数值范围的表示法

1.数值范围采用波浪号"～"。2.书写百分数范围,每个百分数后面的"%"都要重复写出。例如"10%～20%"不能写成"10～20%"。3.书写用万或亿表示的数值范围,每个数值中的万或亿不得省略。例如2万～5万,不能写成2～5万。4.书写具有相同幂次的数值范围,每个数值中的幂次都要重复写出。例如"3×105～5×105"不能写成"3～5×105",但可以写"(3～5)×105"。5.单位相同的量值范围,前一个量值的单位可以省略,只需在后一个量值上写出。例如:"5mm～     

数值范围的表示法

1.数值范围采用波浪号"～"。2.书写百分数范围,每个百分数后面的"%"都要重复写出。例如"10%～20%"不能写成"10～20%"。3.书写用万或亿表示的数值范围,每个数值中的万或亿不得省略。例如2万～5万,不能写成2～5万。4.书写具有相同幂次的数值范围,每个数值中的幂次都要重复写出。例如"3×105～5×105"不能     

数值范围的表示法

1.数值范围采用波浪号"～"。2.书写百分数范围,每个百分数后面的"%"都要重复写出。例如"10%～20%"不能写成"10～20%"。3.书写用万或亿表示的数值范围,每个数值中的万或亿不得省略。例如2万～5万,不能写成2～5万。     

数值范围的表示法

1．数值范围采用波浪号“～”。 2．书写百分数范围，每个百分数后面的“％”都要重复写出。例如“10%～20％”不能写成“10-20％”。     

信息与动态

43.2cm(17in)XGATFT LCD背光灯参数CCFLLED亮度 (cd/m2 ) 40 0≥ 45 0 (在 65 0 0K时 )白色色温 (K) 65 0 0 5 0 0 0～ 1 0 0 0 0色域面积 ( % ) 72 95对比度 5 0 0 5 0 0灯数目 2CCFL× 2 4 0LED× 2尺寸 (mm) 40 4 (H)× 2 5 8(V)× 1 6.2 (T) 42 0 (H)× 2 61 (V)× 45 (T) ※重量 ( g) 1 70 0 30 0 0　　　　　　　※包括LED驱动电路 ,H是宽 ,V是高 ,T是厚度。数值范围的表示法1 .数值范围号采用波浪号“～”。2 .书写百分数范围 ,每个百分数后面的“ %”都要重复写出。例如 :“1 0 %～ 2 0 %”不能写成“1 0～2 0 %”。…     

数值范围的表示法

1．数值范围采用波浪号“～”。2．书写百分数范围，每个百分数后面的“％都要重复写出。例如“10％～20％”不能写成“10～20％”。     

数值范围的表示法

1.数值范围采用波浪号"～"。2.书写百分数范围,每个百分数后面的"%"都要重复写出。例如"10%～20%"不能写成"10～20%"。     

信息与动态

TFT LCD 5～ 8代线情况公　司代基板尺寸 (mm)万张 /月地点生产日期 (年 月 )夏　普 6.0 1 5 0 0× 1 80 0 1 .5龟山 2 0 0 4 16.0 1 5 0 0× 1 80 0 1 .5 2 0 0 4 78.0 2 2 0 0× 2 60 0 2 0 0 5 9LG Philips 5 .0 1 0 0 0× 1 2 0 0 6.0龟尾 2 0 0 2 55 .0 1 1 0 0× 1 2 5 0 6.0龟尾 2 0 0 3 36.0 1 5 0 0× 1 85 0 6.0龟尾 2 0 0 4 1 27.0 2 1 5 0× 2 2 5 0 6.0Paju 2 0 0 6 3Samsung 5 .0 1 1 0 0× 1 2 5 0 1 0天安 2 0 0 2 95 .0 1 1 0 0× 1 30 0 6.0 2 0 0 3 1 27.0 1 870× 2 2 0 0 6.0 2 0 0 5年初8.0 2 2 0 0× 2 4…     

公差表示法

1.参量与其公差的单位相同时,单位可以只写1次。例如:"12.5mm±0.2mm"可写为"(12.5±0.2)mm",但不得写作"12.5±0.2mm"。公差用百分数表示时,例如:"λ=550nm±2%"这种表示是     

“操纵杆”式触摸开关

Genex公司推出 DIP型和表面安装型的“操纵杆”式触摸开关。这种开关的尺寸为1 2 mm× 1 2 mm× 6.5 mm,采用了与操纵杆类似的开关装置 ,可上移、下移、左移、右移或置于中央。表面安装型的开关能经受 5 0 0 gf的操作力(中央推力 ;其它方向为 2 5 0 gf)。中央推动操作的位移为 1 mm(± 0 .2 mm) ,而操纵杆的移动角度为 8°(± 2°)。该型号产品的额定寿命为 1 0 0 ,0 0 0次。DIP型的“操纵杆”式触摸开关能经受35 0 gf的操作力 (中央推力 ;其它方向为2 5 0 gf)。操纵杆的移动角度为 5°(± 1°) ,而中央推动操作的位移为 0 .2 5 mm(± 0 …     

稳定的特高阻电阻器的研制

介绍一种体积小、性能稳定的特高阻电阻器的研制过程及其性能。电阻器阻值范围 :1～ 10 0 GΩ ;αR:(- 40～ - 90 0 )× 10 - 6 ℃ - 1 ;体积 :5 mm× 12 mm× 2 mm。     

公差表示法

1.参量与其公差的单位相同时,单位可以只写1次。例如:"12.5mm±0.2mm"可写为"(12.5±0.2)mm",但不得写作"12.5±0.2mm"。公差用百分数表示时,例如:"λ=550nm±2%"这种表示是错误的,应为"     

MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料

用 MBE方法制备的 PHEMT微结构材料 ,其 2 DEG浓度随材料结构的不同在 2 .0— 4.0× 1 0 12 cm- 2 之间 ,室温霍耳迁移率在 50 0 0— 650 0 cm2 · V- 1· s- 1之间 .制备的 PHEMT器件 ,栅长为 0 .7μm的器件的直流特性 :Idss～ 2 80 m A/mm,Imax～ 52 0— 580 m A/mm,gm～ 32 0— 40 0 m S/mm,BVDS>1 5V( IDS=1 m A/mm) ,BVGS>1 0 V,微波特性 :P0 ～ 60 0— 90 0 m W/mm,G～ 6— 1 0 d B,ηadd～ 40— 60 % ;栅长为 0 .4μm的器件的直流特性 :Imax～ 80 0 m A/mm,gm>40 0 m S/mm.     

一种新颖的DC～50GHz低插入相移MMIC可变衰减器

介绍了一种新颖的 DC～ 5 0 GHz低相移、多功能的 Ga As MMIC可变衰减器的设计与制作 ,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为 :在 DC～ 5 0 GHz频带内 ,最小衰减≤ 3 .8d B,最大衰减≥ 3 5± 5 d B,最小衰减时输入 /输出驻波≤ 1 .5 ,最大衰减时输入 /输出驻波≤ 2 .2 ,衰减相移比≤ 1 .2°/d B。芯片尺寸 2 .3 3 mm× 0 .68mm× 0 .1 mm。芯片成品率高达 80 %以上 ,工作环境温度达 1 2 5°C,可靠性高 ,稳定性好     

超小尺寸射频放大器

VMMK－2x03采用了WaferCap芯片级封装,尺寸大小为1mm×0．5mm×0．25mm。其拥有高增益、高IP3、低噪声指数并集成500输入和输出匹配电路来简化系统设计,涵盖500MHz～12GHz频率范围,这些小型化放大器可以应用在任何射频架构中的许多部分,例如移动设备、对讲机、传感器以及军事通信应用等。     

公差表示法

<正>1.参量与其公差的单位相同时,单位可以只写1次。例如:"12.5mm±0.2mm"可写为"(12.5±0.2)mm",但不得写作"12.5±0.2mm"。公差用百分数表示时,例如:"λ=550nm±2%"这种表示是错误的,应为     

滨江仪器厂提供真空计系列产品

型号名　称测量范围 / Pa 技术特点 外型尺寸mm×mmZDO- 1热偶真空计 2 0～ 0 .1指针电表读数 1 2 0× 2 4 0ZDO- 3数字式热偶计 1 0 5～ 0 .1数显、有两路自动控制 1 2 0× 2 80ZDR- 1宽量程真空计 1 0～ 1 0 - 6数显、带自动控制及 0～ 1 0 m V输出 1 2 0× 32 0ZDR- 1 T 宽量程真空计 1 0～ 1 0 - 6数显 ,带自控 ,带打印机 1 40× 440ZDR- 5中量程真空计 1 0 0～ 1 0 - 4指针电表读数 1 2 0× 2 4 0ZDR- 3超高真空计 1 0 - 1～ 1 0 - 8指针电表读数 1 40× 440ZDR- 8F 微机真空计 1 0 5～ 1 0 - 5数显 ,有四路控制 1 2 0× 440…     

公差表示法

1.参量与其公差的单位相同时,单位可以只写1次。例如:"12.5mm±0.2mm"可写为"(12.5±0.2)mm",但不得写作"12.5±0.2mm"。公差用百分数表示时,例如:"λ=550nm±2%"这种表示是错误的,应为"λ=550×(1±0.02)nm"。     

热成像摄像机

由BAE系统公司推出的SiGMA热成像摄像机配有一个带凝视焦点平面阵列的集成探测器致冷器组件。该摄像机具有被动红外成像功能 ,适于陆地、海洋和空间军事应用 ,可在白天、黑夜和能见度很差的条件下使用。该摄像机的外形尺寸为 1 75mm× 1 30mm× 1 0 0mm ,其工作光谱范围为3～ 5 μm或 8～ 1 0 μm ,分辨率为 640× 5 1 2个像元。 (No .2 2 )热成像摄像机     

新型非线性晶体--CsLiB6O10(CLBO)

CL BO是一种新型的非线性晶体。它的透明光谱范围宽 ( 1 75～ 2 80 0 nm) ,非线性系数高 ,是 KDP的 2 .2倍 ,离散角小。激光破坏阈值高 ,达 2 6 GW/cm2 ,倍频转换效率达 6 0 % ( SHG)。可以在室温工作 ,很适合 Nd:YAG激光器产生 4ω ( 2 6 6 nm)和 5ω ( 2 1 3nm)倍频光输出。最近我们生长出 70 mm× 2 5 mm CL BO单晶 ( 80 mm) ,光学质量已接近玻璃的水平 ,ΔN～ 1 .2× 1 0 - 5。我们用 CL BO单晶在调 Q的 Nd:YAG激光器上已成功地获得 2ω,3ω,4ω和5ω倍频激光输出。在锁模 Nd:YAG上 ,用 CLBO获得 SHG高达 6 0 %以…