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纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术,近年来,越来越受到世界各国的重视。本文主要介绍纳米光电子学的基本概念、发展模式以及纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。 相似文献
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纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术,近年来,越来越受到世界各国的重视。主要介绍纳米光电子学的基本概念,发展模式,纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。 相似文献
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纳米光电子器件的最新进展及发展趋势 总被引:3,自引:1,他引:2
纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术,近年来,越来越受到世界各国的重视。本文主要介绍纳米光电子学的基本概念,发展模式,纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。 相似文献
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根据国内外的相关文献和资料,研究了纳米科学技术对通信科学技术和空间通信技术产生的影响,介绍了基于纳米技术的新颖通信器件及其在卫星通信中的重要应用。从纳米电子材料、新型纳米电子/光电子、"纳米卫星"、新型纳米感觉传感器等纳米科技的新兴研究领域,分析了纳米科学技术在通信科学技术和空间通信技术领域的应用。研究表明,新的纳米科技导致通信终端产品新的功能,进一步产生新的需求,从而导致通信技术新一轮的发展。 相似文献
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Si基纳米结构的电子性质 总被引:1,自引:0,他引:1
各种Si基纳米发光材料在Si基光电子器件及其全Si光电子集成技术中具有潜在的应用前景,从理论和实验上对其电子结构进行研究,有助于我们深化对其发光机制的认识与理解。本文主要从量子限制效应发光这一角度,着重介绍了Si纳米晶粒、Ge/Si量子点,SiO2/Si超晶格和超小尺寸Si纳米团簇等不同Si基纳米结构的电子性质以及它们与发光特性之间的关系。还讨论了介质镶嵌和表面钝化对其电子结构的影响。 相似文献
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综述了近年来国内外纳米晶体光电子性质研究领域某些方面的进展情况,着重介绍了半导体纳米晶在光吸收、光致发光、非线性光学效应和电阻率等方面的独特性能。这些研究表明,对于0—3nm晶体(纳米晶粒处于分散介质中)来说,量子尺寸效应是产生晶体性质突变的主要原因之一。对纳米晶体结构和性能的深入研究,能为光电子材料的发展提供新的途径和思路。 相似文献
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综述了近年来国内外纳米晶体光电子性质研究领域某些方面的进展情况,着重介绍了半导体纳米晶在光吸收、光致发光、非线性光学效应和电阻率等方面的独特性能。这些研究表明,对于0—3nm晶体(纳米晶粒处于分散介质中)来说,量子尺寸效应是产生晶体性质突变的主要原因之一。对纳米晶体结构和性能的深入研究,能为光电子材料的发展提供新的途径和思路。 相似文献
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随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。 相似文献
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纳米晶以其不同于原子和大块材料的物理、化学性质而受到广泛关注,相关研究极其活跃。颗粒均匀、粒径小于10nm的纳米粒子被称为量子点(QDs)。高极化激发态在光电子领域具有潜在的应用价值。如果将纳米晶组装成具有规则外形和有序排列的中孔材料[1],则可能对微电子、光电子和催化技术等产生深远的影响。因此,纳米晶的制备和组装具有重要的物理意义和广泛的应用前景。目前,已将TiO2、Fe2O3、CdSe、CdS、Ag2S、Au、Ag、Pt等纳米晶进行了组装,但对纳米晶的粒径和分布有严格的限制,即尺度小于10nm,粒径平均偏差小于5%。比较有代表性的纳米… 相似文献
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纳米电子器件与纳米电子技术 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了纳米电子器件与纳米电子技术的概念以及纳米电子器件的分类;综述了现有的光刻、外延、SPM、特种精细加工等相关的纳米电子器件制备与加工技术;阐述了纳米电子技术中急需解决的若干关键问题。 相似文献