多孔氧化铝膜制备金纳米线阵列

利用二次阳极氧化法制备了多孔氧化铝模板,用交流电化学沉积方法成功地在模板孔道内制备了Au纳米线。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)对Au纳米线的形貌、晶体结构进行了研究。结果表明,模板的孔径均匀,孔道平直。Au纳米线均匀分布在PAA纳米孔中,直径与PAA孔径一致,约50 nm,且为多晶结构。     

在离子液体中用阳极氧化铝模板电沉积制备稀土镧纳米线

采用二次阳极氧化法获得纳米多孔阳极氧化铝(AAO)模板,在尿素-NaB r-KB甲r-酰胺离子液体中,用AAO模板电沉积稀土镧纳米线。扫描电子显微镜(SEM)结果显示,自制AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致(约60~70 nm),孔口呈六边形。经过XRD、EDS和SEM对电沉积样品的成分和形貌进行表征和分析,显示在AAO模板中有镧纳米线的存在。     

模板法组装Ag纳米线阵列及其微结构

以多孔阳极氧化铝(AAO)作为模板,利用直流电沉积法,在AAO模板孔洞中成功组装了Ag纳米线阵列。扫描电子显微镜(SEM)分析表明,Ag纳米线的长度分布十分均匀,其长度随着沉积时间的延长而线性增长,生长速度约为5μm/h。透射电子显微镜(TEM)表明,Ag纳米线粗细均匀,直径约为200 nm。选区电子衍射(SAED)分析表明,所得Ag纳米线具有多晶结构。     

模板法交流电沉积铜纳米线阵列及其表征

先通过二次阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝膜模板,再采用交流电沉积法将Cu金属填入模板的纳米孔洞中得到铜纳米线阵列。分别采用扫描电镜、透射电镜和X射线衍射仪对Cu纳米线阵列的形貌和晶体结构进行表征。结果表明,多孔氧化铝模板的孔洞排布致密、均匀而有序。交流电沉积所得Cu纳米线为单晶结构,直径为60~90 nm,长度为0.5~4.0μm。     

利用配位反应法制备多孔阳极氧化铝/氧化锌纳米线阵列

研究了一种新型的制备氧化锌(ZnO)纳米线的配位反应法.以氨水为配位剂、氨水与可溶性的锌盐反应配制的锌氨配合物溶液为前驱液,在多孔阳极氧化铝(porous anodic alumina,PAA)模板中沉积了ZnO纳米线.研究了ZnO纳米线的生长机理和配位反应条件.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对PAA/...     

以多孔氧化铝为模板电沉积制备磁性纳米线阵列膜

近年来,以多孔阳极氧化铝为模板制备磁性纳米线材料颇受人们的关注。综述以多孔阳极氧化铝为模板,采用电化学沉积制备各种有序磁性纳米线阵列膜的最新研究进展,同时展望磁性纳米线的应用前景。     

控电位法制备CdSe纳米线阵列及其性能研究

以SeO2为硒源,以阳极氧化铝为模板,采用电化学方法对SeO2在碱性电解液中的还原过程进行了分析,确定了控电位制备CdSe纳米线的沉积电位和镀液组成,并分析了其沉积机理。在此基础上,以阳极氧化铝为模板,通过控电位法成功获得CdSe纳米线阵列。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X-射线衍射对所制备的材料进行了形貌和结构表征。扫描电镜形貌分析表明,CdSe纳米线阵列高度有序、直径均一;直径约100 nm,与模板孔径一致。X-射线衍射测试表明,所制得的CdSe纳米线为立方晶型。光电性能测试表明,CdSe纳米线阵列电极的开路电位差值为324.8 mV,高于CdSe薄膜(125.5 mV);光催化降解罗丹明B测试表明,5 h后,CdSe纳米线的降解率达94.29%,强于CdSe薄膜(52.03%)。     

聚苯胺纳米线阵列的电化学组装研究

利用二次氧化法制备了多孔阳极氧化铝模板,通过控制电位聚合技术在阳极氧化铝模板内组装了聚苯胺纳米线阵列。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和能谱仪等检测技术对填孔过程和阵列的形貌、结构进行分析和表征。结果表明,苯胺在纳米孔中的聚合过程经历四个阶段,填孔终止时间控制为第二阶段结束时间。阳极氧化铝模板中苯胺聚合适宜的电位为1.0V,pH为2.5。聚苯胺纳米线的直径均匀,约为70nm,与模板孔径基本一致,为非晶结构。     

多孔阳极氧化铝模板法合成纳米线阵列的研究及应用进展

综述了以多孔氧化铝为模板，采用电化学沉积技术合成金属、半导体、导电聚合物等纳米线材料的最新研究进展，阐述了多孔氧化铝模板在合成与组装纳米线材料方面的良好应用前景，以进一步拓展该领域的研究。     

电沉积制备碲化铋纳米线阵列及其表征

先采用0.3 mol/L草酸溶液在0°C、8.9 mA/cm2下对纯铝板进行二次阳极氧化,制得氧化铝多孔膜(AAO),随后以AAO为模板,采用直流电沉积法制得Bi2Te3纳米线阵列。镀液组成和工艺条件为:Bi3+0.007 5 mol/L,2HTeO+0.001 25 mol/L,3NO-1 mol/L,温度0°C,pH 0.1,时间2 h。研究了沉积电位对沉积过程的电流变化以及纳米线的Te含量、形貌和结构的影响,得到最佳沉积电位为1.4 V。在1.4 V下沉积所得纳米线结构致密、连续,孔径约为90 nm,与AAO的孔径一致。