塑料基TiO2电致变色薄膜制备及性能研究

采用溶胶-凝胶法分别在镀有ITO透明电极的玻璃和塑料基体上制备了TiO2电致变色薄膜,对比研究了不同基体上溶胶的成膜性及薄膜的电致变色性能.结果表明:在相对湿度低于15%的环境中,采用0.4mol/L的溶胶可以通过多次提拉制得表面光洁的较厚透明TiO2薄膜;随热处理温度的升高,薄膜的电色可逆性变好,循环寿命变大,但离子储存能力下降;塑料基TiO2薄膜与相同条件下制备的玻璃基薄膜具有相似的性能,呈现出较弱的阴极电致变色效应和较强的Li 储存能力,有望用作柔性电致变色器件的对电极.     

镁镍功能薄膜的制备及电致变色性能的研究

采用恒电位法在铜基片上沉积出镁一镍薄膜,采用循环伏安法研究了N-N二甲基甲酰胺溶液中Mg2 、Ni2 的电化学行为,并通过反射法对薄膜的电致变色性能进行了表征.电致变色前后,镀层薄膜的颜色及在可见光范围内的透光和反射光的能力表现出很大的差别,显示出良好的电致变色性能,而且此过程具有较好的重复性.     

水相溶胶—凝胶法制备电变色TiO2薄膜

采用水相ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备了ＴｉＯ２薄膜,以ＴＧ,ＤＴＡ,ＦＴＩＲ,ＸＲＤ和ＳＥＭ等方法研究了成膜过程中薄膜的结构变化,经３５０－４５０℃处理的薄膜为锐钛矿相结构 ,「２０４」择优取向。经一次旋涂所得的薄膜在１５０℃处理１ｈ后,厚度为５０ｎｍ;在循环伏安特性测试中,其注入／抽出电荷容量分别为４．７８,２．５２ｍＣ＝ｃｍ＾２。     

用脉冲电沉积法制备两类纳米介孔氧化镍电致变色薄膜的研究

采用脉冲电沉积技术在ITO导电玻璃上制备了NiO电致变色薄膜,并用X射线衍射仪、扫描电镜和能谱仪分析薄膜的结构、形貌和成份,用紫外-可见光分光光度计测试薄膜的光学性能,用循环伏安法测试薄膜的电化学性能,对比研究了Co掺杂对NiO薄膜电致变色性能的影响。结果表明Co掺杂优化了NiO薄膜表面形貌,形成了均匀分布的纳米介孔微结构,从而提高了薄膜电化学活性,同时提高了薄膜的光调制幅度。     

氧化钛薄膜电致变色性质研究

通过在循环伏安过程中对透过率的实时测定,研究了由水相溶胶－凝途径制得的ＴｉＯ２薄膜的电致变致变色特性,在Ｉｍｏｌ／ｄｍ＾３ＨＣｌ溶液中,经１５０℃和３５０℃处理的ＴｉＯ２薄膜在６３０ｍｍ处的着色效率分别为８．８、４．９ｃｍ＾２／Ｃ, 循环稳定性都较差,在１ｍｏｌ／ｄｍ＾３ＬｉＣｌＯ４的碳酸丙烯酯溶液中,经４５０℃处理的Ｔdisplay status     

WO3薄膜制备及其电致变色性能研究

采用直流反应磁控溅射方法在室温下制备WO3薄膜。研究溅射功率对WO3薄膜结构及电致变色性能的影响规律,考察退火后WO3薄膜的结构演变及电致变色性能变化。结果表明溅射功率为270W时薄膜表现出较好的电致变色性能,其调制幅度达78.5%,着色时间为9s,褪色时间为3.2s。将该功率下制备的WO3薄膜进行退火处理,其结构由非晶态转变为晶态,但调制幅度、响应时间特性都发生一定程度的退化。非晶态WO3薄膜相比晶态结构具有更快的响应时间和更宽的调制幅度,但晶态薄膜具有更好的循环稳定性。     

离子液体电沉积制备Cu掺杂NiO电致变色薄膜及其性能EI北大核心

NiO是一种常见的电致变色材料,元素掺杂改性是改善NiO薄膜电致变色性能的重要方法。以离子液体为介质,采用电沉积法制备Cu掺杂NiO薄膜,并研究Cu元素掺杂对NiO薄膜电致变色性能的影响。结果表明:Cu掺杂NiO薄膜的电致变色性能相较于纯NiO薄膜有明显提升。Cu掺杂含量为6%(原子分数,下同)时,薄膜光调制范围最大,为54.7%,着色效率最高,为61.54 cm^(2)/C,Cu掺杂含量为12%时,薄膜的着褪色响应时间最短,分别达到2.7 s与2.6 s。薄膜的物相结构为面心立方晶相Ni_(1-x)Cu_(x)O,由纳米粒子堆积而成,表面存在大量利于离子扩散的孔隙。     

直流磁控溅射沉积WO3薄膜电致变色性能研究

以金属钨为靶材,采用直流反应磁控溅射方法,在玻璃上制备电致变色WO3薄膜.利用X射线衍射(XRD)方法对薄膜的结构进行了分析,得出了WO3薄膜的沉积工艺.制备了WO3/TTO/Glass电致变色器件,并对其性能进行了研究.结果表明在Li+注入前后,薄膜的透射率平均变化约50%,具有较好的可逆变色特性;Li+注入后,WO3薄膜中的一部分W6+变为W5+,转化比例约为25%.     

B3+掺杂制备TiO2电致变色薄膜及性能研究

采用溶胶-凝胶法及浸渍提拉镀膜工艺,将钛酸四丁酯和冰醋酸加入溶剂无水乙醇中,并添加硼酸、去离子水、硝酸等原料,在ITO玻璃上成功制备了B~(3+)掺杂的TiO_2薄膜。采用TG-DTA、XRD、UV-Vis、SEM、电化学工作站等手段研究了B~(3+)掺杂TiO_2薄膜的光学属性及电致变色性能。结果表明,掺杂B~(3+)的TiO_2薄膜的光谱调控范围得到明显改善,薄膜的电化学循环稳定性得到提高,当B~(3+)掺杂体积分数为9%时,电致变色效果最佳。     

Growth of diamond thin films by chemical vapour deposition

Deposition of diamond thin films on non-diamond substrates at low pressures (<760 torr) and low temperatures (<2000°C) by chemical vapour deposition (CVD) has been the subject of intense research in the last few years. The structural and the electrical properties of CVD diamond films grown on p-type 〈111〉 and high-resistivity (>100 kΩ-cm) 〈100〉 oriented silicon substrates by hot filament chemical vapour deposition technique are described in this review paper.     

化学沉积CoNiP薄膜的磁性及其在传感器中的应用研究

采用化学湿法沉积制备了Co-Ni-P磁性薄膜,研究了工艺条件对其磁性的影响,并对其作为磁旋转编码器磁鼓记录介质的记录特性进行了分析。研究结果表明,薄膜矫顽力和矩形比随施镀时间增加而下降。当施镀时间为3min时,Co-Ni-P薄膜矫顽力可达42506.4A/m,矩形比为0.55。X射线衍射及扫描电镜结果表明,随施镀时间增加,薄膜矫顽力下降,晶粒尺寸变大,并发生明显的择优取向。将化学沉积Co-Ni-P薄膜应用于磁旋转编码器的磁鼓记录介质,记录特性测试结果表明,输出信号良好,脉冲计数完整,波形良好,可完整写入2048对磁极。化学沉积Co-Ni-P磁性薄膜适合于高精度、高分辨率的磁旋转编码器的磁鼓记录材料。     

低压MOCVD生长TiO2薄膜结构和电性能研究

采用低压MOCVD法沉积生长了TiO2薄膜，研究了Si衬底取向，退火温度，退火时间，退火气氛对其结构和电性能的影响，结果表明，500℃下沉积生长于Si(111)和Si(100)上的TiO2薄膜为锐钛矿相多晶膜，经过600℃以上退火处理后，均可转变为纯金红石相结构。其中，Si(111)上的TiO2薄膜更容易转变为金红石相结构，而Si(100)上的TiO2薄膜，需要更高的退火温度和更长的退火时间才能转变为金红石结构。结果还表明，退火气氛中氧分压的大小对TiO2薄膜的结构无明显的影响。     

TiO2功能薄膜的制备及影响其光催化活性的因素

近些年来，TiO2功能薄膜以其卓越的性能，尤其是优异的光催化性能引起研究人员的广泛关注，本文根据国内外近期TiO2功能薄膜的研究现状，对化学气相沉积法，水解一沉淀法，液相沉积法，溶胶－凝胶法，原子层沉积法，溅射法，激光辅助分子束沉积法等化学和物理制备方法进行评述，并比较详细地探讨了表面羟基含量，膜的厚度和孔径，结晶形态，基片种类，掺杂和光强度等因素对TiO2薄膜光催化性能的影响。     

FeS2/TiO2复合薄膜光电性能

采用溶液浸渍法在ITO导电玻璃表面的多孔TiO2薄膜上沉积了FeS2薄膜.使用Fe2O3粉末保护裸露在外的ITO导电膜在硫气氛中热处理后,制得了FeS2/TiO2复合薄膜.应用B531/H数显测厚指示表、数字式四探针测试仪、XJCM-8太阳电池测试仪等研究了FeS2/TiO2复合薄膜的厚度、ITO导电玻璃的电阻率以及FeS2/TiO2复合薄膜的光电性能.结果表明：此方法制得的FeS2/TiO2复合薄膜具有良好的光电性能;且ITO导电膜的电阻率变化较小.因而适宜制备色素增感太阳能电池（DSSC）.     

CdS thin films doped with metal-organic salts using chemical bath deposition

CdS thin films doped with metal-organic salts were grown on glass substrates at 90 °C by the chemical bath deposition technique. Metal-organic salts such as zinc acetate, chromium acetylacetonate, ammonium fluoride, aluminum nitrate, tin acetate and indium acetate were used. The chemical bath was prepared with cadmium acetate, ammonium acetate, thiourea and ammonium hydroxide. In the case of un-doped films, the S/Cd ratio was varied by changing the thiourea in the range 1-12. The best optical, structural and electrical properties were found for S/Cd = 2. The doped films were prepared by always keeping the ratio S/Cd constant at 2. The band gap (E_g) of doped and un-doped films was evaluated from transmittance spectra, where films with lower sulfur concentration exhibited higher E_g. X-ray analysis showed that both un-doped and doped films were polycrystalline with preferential orientation along the (111) direction and with the zincblende structure in all cases. The dark electrical results showed that CdS doped with Zn (1 at.%) exhibited the lowest resistivity values of 10 Ω cm.     

退火温度对TiO2薄膜结构与光学性能的影响

研究退火温度对薄膜相结构、表面化学组成、形貌及光学性能的影响.采用射频磁控溅射法在单晶硅片和石英玻璃片上负载TiO2薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、X光电子能谱(XPS)和紫外可见光谱(UV-vis)对其进行表征.结果表明,常温制备400℃以下退火的TiO2薄膜为无定形结构,400℃以上退火的TiO2薄膜出现锐钛矿相,600℃以上退火的TiO2薄膜开始出现金红石相,退火温度在1000℃以上时样品已经完全转变为金红石相;高温退火薄膜的组成为TiOx;随着退火温度的升高,薄膜透射率下降,折射率和消光系数有所增加.     

TiO2薄膜超亲水特性的研究

采用溶胶-凝胶法制备TiO2薄膜，研究了薄膜厚度、孔隙率、热处理温度、掺杂等因素对滞膜亲水性的影响，结果表明：当TiO2薄膜的厚度小于87.2nm时，随着膜厚的增加，接触角降低。当膜厚大于87.2nm时，接触角基本不变；孔隙率的增加，掺杂SnO2均有利于超亲水性的改善，热处理温度为450～662℃时薄膜亲水性最好。     

化学水浴中氨浓度对沉积ZnS薄膜的影响

用化学水浴法在玻璃衬底上沉积ZnS薄膜。采用XRD、SEM、nkd-薄膜分析系统对薄膜的形貌、结构和光学性能进行了分析，结果表明：当氨浓度〈1．50mol／L，可获得白点较少、平整性较好的非晶ZnS薄膜，在红移方向上很长的波段内透过率较好，可达95％以上，禁带宽度为3．81eV，折射率随波长的增加而减小，从2．32变化到1．92。有关化学水浴ZnS薄膜折射率的报道极少；当氨浓度〉1．50mol／L时，薄膜白点增多，易龟裂和剥落，结构是立方闪锌矿。     

新型纳米TiO2膜电极的制备及应用研究

采用常压金属有机物化学气相沉积技术在钛板上沉积了TiO2膜电极,研究了其制备的重要工艺参数,进行了光化学、电化学特性的测试和表征,并应用于典型有机污染物苯酚的光电催化降解研究.结果表明,沉积温度是影响TiO2膜电极制备的重要因素.XRD图谱表明,沉积温度为500℃时负载的TiO3晶型结构为锐钛矿,600℃时出现金红石相.光电流测试表明,500℃时制备的TiO2膜的光电流最佳.以苯酚为污染物进行了光电催化降解实验,结果表明,其光电催化效果高于光催化、电催化降解效果,显示了较好的废水处理应用前景.