射频宽带大功率放大器模块

利用推挽MOSFET晶体管,通过采用传输线变压器宽带匹配技术,研制出一种宽频带高功率放大器模块。文中给出了测试结果,模块的性能指标良好。     

500W射频宽带功率放大器设计

分析了宽带功率射频放大器的工作原理,介绍了各单元电路的技术实现方法,重点描述了末级电路的设计要素、各部分器件的选用原则及宽带功率合成技术,在此基础上给出了一个宽带功率放大器的方案。     

宽带功率放大器的设计

介绍一个两级2 W的宽带功率放大器设计,频率范围从700 MHz～1.1 GHz.前级放大器采用MMIC Power Amplifier HMC481MP86,末级采用飞思卡尔公司的LDMOS场效应晶体管MW6S004N.飞思卡尔公司提供的datasheet中没有包含在设计所要求的频段和功率输出值时相应的输入和输出阻抗值.为了正确匹配,采用ADS的负载牵引法得到LDMOS场效应晶体管MW6S004N的输入和输出阻抗值,然后使用有耗匹配式放大器的拓扑结构进行实际设计,并使用ADS对设计的放大器进行仿真和优化.     

一种基于锥形微带线的宽带F 类功率放大器

提出了一种基于5G 频段的宽带高效率F 类功率放大器。分析表明锥形微带线可以有效解决矩形微带线对于带宽的限制问题, 同时将锥形微带线加入谐波控制网络, 可以实现在一定频率范围内将二次谐波阻抗匹配至短路点附近, 三次谐波阻抗匹配至开路点附近, 从而有效解决了F 类功率放大器带宽和效率的问题。使用锥形微带线制作的功放, 实测结果表明: 在2.7 ~3.8GHz 的频带范围内, 漏极效率达到63% ~78%, 平均输出功率达到10W以上, 大信号增益达到10dB 以上。在5G 无线通信中, 该功放可以有效地发挥其宽带高效率的特点。     

基于射频宽带功放电路特性的改善及其实现

为了加强信息的保密性,这就要求通信产品在变频上要达到一定的速度。而且在宽带放大电路的设计中,往往都是以牺牲功率增益来换取宽频带的功率增益的平坦特性,本设计除了满足增益平坦和效率外,还重点考虑了波段转换的速度以及体积、受环境影响的大小等要求。调试及试用表明,该放大器工作稳定、性能可靠,已成功应用于通讯实践。     

宽带传输线变压器的分析与设计

研究了变换比为1：n^2(n为整数）的宽频带传输线变压器,给出了考虑线圈互耦的等效电路模型,分析了其阻抗变换特性。然后在此基础上,通过实验调试,研制了工作频带为30MHz-450MHz、变换比为1：1．6的传输线变压器,总结出设计任意变换比传输线变压器的一些结论。     

基于GaN HEMT的100～1000MHz 100W宽带功率放大器设计

基于第三代半导体材料的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),运用传输线变压器(TET,Transmission Line Transformer)宽带匹配技术,研制了工作于VHF/UHF频段的功率放大器.采用推挽的结构,运用TLT进行输入输出网络匹配,成功设计了一个工作于100～1000MHz,Gain≥9.28 dB,Gain flatness≤±2.65 dB,PAE ≥40.3％,Pout≥100W的GaN宽带功率放大器.适用于干扰、宽带通讯等对带宽、功率要求较高的系统中.     

一种宽带D类射频功率放大模块设计

介绍了一种宽带D类射频放大模块设计实验过程。给出了放大器的设计原理图,并对放大器设计中的关键参数计算、关键器件选取进行了分析。对放大器模块设计中关键电路进行了实验仿真分析,最后给出放大模块的实验测试结果。     

一种小型化船用短波宽带天线

设计了一种新型小型化短波宽带接收天线,该天线工作频率为5MHz～15MHz,天线通过传输线变压器以及交叉螺旋天线等技术,有效的达到阻抗匹配,提高天线增益,使得天线总体高度控制在3m,非常适于舰载使用。     

一种大功率宽频带低损耗定向耦合器的设计与实现

根据传输线变压器串并联同时耦合的原理,设计了一种13dB铁氧体定向耦合器,该定向耦合器是用漆包线绕在射频铁氧体磁芯上做成.具有尺寸小、结构简单和频带宽等优点,工作范围在100～400MHz.对其参数进行了理论计算和测量,满足设计要求.经过实际应用,验正了设计方法的可行性.     

VHF频段宽带功放设计

针对VHF频段70³00 MHz,20 W宽带功率放大器的工程设计与实现方案进行了介绍。对各级功率放大器的增益进行了合理分配,对各级功率放大器的外围匹配电路进行了详细设计。以阻抗变换器结构和并联负反馈宽带匹配结构及功率回退法等方法为基础,优化设计,合理布局,最终使所设计的功率放大器达到了预期的指标要求。对功率放大器进行了认真的调试和详细的测试,结果表明,各项指标满足要求。     

传输线变压器在射频功率放大器中的应用

介绍由传输线变压器构成功率合成和功率分配的工作原理以及在射频大功率放大器中的应用。     

30～150MHz宽带双定向耦合器设计

介绍了基于三线变压器魔T的双定向耦合器工作原理,分析了串联耦合信号与并联耦合信号通过魔T进行同相和反相合成的机理,应用电报方程分析它的阻抗变换特性,得到扭绞三线传输线变压器魔丁的最佳传输条件。设计了一种耦舍度为30dB的宽带双定向耦合器,并对其参数进行了理论分析和测量,满足设计要求,为充带双定向耦合器的设计和优化提供了理论基础。     

一种宽带功分器的设计

本文介绍了功分器的原理,用软件MWOffice对4~5GHz的两路功分器进行设计和仿真,并对实际产品进行测试,符合设计指标。     

2～30MHz功率放大器设计

根据宽带功率放大器的设计原理,采用传输线变压器宽带匹配技术,用MOSFET晶体管VRF141,设计了一种推挽宽带功率放大器。通过测试,得到较为理想的结果。     

30～512MHz,100W线性功率放大器极间匹配设计

设计了一种独特的极间匹配网络,使驱动放大器的输出阻抗直接匹配到末级放大器的输入阻抗,而不通过极间50Ω匹配转换。应用这种极间匹配网络,提高了30～512 MHz,100 W功率放大器的线性输出功率和效率,同时简化了匹配网络,减少了匹配元件,缩小了功率放大器的体积。这种极间匹配网络是通过集中L、C匹配网络与宽带同轴传输线变压器相结合实现的。应用ADS软件模拟以及计算集中L、C元件的值和同轴电缆的长度,使设计的极间匹配网络在近十个倍频程的频带内获得最佳性能。     

350 W双频带非对称Doherty功率放大器设计与实现

基于南京电子器件研究所0.5μm GaN HEMT工艺,设计了一款工作在1.8 GHz/2.3 GHz的大功率双频带非对称Doherty功率放大器。采用改进型的双频匹配网络结合双阻抗匹配的方法进行输出匹配电路设计,降低了传输线参数计算的复杂度,节省了电路的设计面积。实测结果表明,功放在两个频段内饱和输出功率分别为55.6 dBm和55.4 dBm,饱和漏极效率分别高于67%和66%。功率回退8 dB时,漏极效率分别为56%与53%。同时,在2.05 GHz附近的输出功率与漏极效率远低于两个工作频段,使功率放大器实现了较好的带间隔离性,满足了移动通信系统双频段工作的需求。     

宽带全固态115W脉冲功率放大器

本文叙述了宽带全固态115w脉冲功率放大器的设计和研究结果。在960～1215MHz频率范围内该放大器的增益大于43dB,功率波动小于1.5dB,输出功率为115w。本放大器可用于通信、导航、雷达等设备中作功率发射用。     

一种GaN宽禁带功率放大器的设计

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表之一,由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点,被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点,基于Agilent ADS仿真软件,利用负载／源牵引方法设计制作了一种Si波段GaN宽禁带功率放大器（10W）。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试,数据表明放大器在2．3～2．4GHz范围内可实现功率超过15W,附加效率超过67％的输出。实验结果证实,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。