多射极晶体管

在制造硅晶体三极管以及固体线路的平面过程中,发现了一种新器件,叫做多射极晶体管。这种器件可以用在计算机中作为逻辑门以及耦合元件,它较通用的直接耦合的晶体管线路容易设计,并且在同样的工作速度下较二极管-晶体管逻辑所需要的功率小。     

60岁的小个子——芯片进入45纳米时代

1947年12月16日,人类历史上第一颗晶体管在贝尔实验室诞生,它的出现改变了人类社会的历史。也许是一种巧合,60年之后,晶体管技术揭开了新的篇章——45纳米时代。     

简洁至上的胆石功放

前胆后石式功放,是当前很流行的功放型式。它取长补短,优势互补,既发挥了电子管电路简单、线性好,动态范围大的优点,也体现了晶体管电路灵活、省电、可以直接驱动扬声器的长处,因而深受音响发烧友的青睐。书刊上所介绍的胆石功放,输出级多采用分立元件组成。在无负反馈的情况下,末级大功率晶体管或VMOS管的对称性,     

三维晶体管震撼登场 摩尔定律仍将延续

2011年5月5日,Intel宣布了"年度最重要技术"——世界上第一个3-D三维晶体管"TriGate"。半个多世纪以来,晶体管一直都在使用2-D平面结构,现在终于迈入了3-D三维立体时代。三维晶体管意义非凡3- Tri-Gate使用超薄的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极,就好比是让原本平躺着的晶体管站立了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极,其中两侧各一个,顶上一个,用于辅助电流控制,而2-D二维晶体管只在顶部有一个。由于这些硅鳍片都是垂直的,晶体管可以更加紧密地靠在一起,从而大大提高晶体管密度。     

一种基于单电子晶体管的全加器电路设计

基于单电子晶体管的I-V特性和传输晶体管的设计思想,用多栅单电子晶体管作为传输晶体管,设计了一个由5个SET构成的全加器,相对于静态互补逻辑设计的全加器,本文设计的全加器在器件数量上大大减少,有利于大规模电路的设计,仿真结果表明,本文设计的全加器电路具有高速与低功耗的特性.     

下一代晶体管露脸

ATDF公司和HPL公司最近展示了面向多栅场效应晶体管(MuGFET)的45nm技术节点上的工艺能力，MuGFET这种先进的半导体器件最终可能取代传统的CMOS晶体管。     

东芝新技术可提高芯片集成度

如何在一块芯片上集成更多的晶体管,是电子公司面临的一个重大课题。日本东芝公司宣布,它开发出一种新的布线流程技术,可以大幅提高芯片上的晶体管集成度。这种新技术的核心是,设计人员在计算机软件的帮     

22纳米3D晶体管技术

Intel在微处理器晶体管设计上取得重大突破,沿用50多年的传统硅晶体管将实现3D架构,一款名为Tri-Gate的晶体管技术得到实现。3D Tri-Gate晶体管使用了一个微薄的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极,使得晶体管可以更加紧密地靠在一起,从而大大提高晶体管密度。这种设计可以在晶体管开启状     

晶体管线性延迟线路

这里讨论了一种晶体管延迟线路。线路的工作原理是用一单稳多谐振荡器的时基电容通过一恒流器件放电。这个恒流器件是一个工作在共基型的晶体管。线路产生一矩形脉冲,它的宽度在很大范围内正比于一直流控制电压。它还产生具有良好线性度的线性扫描电压。可得到的脉冲宽度范围很大。线性扫描的速度在一定范围内连续可变。     

铁氧体磁心-晶体管参数的选择

在数字装置中广泛地采用着铁氧体磁心-晶体管元件(以下简称磁心-晶体管单元)。它的特点是简单、可靠、体积小,且消耗功率小。由于晶体管特性的非线性和铁氧体磁心的磁感应与磁埸强度的非单值关系,所以磁心-晶体管单元的计算是困难的。本文提出了一种工程计算方法。虽然做了一些假定,但是它能求出磁心-晶体管单元的参数,并阐明提高速度和增加抗于扰性的条件。     

未来单片计算机的设计

八十年代中期有可能把一百万个器件(晶体管或有源的MOS栅极)做在单个硅片上。本文先回顾一下硅片集成电路的总的发展趋势,并分析正在兴起的VLSI电路的设计所受的限制,然后讨论当代计算机希望具有的体系结构的特点,并研究它对实现大面积集成电路的影响。据此推荐的处理机设计具有下述优点,如在一个芯片上组成存储体系,用来增强平行执行能力的多个同样的高速缓存,支持复杂的数据结构和高级语言,具有可塑性的指令集以及通讯硬件。可以肯定,能在下一代计算机系统中生存的模块式的积木块将是做在单个硅片上的独立的计算机。文中给出了将一百万个晶体管用于各种功能块时的一个试验性的分配,它采用的是着眼于存储体系的设计方法。     

用隧道二极管提高晶体管——电阻逻辑线路的速度

图1α是一种常见的晶体管电阻逻辑线路(TRL)。它的缺点就是工作频率太低。用 f_t=300兆周的晶体管构成的逻辑线路大约有100毫微秒的延迟。如果采用隧道二极管-晶体管-电阻逻辑(TDTBL)(用上述晶体管),那么,它的     

功耗降90％，Intel发现半导体新材料

Intel公司日前透露,他们在半导体新材料的研究上又取得了重大突破,使用混合元素材料制造出了硅基P—Channel晶体管。该混合材料又被称为GroupⅢ-Ⅴ材料,因为它包含化学元素周期表中Ⅲ族到Ⅴ族的多种元素,而传统的硅（Ⅳ族元素）晶体管也凶此被称为GroupⅣ材料。现在新材料P-Channel晶体管的诞生标志着Intel已经可以使用GroupⅢ-Ⅴ新材料制造实际电路。     

AMD研究成果超越半导体行业2009性能预测

AMD 2003年9月18日,AMD研究人员在东京举行的固态设备和材料国际研讨会上,详细介绍了其新型三闸极式晶体管的创新发明,该晶体管采用了下一代绝缘硅(SOI)和高级金属门技术。这一创新为半导体技术发展指明了一条道路。 AMD表示,这种独特设计使其比目前已发布的任何多门设计在性能上提高     

摩尔精神——硅世界的超越法则

一个芯片上可容纳的晶体管数量每隔18或24个月便会增加一倍。1965年4月19日,高登·摩尔对集成电路上晶体管数量的增长做了预测,这就是著名的摩尔定律。40年回首,摩尔定律已不仅仅是针对芯片的定律。不久的将来,它有可能扩展到无线技术、传感器技术、光学技术等领域,成为人们在未知领域探索和创新的指导思想。     

6DJ6结型场效应孪生管应用点滴

<正> 场效应晶体管与普通三极管的区别在于它的电流只包括一种载流子的运动,而普通三极管的电流包括二种载流子(电子和空穴)。前者称单极型晶体管,后者称双极型晶体管;前者为电压控制器件,后者为电流控制器件。由于场效应晶体管具有电子管的特点而与普通三极管又不同,但又具备了普通三极管的许多优点,这就使得场效应晶体管得到广泛地应用。目前应用的场效应晶体管可     

新一代并行多线程处理机体系结构

随着微电子技术的发展，单个芯片可以集成越来越多的晶体管。目前的预测是，在未来的十五年，十亿晶体管可以做在一个芯片上。如何充分利用这巨大的资源，计算机体系结构设计者纷纷提出了许多建议。本文在探讨处理机体系结构发展过程的基础上，提出了一种新的＂并行多线程体系结构—ＰＭＡ＂。ＰＭＡ的主要想法是把多个逻辑处理机集成在同一芯片上，而且多个执行部件由这些逻辑处理机所共享。在每个周期，处理机从多个线程取出多条指令调度执行。与简单的单片多处理机相比，它提高了执行部件的利用效率。另一个特点便是ＰＡＭ同时支持指令级和线程级的并行操作。在描述了ＰＭＡ的基本原理之后，本文给出了一种可能的ＰＭＡ硬件实现方案，并且讨论了对软件支持ＰＭＡ所提出的新的要求。     

改版小巨人NVIDIA GTX460显卡实测

NV JDIA GTX480／470／465，同样部采用的是GF100显示核心。这颗核心可不简单，它内部塞进30亿个晶体管，故而整体性能强大。但如此多的晶体管势必会让核心面积增大，进而提升成本，同时，也会加大产品的功耗和发热，     

联栅晶体管的研制

联栅晶体管(Gate Associ—ated Transistor)是一种结构改进的双极型晶体管,它具有高开关速度、高反压、低饱和压降等特点。本文讨沦了联栅晶体管的结构与性能,分析了联栅管H_(FE)—I_C特性及优化设计问题。     

CPU 探秘

现代社会瞬息万变,是一个信息时代,家庭拥有一台个人电脑(Pc Personc Computer)已是非常平常,众所周知,中央处理器(CPU Central Processing Unit)电脑的心脏,是整个计算机系统的核心,它往往决定着电脑的档次。如昔日的286、386、486,到今天的Pentium、PentiumⅡ、PentiumⅢ、PentiumⅣ、K6、K7等。回顾CPU发展的历史长河。从雏形到今天,制造技术已经极大提高,主要表现集成电子光件越来越多,开时时集成几千个晶体管,现在有几百万、几千万个晶体管,这么多晶体管,它们是如可实现电脑功能、处理电脑数据的?本文对CPU如何工作进行了一些探索。