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导通电阻低至29m Ω的功率MOSFET；SMA封装600W高温钳位二极管；面向超薄便携式产品应用的PNP晶体管；新型DSMZ超高精度z箔表面贴装分压器；[编者按] 相似文献
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罗姆开发出超小型的0402尺寸齐纳二极管（0．4mm×0．2mm）,这种二极管可以高密度安装在智能手机等便携设备上,和以往的0603尺寸（0．6mm×0．3mm）相比,成功地将尺寸减少了55％。 相似文献
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小尺寸智能型功率模块接口光电耦合器;采用SOT-953封装的ESD保护二极管阵列； 相似文献
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罗姆推出齐纳二极管0402尺寸（0．4mm×0．2mm）,这种二极管可以高密度安装在智能手机等便携设备上。本产品属于较小的半导体产品,和以往的0603尺寸（0．6mm×0．3mm）相比,成功地将尺寸减少了55％。 相似文献
5.
MLP封装的ULTRAFET器件；无卤素树脂二极管；针对CPU稳压器的集成驱动器MOSFET;用于照明系统的MOSFET；采用WL-CSP封装的功率MOSFET。 相似文献
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用于数字地面广播移动电话的可调式天线变容二极管，三款新型25V DirectFET MOSFET，能够耐150℃高温的芯片式固体钽电容器，优化DC／DC转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET，1206封装IW表面贴装电阻器。[编者按] 相似文献
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高速低阻的MOSFET FYxAAJ-03F系列SMT MOSFET采用亚微米沟道技术将通态电阻降至6mΩ,将转换时间缩短至22ns。这种额定电压30V的器件有8A、10A、12A和14A的版本。 相似文献
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用于保护高速电信设备和数据通信设备的浪涌抑制器件,用于长脉冲调制雷达的大功率UHF晶体管,整合肖特基二极管的单片MOSFET,提高并联服务器电源能效的MOSFET 相似文献
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ESD保护二极管和肖特基二极管，优化汽车应用的低压MOSFET，4通道LVDS缓冲器／中继器，小型高电流负载开关系列，新系列家电AC开关 相似文献
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无须外接电阻的高集成度数字晶体管,采用“界面弹性波”的滤波器,带诊断功能的自保护MOSFET[编者按] 相似文献
11.
适用于电视广播发射机的超高频晶体管；用于手机相机电子闪光控制的200A IGBT；面向低功耗应用的MLP封装MicroFET；4线总线端口保护二极管阵列； 相似文献
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面向便携应用的高能效晶体管；具有低传导损耗、高热效的功率MOSFET；具有静电保护功能的四路电磁干扰滤波器。[编者按] 相似文献
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具有2W额定功率的面板电位计，SiC肖特基整流器工作电压为1200V，适用运放电路的电阻阵列，可防止表面电弧放电的表面贴装X7R MLCC，新型BiAs单线路ESD保护二极管[编者按] 相似文献
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推出用于监控AC电流的变压器；智能功率模块；手机相机用闪光控制IGBT；新型低电容ESD保护器件。 相似文献
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高功率微型NPN及PNP晶体管;紧凑型Y2电磁干扰抑制电容器;额定电压为1．2V的功率MOSFET;具有220μF／4V额定值的固体钽芯片电容器;满足HDMI降噪要求的滤波器阵列 相似文献
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《今日电子》2007,(3):120-120,129,130
新型PolySwitch可复位电路保护器；光隔离MOSFET栅极驱动器；GSM／GPRS／EDGE收发模块；新型SOT-723封装功率MOSFET；N沟道增强模式MOSFET 相似文献
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手机用面部识别传感器；用于电动机驱动的智能功率模块；高功率继电器输出模块；用于DC／DC转换器的集成动力总成产品； 相似文献
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新型电子烟火启动器特殊薄膜电阻芯片;具有超低导通电阻的P沟道MOSFET;超低电容高分子ESD保护元件;新型家电用高可靠性压敏电阻器。 相似文献
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LAN模块电感器,Z箔表面贴装电流感应芯片电阻,固体钽芯片电容器,能提高摩托车点火器性能的微触发单向可控硅,车载用稳压二极管 相似文献
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