+SiO2复合粉体和没有纳米粉体改性的外墙涂料,通过人工紫外加速老化实验和其他性能测试发现:相比原始外墙涂料,改性外墙涂料的抗紫外光老化性能和其他性能都得到大幅提高,其中含1%TiO2+SiO2复合粉体的外墙涂料性能提高最为明显。 相似文献
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非均相沉淀法制备铜包覆纳米SiO2复合粉体 总被引:2,自引:2,他引:2
采用非均相沉积法,利用Cu^+的歧化反应,在纳米SiO2表面沉积包覆一层Cu,制备铜包覆纳米SiO2复合粉体,并研究pH值对包覆效果的影响。通过扫描电镜(SEM)、电子能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和透射电镜(TEM)分析复合粉体的形貌、成分和结构。结果表明:Cu包覆纳米SiO2复合颗粒分散均匀,粒径约200nm,粒内均匀分布着纳米SiO2颗粒,且被铜包覆隔离;在反应温度为50℃,pH=2~3条件下利于形成核-壳结构的复合粉体。 相似文献
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天津大学科技处近日向社会推出纳米金属氧化物粉体的合成技术。据介绍,利用此合成技术合成出的纳米粉体粒径细小(10~2 0nm) ,粒度分布窄、均匀,几乎无团聚。而现有一些合成方法合成的纳米粒子粒径仍较大,且粒度分布宽、不均匀,有较严重的团聚现象。因此该项目研究成果具有先进性、实用性。由于合成所用原料价格较低,设备亦属化工厂较常用设备,工艺相对简单,因而其特点是易于工业化、产业化,从而易形成新的高新技术产业。产品在陶瓷、颜料、填料等方面有重要应用。利用此化学合成技术生产出的某些粒径细小(10~2 0nm)的磁性纳米粉体具有超顺… 相似文献
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《粉末冶金技术》2015,(3)
将不同配比的Cd O与Sn O2原料粉体充分混合后在750℃,850℃,950℃,1050℃,1150℃温度下进行无压烧结。采用XRD衍射仪和四探针电阻测试仪分析原料配比与烧结温度对无压烧结Cd2Sn O4靶材结构演化和电阻率的影响。结果表明:750~850℃低温无压烧结时,扩散反应发生缓慢,只有少量的Cd2Sn O4生成,大部分Cd和Sn元素以氧化物的形式存在。950~1050℃无压烧结,随着温度升高,扩散反应速率较快,发生大量合成反应生成Cd2Sn O4,当Sn O2过量时,Cd O完全参加反应。当温度上升至1150℃时,Cd2Sn O4含量大幅度增加,伴随出现第二相Cd Sn O3。四探针测试结果显示:随着温度的升高,Cd2Sn O4主相含量增加,靶材电阻率逐渐降低至19.9×10-3Ω·cm。根据无压烧结实验的固相演化规律,采用2∶1化学计量比的Cd O与Sn O2粉体为原料,充分混合后在1000℃下煅烧2~3小时,可得到均匀单相亮黄色Cd2Sn O4原料粉体。 相似文献
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