时钟和数据多工器产品，优化实现高速、低功耗设计

安森美半导体（ON Semiconductor）进一步扩充多工器产品阵容，新推出NB6VQ572M、NB6LQ572、NB7L572、NB6L572M、NB7LQ572、NB6LQ572M、NB7VQ58M和NB7V58M多工／扇出器件，可在高输入速率，时钟频率下工作。这些新器件均适用于SONET、千兆以太网、光纤通道、背板及其他时钟，数据分配应用。     

一种采用半速结构的CMOS串行数据收发器的设计

设计了一种单片集成的CMOS串行数据收发器．该收发器用于线上速率为1.25Gb/s的千兆以太网中,全集成了发送和接收的功能,主要由时钟发生器、时钟数据恢复电路、并串／串并转换电路、线驱动器和均衡器组成．为了降低系统设计难度和电路功耗,收发器采用了半速率时钟结构．电路采用1.8V 0.18μm 1P6M CMOS数字工艺,芯片面积为2.0mm×1.9mm．经Cadence Spectre仿真验证以及流片测试,电路工作正常,功能良好．     

一种采用半速结构的CMOS串行数据收发器的设计

设计了一种单片集成的CMOS串行数据收发器.该收发器用于线上速率为1.25Gb/s的千兆以太网中,全集成了发送和接收的功能,主要由时钟发生器、时钟数据恢复电路、并串/串并转换电路、线驱动器和均衡器组成.为了降低系统设计难度和电路功耗,收发器采用了半速率时钟结构.电路采用1.8V 0.18μm 1P6M CMOS数字工艺,芯片面积为2.0mm×1.9mm.经Cadence Spectre仿真验证以及流片测试,电路工作正常,功能良好.     

新型CML、LVDS和ECL接口系列

该系列包括NB7L32M、NB4N11M、NB4Nl1S和NB4L52四款产品。     

Microchip推出全新下桥臂驱动器：MCP14E系列和MCP14E系列

MicrochiDTeehnologyInc．（美国微芯科技公司）宣布扩展其MOSFET驱动器系列产品。在Microchip下桥臂MCP14E3／4／54．5AMOSFET驱动器上,Microchip推出全新下桥臂MCPl4E6／7／82A和MCP14E9／10／113A驱动器。经扩展后,这一低成本系列器件的额定峰值输出电流为2A至4．5A,工作电压范同宽达4．5V至18V。     

Microchip扩展MOSFET驱动器系列产品

Microchip《美国微芯科技公司）宣布扩展了其MOSFET驱动器系列产品。在已获得业界推崇的Microchip下桥臂MCP14E3／4／54．5AMOSFET驱动器上，Microchip推出全新下桥臂MCP14E6／7／82A和MCP14E9／10／113A驱动器。经扩展后，这一低成本系列器件的额定峰值输出电流为2A～4．5A工作电压范围宽达4．5V～18V。     

恩智浦GreenChiP为上网本适配器带来更高能效

IR推出采用焊前金属（SFM）的1200V绝缘栅双极晶体管（IGBT）AUIRG7CH80K6B—M，适用于电动汽车（EV）、混合电动汽车（HEV）和中功率驱动器中的高电流、高电压汽车逆变器模块。     

单相电能计量SoC

IDT 90Ea6是针对智能电表设计的单相SOC,集成了一个电能计量模拟前湍、一个实时时钟、温度传感器、LCD驱动器和ARM Cortex M0微处理器。该器件是IDT屡获殊荣的计量产品系列的最新成员,可提供5000：1的高宽动态范围,帮助电表制造商将多种电表规格合并为一个,从而为电表制造商简化设计和生产流程,并为电力公司降低存储和管理难度。     

德州仪器MOSFET驱动器

德州仪器（TI）推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。TI的TPS28225驱动器以4．5V至8．8V电压控制MOSFET栅极，从而实现了高效率和低电磁卜扰（EMl），在7V至8V电压范围内时，器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2A大电流电源以及4A吸入驱动功能。针对较低栅极驱动器，驱动器的0．4欧姆阻抗可使功率MOSFET的栅极低于闽值电平，以确保高dV／dT相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用N通道MOSFET。     

使用MAX6958／MAX6959 LED驱动器实现单个LED的亮度控制

MAX6958／MAX6959是紧凑型的复用共阴极显示驱动器，可通过SMBus^TM和I^2C兼容的2线串行接口将微处理器接口至7段LED数码管或分立的LED。MAX6958／MAX6959的2线串行接口采用固定的0．8V／2．1V逻辑门限，可在显示驱动器使用5 V电源时保持与2．5V和3．3V的系统兼容性。     

IGBT专用驱动器M57962L

<正> M57962L是日本三菱公司生产的专用驱动IGBT模块的驱动器,其内部结构方框图如图1所示。它由光耦合器、接口电路、检测电路、定时复位电路以及门关断电路组成。     

低歪曲率扇出缓冲器

安森美半导体推出三款高精确度、低歪曲率且配备CMOS输出的1：4时钟扇出缓冲器NB3N551、NB3L553以及NB3N2304NZ。这些器件主要用来产生系统全速频率的多重时钟分支．适合电信、网络与自动化测试设备（ATE）等应用。     

TI推出28V恒流白色LED驱动器和LCD升压转换器

德州仪器公司 (TI)日前宣布推出一款新型 2 8V白色发光二极管 (LED)驱动器和一款液晶显示器(LCD)升压转换器 ,大大加强了对便携式应用中的LED和 LCD的亮度控制及显示质量的改进 ,进一步提升了便携式显示器的性能 ,使其功率转换效率高达85 % ,最终延长了电池使用寿命和系统运行时间。TI的 TPS610 4 2高频白色 L ED驱动器具有 1.8V至 6V的输入范围 ,输出电压高达 2 8V,能够以一个恒定的电流驱动多达 8个白色 L ED。该驱动器允许利用一个外部检测电阻器来设置 L ED电流。为了控制LED的亮度 ,可以通过将一个频率范围为 10 0 Hz至…     

针对服务器与DC／DC电源系统的4A高速MOSFET驱动器

8引脚电源栅极驱动器，每相位40A电流 TPS28225驱动器以4．5～8．8V电压控制MOSFET栅极；在7～8V电压范围内，器件效率达到最高；具有14ns自适应停滞时间控制，14ns传输延迟时间，2A大电流电源以及4A吸入电流。     

为您的转换器选择正确的时钟(4)

本文分析了用于ADC和DAC的时钟/时钟源/时钟驱动器的特点.     

体声波滤波器和双工器

Maxim推出推挽式FET驱动器．MAX5075／MAX5077，这两款器件内部集成振荡器，具有可编程时钟输出，可用于同步外部PWM控制器。振荡频率通过外部电阻在50kHz～1．5MHz范围内设置。MAX5075有三个版本，其时钟输出与MOSFET驱动器的频率比分别为1倍、2倍、4倍。MAX5077的时钟输出与MOSFET驱动器频率比可通过两个逻辑电平引脚设置为1倍、2倍、4倍。这些驱动器是设计高效、电流反馈隔离电源所必须的基本结构，适用于电信和网络线卡。     

AS1116：8&#215;8炬阵显示LED驱动器

奥地利微电子发布一款超小型、多路复用LED驱动器AS1116,扩展了其丰富的LED驱动器系列。AS1116的工作电压为2．7V至5．5V,工作时最低只需0．6mA供电电流,而关断模式下仅为200nA。     

0．18μm CMOS工艺10Gb／s VCSEL电压驱动器设计

采用SMIC0．18μm1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb／sVCSEL电压驱动器,可以用于驱动共阴结构的VCSEL。电路采用了RC负反馈技术和C3A（电容耦合电流放大器）结构,仿真结果表明,电路在10Gb／s速率下工作性能良好,最高可工作至12．5Gb／s。电路采用1．8V和3．5V电压供电,直流总功耗为164mw。     

基于SST驱动器的低功耗10 Gbit/s发射机

基于SMIC 40 nm CMOS工艺,提出了一种可适用于背板与芯片互连的10 Gbit/s低功耗发射机。该发射机由半率前馈均衡器、时钟信号接收电路和源串联终端(SST)驱动器组成。前馈均衡器采用半率结构,以降低发射端的时钟信号频率。通过对发射端信号进行预加重,消除了码间干扰的影响。改进了SST驱动器的输出阻抗校准电路,解决了输出阻抗在不同工艺角下的波动问题。在相同输出摆幅下,SST电压模式驱动器的功耗为传统电流模式(CML)驱动器的1/4。结果表明,发射机的数据率为10 Gbit/s,传输信道在5 GHz Nyquist频率处的衰减为14.2 dB。在1.1 V电源电压下,传输信道输出信号的眼高为147 mV,眼宽为79 ps。发射机的总功耗为20.6 mW。     

BD622X系列H桥马达驱动器

BD622X系列电路是日本罗姆（ROHM）微电子公司最新推出的Intelligent PWM^TM DC有刷马达驱动IC,它们是一种高效PWM H桥驱动器。BD622X系列电路共有六种型号：BD6220、BD6221、BD6222、BD6225、BD6226、BD6227,其中BD6226／1／2为单通道驱动器,BD622/6/7为双通道驱动器。