硅基低压MOSFET器件漏电失效分析

硅基低压MOSFET器件广泛应用于小电流驱动、电源控制模块等高科技领域，MOSFET器件失效主要是由生产过程中的工艺异常或缺陷导致。本文介绍了热点分析/聚焦离子束-扫描电镜的高精度检测方法，该方法可快速检查沟槽MOSFET器件电学性能及膜层结构失效。本文结合沟槽MOSFET的制备流程，阐明了由于多晶硅淀积工艺异常及过量刻蚀所导致的管芯边缘区域漏电失效并分析了其中原因，列举了改善及预防措施细则，为进一步优化刻蚀沉积设备提供了工艺依据。     

视频延迟线失效分析

本文在叙述了整机所进行器件现场失效分析的意义之后,介绍了某整机用YS1000A,1.0μs延迟线的失效过程及特征,并较详细地叙述了该器件失效分析的试验技术。找出了该器件的失效原因是制造过程中工艺控制不够严格,使电感线圈的外引线有一部分打了折,被紧紧地压到地线下面,最后导致漏电而失效。文章最后对器件的失效过程、器件的结构和工艺上存在的其它缺陷进行了讨论和分析。     

PBGA器件焊点的可靠性分析研究

根据PBGA器件组装特点,分析了器件焊点的失效机理,并针对实际应用中失效的PBGA器件在温度循环前后,分别使用染色试验、切片分析、X-射线分析等方法进行失效分析.分析结果显示样品PBGA焊点存在不同程度的焊接问题,并且焊接质量的好坏直接影响器件焊点抵抗外界应变应力的能力.最后,开展了PBGA器件焊接工艺研究和可靠性试验,试验结果显示焊接工艺改进后焊点的可靠性良好.     

一种高压模拟开关漏电失效解决方法

高压模拟开关在现代超声领域发挥关键作用。综合考量传输速度、导通电阻、通道隔离度等性能指标,利用红外热成像技术解决了电路漏电的失效问题。该技术包括红外热成像、漏电失效分析、漏电测试、器件原理分析及漏电解决方案等措施,提出了高压模拟开关器件漏电失效问题的通用解决方法,对高压模拟开关漏电失效问题的解决具有较高的参考价值。另外,该方法通过对器件内部工艺结构的分析,发现了器件漏电失效的本质因素,对后续器件工艺结构的改进具有一定的指导意义。     

硅基梳齿式MEMS器件及封装的失效调查

对典型硅基梳齿式MEMS器件进行失效调查和分析,验证其主要失效模式,分析其失效机理.利用电子扫描显微镜(SEM),X射线透视系统、扫描声学显微镜(SAM),X射线能谱成份分析(EDX)、金相切片分析、封装气体分析及电性能测试等分析技术,发现在工艺制造中的机械失效是造成此类器件失效的主要原因.另外,此类器件的封装失效主要表现为气密性失效和装配工艺失效.     

加强管壳检验工作,提高SAW器件的键合可靠性

现在，SAW器件的键合可靠性已成为影响器件性能的主要指挥之一。器件键合失效主要表现为温度试验后管壳上的键合点脱落，而引起失效的原因与工艺过程和键合所涉及的材料有关。该文介绍了采用正交试验的方法，通过大量的对比试验，从键合工艺和管壳质量两个方面入手，找到了导致器件大量失效的原因，并采取了相应的处理措施，从而提高了键合质量和产品的可靠性。     

晶体振荡器频率漂移失效分析

通过对某型晶体振荡器失效模式进行分析,结合密封性检查、扫描电子显微镜检查和能谱分析等失效分析试验结果,对该晶体振荡器频率漂移的失效机理进行研究。发现器件密封性不良是导致器件失效的根本原因,并对器件密封性工艺的优化提出建议。     

表面贴装声表器件封装失效及其分析

随着声表面波器件日益广泛的应用,声表面波器件的封装尺寸越来越小,封装的难度越来越大,封装过程可能带来的失效问题也越来越多。文章简单介绍了声表面波器件封装形式的变化,论述了表面贴装声表面波器件的封装工艺过程和失效分析的基本概念,并对表面贴装声表面波器件的封装工艺过程中几种主要的失效模式展开分析,促使我们在表面贴装声表面波器件的封装工艺过程加强工序过程的控制,从而提高表面贴装声表面波器件的可靠性,更好地满足顾客的需要。     

工艺缺陷引起霍尔器件功能失效

通过对失效霍尔器件的分析，揭示了芯片金属电极脱边形成位移金属丝的工艺缺陷。导致桥接相邻内电极引起漏电或短路的失效机理。     

化学机械抛光对铜互连器件的影响及失效分析

探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析.由于CMP的技术特点,不可避免地会产生一些工艺缺陷和工艺误差,从而引起器件失效.必须根据标准要求,出厂或封装前对圆片进行芯片功能参数测试和严格的镜检,以便在封装前剔除存在潜在工艺缺陷的芯片,达到既定可靠性要求.     

半导体器件金属互连电阻失效分析方法研究

晶圆的失效分析在集成电路制造中起着十分重要的作用.通过对器件的失效分析,可确定器件的失效机理,并及时改善工艺.阐述了WAT(晶圆验收测试)中金属互连电阻(Rc)失效分析的优化流程.根据不同的金属互连电阻失效模型,如阻值偏低、阻值偏高以及断路,选择合适的失效分析方法,从而可以快速准确地揭示器件金属互连电阻失效的根本原因.     

Si3N4钝化层质量分析研究

采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝化层质量与工艺的关系.通过大量分析实验,确定了器件失效的重要原因是Si3N4钝化层存在缺陷而导致器件因表面漏电而失效.实验结果表明,将Si3N4钝化层中SiOx含量控制在10%以下,器件管壳内水分控制在1%以下,器件经过100O h电老化后芯片表面无生成物产生.     

碲镉汞线列光导器件的失效模式及原因分析

针对不同项目研制过程中碲镉汞线列光导器件在筛选测试和应用中出现的失效模式进行了归纳和总结,并综合碲镉汞材料参数、器件结构尺寸、器件物理、器件制备工艺和器件测试等几个方面因素对器件失效的可能原因进行了分析,首次提出碲镉汞线列光导器件的优值因子作为失效判据,为进一步理解碲镉汞线列光导器件的物理机理以及更好优化器件的筛选过程提供了参考,为碲镉汞线列光导器件应用中出现的失效问题提供了分析和解决的方向。     

快恢复二极管铜迁移失效机理及应用可靠性研究

变频空调控制器柜机主板在生产过程出现大量IPM炸裂失效,IPM炸失效同步自举二极管失效,位置不集中,对主板进行分析,确定是IPM自举电路升压二极管异常导致IPM炸裂失效,经过对大量失效二极管及全检异常二极管分析,分析研究结果表明:二极管因为晶圆设计工艺结构缺陷、焊接工艺问题,导致晶圆焊接时产生高温铜迁移,抗机械应力水平下降,在实际应用中又因为器件引脚跨距设计不合理导致器件受机械应力影响加深失效程度,最终出现过电击穿失效,经大量的方案分析验证最终确定可行的方案,有效解决二极管铜迁移失效.从器件本身提高器件的应用可靠性.     

UMOSFET功率器件漏电失效分析及工艺改善

针对U型沟槽MOSFET (UMOSFET)功率器件栅极和源极间发生漏电失效的问题,对失效器件进行了电学测试和缺陷检测,对失效现象和失效机理进行了分析,并进行了相关工艺模拟和工艺实验.采用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)对失效芯片的缺陷进行分析和表征.结果表明,器件的U型沟槽底部栅氧化层存在的缺陷是产生漏电的主要原因,湿氧工艺中反应气体反式二氯乙烯(Trans_LC)的残留碳化造成了芯片栅氧层中的缺陷.通过工艺模拟和实验,优化了湿氧工艺条件,工艺改进后产品的成品率稳定在98％ ～ 99％,无漏电失效现象.     

声表面波器件的失效机理和可靠性问题

SAW器件的应用日益广泛,它的可靠性问题也随之而引起重视.本文分析了电场、温度、材料及工艺等对器件可靠性的影响,对三种重要的失效机理即AI膜的腐蚀、迁移和LiNbO_3压电晶片的微裂进行了讨论并介绍了SAW器件生产中的质量管理、可靠性试验和失效分析等.本文着重指出:要生产高可靠性的SAW器件,必须妥善处理材料、工艺中的一系列问题.     

PMCM器件的失效根因分析

从塑封多芯片组装(PMCM)器件的电性能测试数据出发,根据器件的环境试验过程和MCM的材料结构、芯片性能,得出了某PMCM器件的失效性质与塑封封装材料、工艺相关的结论;同时讨论了一些PMCM失效分析问题。     

半导体器件失效分析

失效分析是半导体器件可靠性工程的重要组成部分.本文从器件设计、材料及工艺角度概述了半导体器件失效机理、失效模式;同时,对常规失效检验法及其仪器做了简要介绍.     

胶封器件密封失效分析

对采用胶粘剂密封盖板的CCD器件密封失效现象进行了失效分析,得到了主要的失效原因：水气、胶黏剂的混合以及固化程序,并通过改进措施,使CCD器件的密封合格率得到大幅提升,达到了98%,表明胶封工艺达到了实用化水平。     

高频大功率晶体管的失效分析

介绍了对某型号高频大功率晶体管进行的失效分析。分析结果表明器件在寿命试验中发生击穿失效的主要原因是芯片的散热结构存在工艺和设计方面的问题，这也是影响高频大功率工作寿命的主要问题。