球磨时间对硼硅玻璃基复相陶瓷性能的影响

采用经过不同球磨时间制备的硼硅玻璃与氧化铝复合,低温烧结制备了硼硅玻璃/氧化铝系复相陶瓷.利用XRD和SEM,研究了硼硅玻璃粉料球磨时间对流延成型及所制复相陶瓷的烧结性能、介电性能(10MHz)的影响.结果表明:随着球磨时间增加,粉料粒径减小,硼硅玻璃复相陶瓷烧结温度降低,密度增加,介电常数和介质损耗降低.球磨90 m...     

钙硼硅系玻璃陶瓷低温烧结研究

利用不同粒度的CaO-B2O3-SiO2(CBS)玻璃粉料,制备了低温烧结的CBS玻璃陶瓷.研究了粉料粒度对CBS系玻璃陶瓷低温烧结的影响.实验表明,粉料粒度对粉料的玻璃化温度Tg的影响不明显,玻璃致密化开始于玻璃化温度Tg≈680℃,随着烧成温度升高,收缩率迅速增大;随着粉料粒度的减小,试样的烧结温度和显气孔率降低,体积密度、收缩率、热膨胀系数和抗折强度都增大.将粉料粒径中位值D50=2.34 μm的粉料采用流延工艺制得127 μm的生料带,运用优化烧成工艺,与银电极浆料在850℃共烧,表面平整,匹配良好,能在一定程度上满足低温共烧陶瓷(LTCC)用基板材料的要求.     

Li2O掺杂对CBS/Al2O3玻璃陶瓷性能的影响

研究了Li2O掺杂对CBS/Al2O3玻璃陶瓷烧结性能和介电性能的影响.结果表明,掺杂适量的Li2O可改善CBS/Al2O3玻璃陶瓷的烧结性能和介电性能,当掺杂Li2O的质量分数为0.5%时,CBS/Al2O3玻璃陶瓷在810 ℃可实现低温致密化烧结,试样的体积密度为2.89 g/cm3;在1 MHz的测试频率下,该材料的介电常数为8.6,介电损耗为1.0×10-3;XRD分析表明其相组成主要为CaSiO3、CaAl3BO7、残余Al2O3和玻璃相.     

Ca-B-Si掺杂对Ba(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3陶瓷介电性能的影响

采用传统电子陶瓷工艺合成了Ca-B-Si(CBS)玻璃掺杂的Ba(Mgl/3Nb2/3)O3微波介质陶瓷,研究了CBS掺杂量对陶瓷微波介电性能的影响。结果表明:CBS掺杂可促进陶瓷烧结并提高B位1:2有序度,进而降低微波介质损耗。当w(CBS)=3%时,陶瓷烧结温度由纯相时的1 500℃以上降至1 250℃,表观密度提高到6.32 g/cm3以上,陶瓷的微波介电性能达到最佳值:εr=26,Q.f=67 800 GHz(8 GHz),τf=25×10–6/℃。该陶瓷有望成为用于高频段微波器件的材料。     

玻璃粉料粒度对B-Al-Si/Al_2O_3性能的影响

通过改变球磨时间,得到不同粒度的B2O3-Al2O3-SiO2(简称B-Al-Si或BAS)玻璃粉料。在玻璃粉料中混入质量分数为40%的Al2O3陶瓷粉末,用流延法制备了低温共烧BAS/Al2O3玻璃/陶瓷复相材料。研究了烧结温度和玻璃的粒度对复相材料的烧结性能、介电性能和热稳定性的影响。结果表明:在800～900℃,材料致密化后析出钙长石晶体;球磨1h的玻璃粉料与w(Al2O3)40%混合烧结的复相材料的性能最优,850℃保温30min后,于10MHz测试,其εr=7.77,tanδ=1×10-4;扫描电镜显示其微观结构致密,有少量闭气孔。     

PbO-B2O3-CuV2O6掺杂对(Pb,Ca,La)(Fe,Nb)O3陶瓷微波介电性能的影响

研究了PbO3-CuV2O6(PBC)玻璃对(Pb,Ca,La)(Fe,Nb)O3(PCLFN)陶瓷微波介电性能的影响.当纯PCLFN陶瓷在1150℃烧结,介电常数εr=103,品质因数与频率之积Qf=5640 GHz,频率温度系数τf=7.1×10-6/℃.PBC玻璃添加剂能降低PCLFN陶瓷的烧结温度到1 050℃左右,同时能保持良好的介电性能.随着PBC玻璃添加量的质量分数从1.0%增加2.0%,陶瓷的Qf值减小.掺杂ω(PBC)=1%玻璃、在1 050℃烧结的陶瓷样品,能获得良好的微波介电性能为Qf=5 392 GHz,τf=8.18×10-6/℃,εr=101.     

流延成型法制备CBS系玻璃-陶瓷复合材料

以CaO-B2O3-SiO2(CBS)玻璃粉体、Al2O3陶瓷粉体和Li2CO3助熔剂为原料,通过流延成型法制备了CBS/Al2O3玻璃-陶瓷复合材料流延片。结果表明,Li2CO3通过与CBS、Al2O3、B2O3反应生成低熔点的Li4B2O5和LiAlO2液相,降低了CBS/Al2O3复合材料的烧结温度,在850℃烧结时的体积密度为2.63g/cm3;具有良好的介电性能:介电常数为7.24,介电损耗为1.57×10-3;流延片通过与高热导率的Ag共烧,获得优异的热传导性能,当通孔占有率及间距为3.88%和1.00mm时,热导率为15.16 W/(m·K),已经达到AlN/玻璃基板的热传导性能。     

熔制温度对CBS系微晶玻璃结构与性能的影响

采用高温熔融法制备CaO-B2O3-SiO2(CBS)微晶玻璃,考察不同熔制温度对该体系微晶玻璃结构和性能的影响。结果表明:熔制温度1 400～1 450℃,试样中存在少量未熔融的SiO2,有利于CaSiO3晶相的析出和晶粒细化,加速CBS系微晶玻璃致密化。熔制温度为1 450℃粉料,850℃烧结保温15 min所制CBS性能较优:体积密度为2.54 g.cm–3,相对介电常数为6.42,介电损耗为0.000 9。     

熔制温度对CBS系微晶玻璃结构与性能的影响

采用高温熔融法制备CaO-B2O3-SiO2(CBS)微晶玻璃,考察不同熔制温度对该体系微晶玻璃结构和性能的影响。结果表明:熔制温度1 400～1 450℃,试样中存在少量未熔融的SiO2,有利于CaSiO3晶相的析出和晶粒细化,加速CBS系微晶玻璃致密化。熔制温度为1 450℃粉料,850℃烧结保温15 min所制CBS性能较优:体积密度为2.54 g.cm–3,相对介电常数为6.42,介电损耗为0.000 9。     

CaO-B2O3-SiO2系LTCC基板材料的制备及烧结

通过高温熔融法制备的CaO-B2O3-SiO2(CBS)系玻璃粉体(A料)与固相合成法制备的CaO-B2O3-SiO2-Al2O3粉体(B料)按照质量比7∶3混合,烧结制备CBS系LTCC材料,研究不同烧结温度对材料性能的影响。结果表明：在850℃下烧结的CBS玻璃陶瓷致密性好,x=y方向收缩率为15.16％,密度为2...     

金属簇合物cis-Cp*2MO2S4Cu2I2.(CH2CI2)2/CH2CI2

应用脉宽为4.5 ns,波长为532 nm的激光脉冲,用Z-扫描方法研究了金属簇合物cis-Cp*2Mo2S4Cu2I2.(CH2CI2)2/CH2CI2溶液的非线性特性.研究结果表明非线性折射主要来源于三阶光学非线性折射和非线性吸收引起的瞬态热致非线性折射.     

SiO2-Al2O3-PbF2-ZnF2-ErF3玻璃陶瓷的显微结构

氟氧化物玻璃陶瓷综合了传统激光晶体和激光玻璃的优点，是近年来激光材料研究的新热点。我们制备了掺杂Er离子的SiO2-Al2O3-PbF2-ZnF2玻璃陶瓷材料，并对其显微结构进行了初步研究。     

Reactive sintering of Bi2Sr2CaCu2Ox superconductors

Three phase assemblages were used to produce Bi₂Sr₂CaCu₂O_x (2212) during sintering: a mixture of 20% Ca-rich 2212+80%2212, partially synthesized 2212, and Bi₂Sr₂CuO_x (2201)+(1/2 Ca₂ CuO₃+1/2 CuO) (denoted 0011). The mixture of 2201+0011 produced highly pure 2212 within 50 h of heating in air at ≈850°C. Ag tubes were filled with a mixture of 2201+0011 and worked into tapes by a powder-in-tube process. Heat treatments produced microstructures consisting of small, highly textured 2212 grains. T_c values were ≈70K. Transport J_c values at 4.2K were ≈10⁴ A/cm².     

基于TEOS-O2-N2淀积SiO2工艺研究

采用正硅酸乙脂热分解系统(TEOS-O2-N2)淀积SiO2工艺在大功率垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件及产品的研发和生产中有着非常重要的应用.主要介绍了正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅(SiO2)系统调试.通过大量的实验建立用正硅酸乙脂热分解系统淀积二氧化硅的工艺参数,并把实验淀积二氧化硅用于垂直双扩散金属氧化物半导体器件及产品的研发和生产中,取得了较为理想的结果.     

(Li,Nb)掺杂SnO_2压敏材料的电学非线性研究

研究了掺锂对 Sn O2 压敏电阻器性能的影响。研究发现 L i 对 Sn4 的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度 ,且能大幅度改善材料的电学非线性性能。掺入 x(L i2 CO3)为 1.0 %的陶瓷样品具有最高的密度 (ρ=6 .77g/ cm3)、最高的介电常数 (ε=185 1)、最低的视在势垒电场 (EB=6 8.86 V/ mm)和最高的非线性常数 (α=9.9)。对比发现 ,Na 由于具有较大的离子粒半径 ,其掺杂改性性能相对较差。提出了 Sn O2 · L i2 CO3· Nb2 O5晶界缺陷势垒模型     

Thermoelectric Properties of TlCu3Te2 and TlCu2Te2

We performed thermoelectric characterizations on TlCu₃Te₂: (Tl¹⁺)(Cu¹⁺)₃ (Te²⁻)₂ and TlCu₂Te₂: (Tl¹⁺)(Tl³⁺)(Cu¹⁺)₄(Te²⁻)₄, in order to understand the relationship between the thermoelectric properties (especially the lattice thermal conductivity κ _lat) and the valence states of Tl. The thermal conductivity of TlCu₂Te₂ is high (about 8 W m⁻¹ K⁻¹), while that of TlCu₃Te₂ is extremely low (around 0.5 W m⁻¹ K⁻¹) like other thallium tellurides. This high κ of TlCu₂Te₂ was caused not only by its large electronic contribution but also by its intrinsically high κ _lat. The present study implies that the valence states of Tl would play some important roles in determining the magnitude of κ _lat.     

氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照特性

对氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究,将H2-O2合成和氮氧化栅两种技术结合起来,充分利用两者的优点制成三层结构的Sandwich栅,对比常规氧化、H2-O2合成氧化和氮化H2-O2合成氧化三种方式及不同退火条件,得出氮化H2-O2合成氧化方法抗辐照性能最佳,采用硅化物工艺加快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势;并对氮化H2-O2合成栅的抗辐照机理进行了研究.     

环Ｆ2+uＦ2上长为2e的循环码

近十多年来,有限环上的循环码一直是编码研究者所关心的热点问题,本文证明了R[x]/＜xn-1＞不是主理想环,其中R=F2 uF2,u2=0且n=2e.分3种情形讨论了环R[x]/＜xn-1＞中的非零理想,并给出了R上循环码的可以唯一确定的生成元的表达形式,同时给出了R上循环码的李距离的一个上界估计.