降低漏电流的技术现状与未来展望——解决漏电流问题已刻不容缓

采用65nm制造LSI时，电流将难以控制地大量泄漏出来，这种警告之声越来越高。问题的是，这些电流并不是LSI工作所需的电流，即使在LSI不工作的情况下，也会出现漏电流。LSI工作频率越高，这种漏电流就越大。随着半导体工艺的微细化发展，漏电流会更大(见图1)。     

解决企业文化问题刻不容缓

每家公司的成功创新,都需以之为基础的文化相匹配。当你构建自己的创新模式时,了解你的公司可以做些什么来帮助创新开花,这会为未来打下基石     

漏电流极小的二极管

漏电流极小的二极管英国Ｚｅｔｅｘ公司推出的ＦＩＬＤ２０：）系列Ｍ极管包括ＦＬＬＤ２６３共阳极、ＦＩＬＤ２５６共阴极和ＦＩＬＤ２６１串联二极管引脚结构。它们的漏电流特性比行业标准低８００％，典型反向电流为２．５ｖＡ，反向电压为７０Ｖ。在ＩＶ测量电压下，...     

综合控制柜直流漏电问题的分析和解决

本文介绍了DC600V供电客车漏电报警装置的工作原理,从原理分析入手,对现车出现的漏电流超标问题进行研究和查找,并提出了切实可行的解决方案。     

基于漏电流补偿技术的超低漏电模拟开关

为满足各种现代设备控制系统的超高精度信号采集需求,基于新型PN结漏电补偿技术设计了一种超低漏电模拟开关电路。该电路在传统CMOS模拟开关的基础上创新性地引入了新型全温区PN漏电采样和补偿电路,对CMOS模拟开关输入、输出漏电流进行全温区漏电补偿,大幅降低了输入、输出端口漏电流,实现亚纳安级端口漏电流。基于40 V高压CMOS工艺进行电路设计和仿真验证,实测结果显示,在-55～125℃,输入、输出端口漏电流不大于0.75 nA,温漂约为6 pA/℃。     

忆阻器堆叠交叉阵列漏电流问题研究进展

忆阻器是一种新型的非易失性存储器,具有结构简单、功耗低、集成密度高、类突触性质等特点。忆阻器主要以交叉阵列的形式作为人工突触,被用于构造人工神经网络,然而,忆阻器的交叉阵列面临着潜在的通路漏电流问题,这阻碍了忆阻器的进一步应用。文章简要分析了忆阻器堆叠交叉阵列产生漏电流的原因,主要介绍了二极管-忆阻器、选通器-忆阻器、晶体管-忆阻器等多种抑制漏电流的方案,总结并展望了超大规模集成忆阻器的应用前景。     

解决电子管漏电的方法

使用钍钨阴极或钡钨阴极的电子管,在老练、测试过程中,极间绝缘电阻明显下降,严重时,甚至引起两极之间的短路。为了查明原因,我们解剖了一些管子,发现某些电极上蒸发物很多、很脏。经分析:是阴极的蒸发物,它包括二部分:一、阴极的早期蒸发物,是主要的;二、阴极使用过程中的蒸发物,是次要的。为此,我们采用如下方法: (一)阴极的预蒸发——解决阴极的早期蒸发问题。把阴极部件装在玻璃管内,接上排气台,当系统真空度等于或高于1×10~(-5)托时,灯丝电压由零逐渐增加,一直到灯丝电压值(或灯丝电流值)高于其额定值的20％为止,而每     

电源线路滤波器中的漏电流

出于安全考虑，在使用无源EMI滤波器时，需要考虑漏电流的影响。大多数制造商定义了正常运行时每个相的漏电流。一般来说，漏电流的额定值不是测量的结果，而是计算值。本文论述了关于漏电流的基本内容，包括标准对漏电流的要求，三相供电网和单相供电网的漏电流计算和测量方法，供电网拓朴对漏电流影响等。     

通过版图优化减少漏电流

随着微细化技术的发展,晶体管的漏电流将急剧增大。以往已经出现过各种减少漏电流的电路技术,如电源门控技术等。在此次的DAC中,不需要依靠特别的电路技术,通过优化版图减少漏电流的EDA工具受到了关注。这就是BlazeDFM公司的漏电流优化工具BlazeMO(见图A-1)。以往,也曾出现过通     

“绿色”网优已刻不容缓

从广义上讲,网络优化本身就是一种节能,它从一定程度上减少重复建设、优化组合既有资源、挖掘网络最大潜能。     

MOSFET栅漏电流噪声模型研究

随着MOSFET尺寸的不断减小,栅漏电流对器件特性的影响日益明显.栅漏电流噪声一方面影响器件性能,另一方面可用于栅介质质量表征,因此对其研究备受关注.由于栅介质噪声研究具有重要意义,文献中已经建立起各种各样的噪声模型,文中对其进行了归纳整理.在此基础上分析了各种模型的特性和局限性,进而探讨了其应用范围.     

50V低漏电流铝电解电容器

阐述铝电解电容器漏电流产生的原因，分析了漏电流回升的问题，采用合理选择阳极箔、化成引线、严格工艺要求、适当老练及开发高品质的电解液等途径。研制成５０Ｖ低漏电流品，并通过了例行试验，取得良好的效果。     

TFT-LCD高温光照漏电流改善研究

造成TFT不稳定的问题点一般认为有两种:一是沟道内半导体材料内部的缺陷,另一个是栅极绝缘层内的或是绝缘层与沟道层界面的电荷陷阱。TFT-LCD在长期运行时由于高温及光照的影响会导致漏电流增加,进而对TFT造成破坏。分析研究表明,TFT沟道在刻蚀完成后,沟道内部存在一定的缺陷以及绝缘层与沟道层界面存在电荷陷阱,平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术型产品由于设计的原因面临着如果进行氢处理会导致与其与氧化铟锡中的铟发生置换反应,导致铟的析出,所以无法采用氢处理。理论分析表明Si-O键稳定,本文主要介绍通过氯气/氧气和六氟化硫/氧气对TFT沟道进行处理改善高温光照漏电流。结果表明,通过氯气/氧气和六氟化硫/氧气处理TFT沟道后,高温光照漏电流从18.19pA下降到5.1pA,可见氯气/氧气和六氟化硫/氧气对沟道处理可有效改善高温光照漏电流。     

机车供电系统漏电流检测及改进

对电力机车DC600V供电系统漏电流的问题进行分析研究。通过现场的高压试验验证,寻找漏电流检测方案并进行改进。     

静态存储器保持状态下几种不同漏电流压制技术的漏电流拆分式分析

SRAM standby leakage reduction plays a pivotal role in minimizing the power consumption of application processors.Generally,four kinds of techniques are often utilized for SRAM standby leakage reduction: V_dd lowering（VDDL）,V_ss rising（VSSR）,BL floating（BLF） and reversing body bias（RBB）.In this paper,we comprehensively analyze and compare the reduction effects of these techniques on different kinds of leakage.It is disclosed that the performance of these techniques depends on the leakage composition of the SRAM cell and temperature.This has been verified on a 65 nm SRAM test macro.     

全氟化碳的问题是否真已解决？

半导体业界传统采用C2F6和CF4之类的全氟化碳（PFC）气体清洁化学气相沉积（CVD）腔体这种气体在工艺腔的等离子体区分解,生成高活性氟原子团,与腔壁和设备其他部位的工艺沉积物发生反应,形成不稳定的氟化气体,随后被抽走。只有小部分的清洁气体（一般约为30％）真正参与了腔体清洁反应,其他气体仅仅只是通过排气装置——排人大气中。但已有大量文献可以证明C2F6和CF4具有全球变暖效应。     

静态随机存取存储器漏电流功耗降低技术

分析了静态随机存取存储器 (SRAM) 的漏电流,总结了目前业界所用的各种降低漏电流的技术,包括衬底偏压、源极偏压、双电源电压、字线电压反偏和位线电压浮动结构.它们都是通过改变SRAM各个端点的电压来实现的,在降低漏电流的同时,对SRAM器件性能也有一定的影响.基于UMC 55 nm CMOS工艺,对几种方案进行了仿真,并在理论分析的基础上,指出未来发展的趋势.     

过套管电阻率测井漏电流测量方法研究

介绍了过套管电阻率测井技术的测井原理,研究了俄罗斯的CHFR与斯伦贝谢过套管电阻率测井技术,发现了漏电流的测量易受干扰,建立了过套管电阻率测井刻度系统来实现仪器标定与检测,提高测量的精确度;采用了集中参数代替分布参数形式的精密电阻阵列模拟地层视电阻,提高了地层介质的电阻率模拟的动态范围可达到1Ω·m～300Ω·m,满足了过套管电阻率测井的技术要求测量范围为:1Ω·m～100Ω·m。针对刻度系统采集和处理为极微弱信号,测量的信号非常微弱,响应信号在nV数量级,因此对数据采集系统也有很高的要求。