一种新型无源MEMS万向碰撞开

采用MEMS体Si加工工艺和圆片级封装技术,开发了一种基于特种运输中的新型无源MEMS万向碰撞开关.开关选用弹簧-质量-阻尼的典型碰撞结构,对惯性加速度计敏感,以碰撞接触的形式提供导通电阻信号,并拥有500 g径向360°和1 000 g纵向碰撞触发,单个器件可以实现多个器件的功能.经过仿真设计和工艺研究,最终完成了开关的制作,封装后体积后为6.6 mm×5 mm×2.4 mm.经测试表明开关实现了初始的设计阈值,导通电阻约10 Ω,导通时间约10 μs,验证了抗5 000 g冲击能力,它具有体积小、重量轻、高可靠、低成本,可反复使用等特点,在可靠性跌落试验、汽车安全碰撞试验和飞行器上具有广泛的应用前景.     

功率场效应晶体管晶圆超薄磨片工艺开发

晶圆超薄磨片工艺是为减小功率开关管导通电阻,工艺中存在超薄晶圆磨片后转运过程中破片及超薄晶圆背面蒸镀金属等问题.现有的晶圆磨片的一般厚度为200μm,超薄磨片的目标是100μm.本研究采用同一批次晶圆,分批,2片超薄研磨,其他采用正常工艺减薄,封装测试条件相同.对比封装测试完毕的器件的导通电阻,超薄研磨器件的导通电阻减小约10%.     

采用PowerPAK 1212 8封装的新型功率MOSFET

Vishay公司推出17款新型功率MOSFET,这些器件采用小型PowerPAK12128封装,具有低至3.7mΩ的超低导通电阻值。主要面向用于数据通信系统的负载点(POL)转换器及高密度DC-DC变换器中的同步整流、同步降压及中间开关应用。这些TrenchFET第二代器件的尺寸仅为3.3mm×3.3mm×1mm,仅是SO8封装的1/3,同时还具有不足2℃/W的低热阻,这一热阻值比SO8器件低8倍。采用PowerPAK 1212 8封装的新型功率MOSFET     

针对便携和无线音频应用的低压模拟开关 采用无铅薄型QFN／薄型DFN封装

三种新型低电阻模拟开关分别是6引脚、10引脚和16引脚器件，采用无铅薄型QFN／薄型DFN封装。它们是为低工作电压的便携和无线应用中音频信号大电流开关而设计，适用于要求导通电阻（Ron）小的较大功率音频应用。     

用全自对准方法制作超低导通电阻的功率MOS FET

本文论证了用全自对准加工方法制作超低导通电阻的功率MOSFET。新方法的特点是大部分工艺步骤,例如:沟道形式,栅的确定,和开接触孔等,通过一次光刻步骤来进行。这就容许封装密度显著增加,从而使得沟道电阻减小。 用4微米间距版图方案的新加工方法已经实现了单位面积为50cm/mm~2的棚宽,此值比常规VDMOSFET至少大四倍。实验制作器件的总栅宽在3.8mm×4.0mm芯片内为480cm,导通电阻为9mΩ,击穿电压为30V,导通电阻与面积的乘积为137mΩ·mm~2,是截至目前为止报导的最小值。     

超小封装芯片级MOSFET

MICRO FOOT功率MOSFET Si8461DB和Si8465DB最大尺寸为1mm×1mm×0.548mm,在芯片级功率MOSFET中实现超小体积,且导通电阻比非芯片级器件提高10倍。20V的P沟道Si8461DB和Si8465DB可用于负载开关、电池开关和充电开关应用。在4.5V栅极驱动下,Si8461DB的导通电阻为0.1Ω。除4.5V的电压等级,     

高频控制开关用沟槽MOSFET的研究

高频控制开关用功率器件要同时具备极低的导通电阻和栅漏电荷值,从而降低导通损耗和开关损耗.基于器件与工艺模拟软件TsupremⅣ和Medici,研究了工艺参数和设计参数对沟槽MOSFET器件击穿电压、比导通电阻和栅漏电荷的影响,优化设计了耐压30 V的开关用沟槽MOSFET器件.对栅极充电曲线中平台段变倾斜的现象,运用沟道长度调制效应给出了解释.     

集成电路

低漂移RF功率检测器用于手机的射频(RF)功率检测器AD8312的动态范围为45dB,能够测量50MHz～2.7GHz工作频率范围的信号,并在整个-40℃～+85℃温度范围内提供精确、温度稳定的性能,其测量精度为±1dB。AD8312的高灵敏度允许测量小功率水平的信号,从而降低了对检测器的耦合功率。该器件采用6引脚1mm×1.5mm圆片芯片级封装,2.7～5.5V单电源,并且具有4.5mA功耗电流。ADIhttp://www.analog.com开关和多路复用器ADG12xx系列开关和多路复用器的每通道关断电容为2pF,导通电阻为120Ω;ADG14xx多路复用器的关断电容为15pF,导通电阻为5Ω,从…     

提高MOS功率晶体管封装可靠性技术研究

功率MOS晶体管的正向导通电阻是器件的重要指标,严重影响器件的使用可靠性。从封装材料、封装工艺等方面论述功率MOS管降低导通电阻、控制空洞、提高器件可靠性的封装技术,并通过一些实例来阐述工艺控制的效果。     

双功率场效应管(MOSFET)用作锂离子安全开关

n沟道器件使用一种独特的公共漏极设计以使导通电阻最小为能够用作铿离子电池封装的安全开关,TSSOPS脚封装的Si6968DQ双n沟道功率MOS场效应管把本公司     

K波段宽带声体波延迟线的设计与优化

通过优化K波段声体波换能器设计,突破200 nm极薄压电薄膜制备和微带线匹配等技术,研制了K波段体声波延迟线样品。研究结果表明,样品的中心频率大于23 GHz,带宽大于1 000 MHz,延迟时间295 ns,外形尺寸约25 mm×16 mm×14 mm,是目前国内外已报道的工作频率最高的声体波延迟线。     

基于氮化铝技术的表贴型微波封装

采用氮化铝多层布线技术,运用垂直过渡方式实现微波信号从基板底部到表面的信号传输,完成表贴式微波封装设计。在DC-18GHz内,该表贴互连反射损耗小于-15dB,插入损耗小于1.0dB。采用该技术封装了6～18GHz宽带放大器,封装尺寸为5mm×5mm×1.2mm,频带内反射损耗小于-10dB,增益15dB,平坦度小于1dB;另外还封装C波段5W功率放大器,封装尺寸为8mm×8mm×1.2mm,带内增益大于25dB,反射损耗小于-10dB,饱和输出功率37dBm,效率35%。采用技术的表面贴装放大器性能上能够满足微波通信、雷达应用,可用回流焊安装,适合规模生产。     

C波段宽带薄膜体声波滤波器设计及验证

介绍了一种适用于三维堆叠的凸点式晶圆级封装的小型化C波段宽带薄膜体声波滤波器的设计方法,并进行了工艺验证。通过对压电层薄膜进行钪掺杂、材料参数提取、结构模型优化实现了相对带宽大于5%的薄膜体声波滤波器设计。通过表面硅基微机电系统(MEMS)工艺制备与凸点式晶圆级封装实现滤波器制备。研制出标称频率5 800 MHz、插入损耗小于2.8 dB、阻带抑制大于40 dBc、体积仅1.0 mm×1.0 mm×0.35 mm的C波段宽带薄膜体声波滤波器。     

一种基于WLP封装的声表面波滤波器

以41°Y X切型铌酸锂作为基底材料,选择双T型阻抗元结构,采用晶圆级封装（WLP）技术,制作了一款相对带宽5.8%,最小插入损耗为-2.8 dB,体积为1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm的小型化WLP封装声表面波滤波器。并研制了专用探卡,对封装后晶圆完成在线测试。测试结果表明,探卡测试结果与装配到实际电路的测试结果进行对比,两者吻合较好,解决了WLP封装声表面波滤波器测试难题。     

S波段GaAs单片可变增益放大器

用分析方法获取具有4个端口的双栅FET适用S参数进行设计,用微波单片集成电路技术制成增益30dB,可控增益大于65dB,二栅开关时间小于5ns的S波段单片可变增益放大器,封装后的尺寸为17.5mm×20mm×5mm。     

基于LTCC的高集成度射频前端研究

针对现代通信电子战系统对小型化射频前端的需求,该文基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术研制出工作在30~3 000 MHz,具有高集成度的射频前端模组。该模组尺寸仅为48mm×46mm×12mm,质量仅为68.5g,在满足技术指标的同时,体积与质量均减小到原有产品的1/7。此外,该文还对三维互联和隔离度优化等高度集成关键技术进行了总结和分析。     

宽带GaAs MMIC开关耦合器芯片设计

介绍了一种宽带开关耦合器芯片的研制。在GaAs pHEMT工艺平台上将宽带单刀双掷开关和兰格耦合器集成在一个芯片上,在实现二路功率分配功能的同时,还提供了在两个输出端口之间±90°相位切换的功能。该芯片频率范围覆盖6~18GHz,在整个频带内插入损耗<3.7dB,相位误差<14°,输入输出驻波比<1.8∶1。芯片尺寸1.5mm×3.0mm×0.1mm。详细描述了电路的设计流程,并提供最终的测试结果。该芯片具有频带宽、体积小、使用方便等特点,可应用于不同的微波系统。     

An implantable wireless powered light source

A wireless powered small volume light source composed of light emitting diode(LED) array is developed for implantation. According to the volt-ampere characteristics of LED and the load characteristics of coil coupling power supply, the light power and work distance of implant LED-array are optimized by changing the number and series-parallel connection mode of LEDs in receiver. The wireless powered implant can provide 5.4 m W light. The entire implant is seamlessly packaged within parylene, a biocompatible material, coating by chemical vapor depositing. The volume of the implant is 9 mm×4 mm×3 mm, the weight of which is only 0.25 g. The device can work continuously for more than three weeks in 0.9% saline and the prime prototype of the device has been validated by animal implantation.     

一种新颖的DC～50GHz低插入相移MMIC可变衰减器

介绍了一种新颖的 DC～ 5 0 GHz低相移、多功能的 Ga As MMIC可变衰减器的设计与制作 ,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为 :在 DC～ 5 0 GHz频带内 ,最小衰减≤ 3 .8d B,最大衰减≥ 3 5± 5 d B,最小衰减时输入 /输出驻波≤ 1 .5 ,最大衰减时输入 /输出驻波≤ 2 .2 ,衰减相移比≤ 1 .2°/d B。芯片尺寸 2 .3 3 mm× 0 .68mm× 0 .1 mm。芯片成品率高达 80 %以上 ,工作环境温度达 1 2 5°C,可靠性高 ,稳定性好     

低g值微惯性开关防粘连结构的设计与制作

低g值微惯性开关是一种感受惯性加速度、执行开关机械动作的精密惯性装置。为了解决开关芯片在清洗干燥过程中的粘连问题,提高器件的成品率,提出了防粘连的梯形凸台结构。该结构尺寸约为135μm×135μm×20μm,采用玻璃无掩膜湿法腐蚀技术在深约85μm的玻璃封盖底部实现。通过减小质量块与玻璃封盖底部的接触面积,弱化液体表面张力和范德华力的影响,避免了粘连现象的发生,使得低g值微惯性开关芯片在清洗干燥环节的合格率约达95%。采用MEMS体硅加工工艺和圆片级封装技术,完成了带有防粘连凸台结构的低g值微惯性开关的制作。玻璃无掩膜湿法腐蚀技术具有工艺简单、便于操作等优点,它的成功应用较好地满足了器件产业化的要求,为批量研制低g值微惯性开关提供了可靠的工艺基础。