基于渐变组分体材料InGaAs的宽带长波长超辐射二极管

研制了一种新型的非选择性再生长掩埋异质结构长波长超辐射二极管(SLD).该器件采用渐变组分体材料InGaAs作为有源区,由金属有机物化学气相外延制备.150mA下,SLD发射谱宽的半高全宽为72nm,覆盖范围从1602到1674nm.发射谱光滑、平坦,光谱波纹在1550到1700nm的范围内小于0.3dB.室温连续工作,注入电流200mA下,器件获得了4.3mW的出光功率.器件适用于气体探测器和L-band光纤通信的光源.     

高功率850 nm宽光谱大光腔超辐射发光二极管

超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为提高半导体超辐射发光管的光谱宽度,采用非均匀阱宽多量子阱(MQW)材料拓宽超辐射器件的输出光谱。优化设计器件的波导结构,利用大光腔结构设计出高功率、低发散角850 nm超辐射发光二极管。采用直波导吸收区而后在器件的出光腔面上镀制抗反射膜的方法制作超辐射发光二极管。器件在140 mA时器件半峰全宽(FWHM)可以达到26 nm,室温下连续输出功率达到7 mW。器件的垂直发散角为28°,水平发散角为10°。由于器件具有比较小的发散角,与光纤耦合时具有比较高的耦合效率,单模保偏光纤耦合输出功率达到1.5 mW。     

1310nm大功率高偏振度量子阱超辐射发光二极管

设计并制备了一种斜条脊波导结构压应变高偏振度多量子阱超辐射发光二极管.设计的脊波导出光面TiO2/SiO2四层宽带增透膜的TE模式反射率约为10-6,分析了脊波导角度偏差和膜层厚度偏差对增透膜反射率的影响.实验结果表明,在250 mA直流电流驱动下,所设计的超辐射发光二极管芯片单管输出功率可达22.7 mW,出射光谱FWHM约为37.3 nm,光谱纹波系数低于0.15 dB,TE模式输出光强占主导,偏振度约为19.2 dB.     

宽带pin二极管单刀双掷开关的设计与实现

采用两个pin二极管设计、仿真,制作了一个8～20 GHz并联结构的高功率容量的单刀双掷开关。首先通过采用一个新的电路结构,该电路结构除了传统的并联pin单刀双掷开关结构外,还有微带线匹配电路部分,克服了并联结构单刀双掷开关难以实现大的带宽的缺点。然后选择合适的二极管,根据其参数,建立开路、短路等效电路模型;利用Ansoft Designer软件对电路进行了仿真和优化。最后根据优化结果制作并测试了单刀双掷开关。该单刀双掷开关插入损耗在频率8～20 GHz内小于1.7 dB,在频率8～15 GHz内小于1.5 dB;开关隔离度在整个频带内大于21 dB;在14 GHz耐功率容量大于10 W(CW)。     

基于FDTD的宽带微带天线的研究

用时域有限差分法（FDTD）对微带天线建模，用仿真软件empire获取数据，可以在宽频范围内观察微带天线的辐射过程，方便的获得天线的输入阻抗、带宽和方向图等特性，利用Matlab对仿真数据进行后处理可以得到方向性系数等参数。文中用该方法设计了一个中心频率为10．37GHz，相对带宽21．7％的宽带微带天线，得到了较好的参数。为工程实际中微带天线的设计与分析提供了参考。     

一种新型渐变掺杂理想欧姆接触SiGeC/Si功率二极管

将新器件结构与新型半导体材料相结合,提出了一种新型的n-区三层渐变掺杂理想欧姆接触型p+(SiGeC)-n-n+异质结功率二极管,并对n-区的杂质分布梯度进行了优化.基于MEDICI,给出了该结构的关键物理参数模型,并在此基础上对新结构的设计思路和工作原理进行了全面分析.结果表明,与常规理想欧姆接触结构相比,该新结构在保持快而软反向恢复特性的前提下,反向阻断电压增加了近一倍,而且正向通态特性也有所改善,很好地实现了功率二极管中Qs-Vf-Ir三者的良好折中.     

一种新型渐变掺杂理想欧姆接触SiGeC/Si功率二极管

将新器件结构与新型半导体材料相结合,提出了一种新型的n-区三层渐变掺杂理想欧姆接触型p (SiGeC)-n-n 异质结功率二极管,并对n-区的杂质分布梯度进行了优化.基于MEDICI,给出了该结构的关键物理参数模型,并在此基础上对新结构的设计思路和工作原理进行了全面分析.结果表明,与常规理想欧姆接触结构相比,该新结构在保持快而软反向恢复特性的前提下,反向阻断电压增加了近一倍,而且正向通态特性也有所改善,很好地实现了功率二极管中Qs-Vf-Ir三者的良好折中.     

一种基于锥形微带线的宽带F 类功率放大器

提出了一种基于5G 频段的宽带高效率F 类功率放大器。分析表明锥形微带线可以有效解决矩形微带线对于带宽的限制问题, 同时将锥形微带线加入谐波控制网络, 可以实现在一定频率范围内将二次谐波阻抗匹配至短路点附近, 三次谐波阻抗匹配至开路点附近, 从而有效解决了F 类功率放大器带宽和效率的问题。使用锥形微带线制作的功放, 实测结果表明: 在2.7 ~3.8GHz 的频带范围内, 漏极效率达到63% ~78%, 平均输出功率达到10W以上, 大信号增益达到10dB 以上。在5G 无线通信中, 该功放可以有效地发挥其宽带高效率的特点。     

基于端部加载技术的双套筒宽带天线的研究*

设计了一种基于端部加载技术的双套筒宽带全向天线,提出了一种新型的端部加载形式和特殊的双 套筒结构。实际加工出来的天线工作频段为57 ~103MHz,在此频率范围内天线的驻波比系数VSWR<1.5(即S11 < -13.98dB),天线的相对带宽为57.5%,阻抗带宽为1.81：1。仿真结果和实际加工的天线测试结果吻合良好,结果 还表明该天线在所设定的频率范围内的增益均大于2dB,且具有水平全向的方向图。     

基于SSG构建个性化宽带服务平台

介绍了Cisco公司为提供下一代网络(NGN)服务的基于SSG技术的宽带服务平台的结构、功能、技术特点和优势。     

基于无源光网络的宽带IP接入

随着我国宽带IP网的迅速发展,宽带IP接入变得越来越重要。文章阐述了EPON的结构、原理及基于EPON的宽带IP接入关键技术,最后针对宽带以太网接入的安全性问题,提出相应的解决方案。     

基于VO2圆环结构的温控宽带超材料吸波器

设计了一种基于不同半径的二氧化钒（VO₂）圆环加载于介质层上的宽带可调超材料吸波器,利用VO₂随温度变化的相变特性,实现了外部温度对吸收曲线的动态调节.通过仿真计算表明,该吸波器在外部温度为350K时在8.09~11.23THz带宽范围内吸收率可达90%以上,表现出高吸收特性;而外部温度为300K时在相同频段内吸收率始终低于20%,从而实现了对电磁波吸收的可调功能.进一步对吸波器的等效阻抗和电场分布进行分析讨论,阐明VO₂对吸收性能的调节机制.此外,文章讨论了结构参数、偏振角以及入射角对吸收的影响.其结果表明,合理选择结构参数可实现吸收性能与偏振角、入射角的无关性.本文的结论对于设计其它类型的超宽带可调吸波器具有重要的指导意义.     

基于LTCC的小型化宽带变频组件

针对现代电子战系统对小型化宽带变频组件的需求,采用毫米波二次变频方案和基于低温共烧陶瓷( LTCC)的一体化集成技术,设计了一种小型化宽带变频组件。测试结果表明,相比同等功能的微波混合集成产品,该组件在性能提升的前提下,体积重量可缩小到混合集成产品的1/20。同时总结并分析了小型化设计相关的关键电路与结构。     

基于ATM的无线宽带网络

本文首先介绍了无线宽带网络的技术背景和空中接口,然后讨论了无线宽带通信的核心技术－无线ＡＴＭ的基本原理,如网体系结构、信元格式、协议栈,以及关键技术等,最后给出了现有的无线宽带网络的实验系统和它的标准化进程。     

基于左手介质的小型微带天线

用左手材料设计一种宽频带并且电尺寸小的微带天线,先用开口谐振环和金属杆设计出左手材料,并把它放在微带天线的基板中,利用左手材料的相位补偿特性实现了宽带微带天线的小型化设计。数值仿真结果表明,工作于10．5GHz时,加载了左手材料的微带天线的物理尺寸被大大减小了,天线尺寸从下降到0．21λ,突破了传统微带天线的半波长限制,并且相对带宽增加了5．31％,实现了微带天线的小型化设计。     

基于集总电阻的宽频带超材料吸波器研究

设计了一种加载集总电阻且极化稳定的宽频带超材料吸波器,并进行了理论分析和实验验证。仿真结果表明,该吸波器在7.8 GHz 到17.2GHz 频段内具有吸收率超过90%、相对带宽达到75.2% 的良好吸波特性。通过S 参数计算得到的等效输入阻抗表明,集总电阻的加入可以使该结构在较宽的频带内有较好的的阻抗匹配特性。在FR4 基板有损耗、无损耗时吸波器的吸收率表明,电磁波能量主要损耗在集总电阻中,从而达到宽频带吸波。在加载不同集总电阻阻值时,集总电阻存在一个最佳值,能实现吸波器的带宽最宽,强吸波效果最佳。     

基于EPON的广电综合业务宽带网的实现

对EPON宽带接入技术进行介绍,就EPON的发展、技术特点、网络结构和传输原理等方面进行了论述,并给出了EPON网络的具体实现方案.     

基于临近空间的目标探测及宽带通信

临近空间是未来军事装备体系发展的一个重要领域。在区域性应用中具有组网灵活、快速机动、定点不间断持续侦察和性价比高等优势。介绍了国内外对临近空间及临近空间飞行器的开发和研制情况,给出了基于临近空间的目标探测模式。通过论述平流层通讯体制,探讨了利用宽带数据链和多数据链融合技术构建临近空间传感器网络以支持协同探测的技术途径。     

W波段单E面耦合宽带波导滤波器

毫米波/亚毫米波探测、通信、成像等系统的快速发展对W波段波导滤波器的带宽、损耗、集成方式等多方面提出了高要求。针对新一代W 波段固态宽带高集成接收机的应用需求,文中提出了一种基于单侧E 面电容耦合型的W 波段波导带通滤波器,实现85.5~97.5 GHz(3 dB 带宽 ≈ 13%)的宽频带响应。该波导滤波器具有易于现代高精度铣削工艺(CNC)制备的对称E 面分裂型加工结构,能够获得低损耗特性和高鲁棒性;此外还基于极点提取方法,引入额外谐振腔实现传输零点,进一步提高该滤波器的上边带外抑制。经加工并实测,上述滤波器在W全波段内测试结果与仿真结果高度吻合,具有可重复性和频率延展性。     

基于空-时子带结构的宽带波束形成

提出一种基于空域嵌套复合阵和时域多率子带相结合的空-时宽带自适应波束形器。子带的实现以通用参数滤波器组为基础。每个子阵的宽带波束处理器采用同一组FIR滤波器来实现,大幅减少了加权数目,同时子阵实现了并行处理,每个子阵工作在最低的采样速率下,进一步降低了处理器的运算量。仿真结果表明,此结构的处理器不仅能实现宽带波束形成,而且还大大降低了波束形成器的数据运算量。