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本文在p-i-n结构的InGaAs-GaAs应变层短周期超晶格的调制光反射谱中观察并确认了超晶格微带电子的Franz-Keldysh振荡,通过对Franz-Keldysh振荡的分析,推算出超晶格区内建电场大小;讨论了内建电场对超晶格微带电子的影响,最后指出Franz-Keldysh振荡可以作为检验短周期超晶格样品质量的一种手段。 相似文献
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用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的GaAS/Ga1-xAlxAs异质结,发现不同工的GaAs复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响。由GaAs带间跃迁的Franz-Keleysh效应计算出表面层表面电场随外延层的变薄而增大,并计算出表面费密以级与导带底的距离f=0.27(0.03)eV,通过对Ga1-xAlxAs调制光谱分析,发现表面复盖层对Ga1-xAlxAs层的调制光谱线形有调节作用,不同厚度的 相似文献
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在光折变多量子阱中,通过Franz-Keldysh效应可写入电吸收栅和电折变栅。基于二波耦合理论,精确求解了由这两种光栅引起的光强耦合方程,近似计算了Raman-Nath高阶衍射光强。 相似文献
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我们研究了掺杂耦合GaAs/AlAs超晶格的级联隧穿,在这种结构中,AlAs层X能谷中的基态能级位于GaAs层中Γ能谷的基态(E(Γ1);)和第一激发态(E(Γ2))能级之间.实验结果证明,这种超晶格中的高电场畴是由Γ-X级联共振隧穿所形成的,而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的.在这种高场畴中,电子从GaAs量子阱的基态隧穿到邻近的AlAs层的X能谷的基态,然后通过实空间电子转移从AlAs层的X能谷弛豫到下一个GaAs量子阱的Γ能谷的基态. 相似文献
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GaAs/Al_0.33Ga_0.67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化 总被引:1,自引:0,他引:1
利用高压光致发光方法在液氮温度下和0—35kar的压力范围内对不同层厚的GaAs/Al0.33Ga0.67As短周期超晶格以及具有相近组份的Al0.3Ga0.7As体材料进行了系统的研究.测得Al0.3Ga0.7As体材料的Γ谷和X谷的压力系数分别为8.6meV/kbar和-.57meV/kbar.在一定的压力范围内同时观测到了短周期超晶格中与类Γ态和类X态相关的发光峰,从而得到了类Γ态能级和类X态能级随压力的变化关系.首次获得了有关GaAs/Al0.33Ga0.67As短周期超晶格能带不连续性(包括价带 相似文献
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我们研究了掺杂耦合GaAs/AlAs超晶格的级联隧穿,在这种结构中,AlAs层X能谷中的基态能级位于GaAs层中Г能谷的基态(EГ1)和第一激发态(EГ2)能级之间,实验结果证明,这种超晶格中的高电场畴是由Г-X级联共振隧穿所形成的,而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的,在这种高场畴中,电子从GaAs量子阱的基态隧穿到邻近的AlAs层的X能谷的基态,然后通过实空间电子转移从AlAs层的 相似文献
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GaAs/AlxGa1—xAs和AlxGa1—xAs/AlAs超晶格的喇曼散射对比研究 总被引:1,自引:0,他引:1
报道不同层厚的AlAs/AlxGa1-xAs及GaAs/AlxGa1-xAs短周期超晶格的纵光学声子模的室温喇曼散射测量结果.在非共振条件下,观察到AlAs/AlxGa1-xAs中限制在AlxGa1-xAs混晶层中的类GaAsLO限制模和限制在AlAs层中的AlAsLO限制模,还观察到GaAs/AlxGa1-xAs中限制在AlxGa1-xAs混晶层中的类AlAsLO限制模和限制在GaAs层中的GaAsLO限制模.在近共振条件下,还观察到了AlAs/AlxGa1-xAs中AlAs的界面模.根据线性链模型,把测量的LO限制模的频率按照q=mn+12πα0展开,给出了AlxGa1-xAs混晶的类AlAs支和类GaAs支光学声子色散曲线. 相似文献
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用低压MOCVD(LP-MOCVD)生长三种不同的InGaAs/GaAs应变层量子阱材料,其中两种含AlGaAs限制层。结果表明,AlGaAs限制层对量子阱的发光强度影响很大,与没有AlGaAs限制层的结果相比,带AlGaAs限制层的结构的发光强度要强一个数量级以上。在低温(18K)PL光谱图中,我们看到,除了存在主峰以外,在主峰两侧还各有一个子峰,这些子峰可能与量子阱的质量有关。 相似文献
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在71—163K的不同稳定温度下,对GaAs-Al0.3Ga0.7As调制掺杂异质结构界面的光激发过剩电子的浓度,作了10-5-103秒时间范围的瞬变测量.一个包含了热声子辅助隧穿,Si掺杂的AlxGa1-xAs层DX中心俘获势垒分布和隧穿后电子的能量弛豫过程的理论计算可以定量地解释实验结果. 相似文献
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在GaAs/AlAs(10nm/2nm)弱耦合掺杂超晶格I-V曲线的第一个平台上,我们首先观测到了直流偏压下的室温微波振荡.观测到的最高振荡频率可达142MHz.这种由级联隧穿引起的振荡在测试温度范围14~300K内始终存在.经分析发现:由于垒层仅有2nm,电子隧穿通过垒层的几率很高,相比之下,电子越过势垒而产生的热离子发射电流要小得多.在温度低于300K时,超晶格内的纵向输运机制是级联共振隧穿和声子辅助隧穿.这是室温仍然能观测到自维持振荡的主要原因.由于实现振荡所施加的偏压比较低(在室温下偏压范围大约为 相似文献
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描述了一种新型共振隧穿结构器件,这种器件包含了通过可变间隙超晶格能量滤波器(VSSEF)中的耦合量子附态的隧穿过程.论证了通过AlAs/GaAsVSSEF器件高能态和AlGaAs/GaAs超晶格受激态的共振隧穿,描述了这种器件作为较高功率微波源和共振隧穿晶体管的应用,并讨论了共振隧穿结构作为雪崩探测器和红外发射器等光学器件的潜在应用. 相似文献
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本文利用光调制光谱与分子束外延结合的方法,原位测量GaAs(001)表面Si-δ掺杂结构样品,排除了FK振荡对Si-δ掺杂相关的光谱结构的影响,观察到Si-δ掺杂结构中价带连续态到导带半V-形势阱中子带的跃迁及带间跃迁相对于纯GaAs带间跃迁的红移。 相似文献
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李祖华 《固体电子学研究与进展》1995,(2)
Ku波段8WGaAs内匹配微波功率FET李祖华(南京电子器件研究所,210016)Ku-Band8WGaAsInternallyMatchedMicrowavePowerGaAsFET¥LiZuhua(NanjingElectronicDevices... 相似文献