NAND型快闪EEPROM与读出互换型256Mb掩模ROM

<正> NEC 电子器件公司开发出了 NAND 型快闪 EEPROM 和具有读出互换性的256Mb 掩模 ROM[μPD23C256112]。快闪 EEPROM 内置的小型存储器卡片,在音乐媒体和出版媒体中的用途将增加。所以对于该存储器互换 ROM 的需要越来越高。除了用于便携式信息设备和游戏软件、电子辞典的数据存储等固有用途之外,还用于音乐和图象的存储信息媒体。除了写入工作外,功能和电特性与 NAND 型快闪 EEPROM 相同。由于在端子布局上具有互换性,使快     

掩模ROM码点的反向提取

本文介绍了基于掩模ROM的计算机图象，通过测量定位、计算机辅助判定、多幅比较及ROM代码提取的过程，实现掩模ROM码点的反向提取，并涉及应用编辑中的具体实现方法。     

语音合成集成电路中掩模ROM的解决方案

在语音合成集成电路(IC)中,需要存储大量的程序和语音数据,因此内存储器的集成度、读取速度及可靠性成为影响一款芯片生产成本和性能参数的关键指标。存储器有很多分类,掩模只读存储器(ROM)以其较高的集成度和较低的成本在中低档消费类语音合成IC中有着较为广泛的应用。给出一种语音合成IC中掩模ROM的解决方案,分别介绍3个组成部分:存储单元阵列、地址译码器和读出放大器的设计实现。采用该方案可以有效提高掩模ROM的集成度、读取速度及可靠性,有效降低语音合成IC的生产成本、提高其性能和市场竞争力。     

首批数据处理用2Mb ROM投放市场

日本电气公司于1985年7月正式向市场投放世界上第一批用于数据处理的CMOS2Mb只读存储器(ROM),这种超大规模只读存储器有μPD 23 C 2000 C和μPD 23 C 2000 D两种型号,每片售价8000日元。     

基于二极管单元的高密度掩模ROM设计

针对传统ROM(Read-Only Memory)存储密度低、功耗高的问题,该文提出一种采用二极管单元并通过接触孔编程来存储数据的掩模ROM。二极管阵列采用双沟槽隔离工艺和无间隙接触孔连接方式实现了极高的存储密度。基于此设计了一款容量为2 Mb的掩模ROM,包含8个256 kb的子阵列。二极管阵列采用40 nm设计规则,外围逻辑电路采用2.5 V CMOS工艺完成设计。二极管单元的有效面积仅为0.017m2,存储密度高达0.0268 mm2/Mb。测试结果显示二极管单元具备良好的单元特性,在2.5 V电压下2 Mb ROM的比特良率达到了99.8%。     

4 Mb EEPROM

日本东芝公司研制的称为负“与”型4MqEEPROM(电可擦可编程只读存储器)达到了实用化的目标。其芯片尺寸(7.23×15.31mm,电路线宽1μm)比以前约缩小30％,芯片上共集成了400万个存储元件,所占面积比为45％(以前为23％),大幅地     

Ramtron提升FRAM存储器容量至4Mb

由于具有非易失、快速存取、低功耗、可无线擦写等特点, FRAM(铁电存储器)在业内素有完美存储器的称号,并已在要求严格的汽车、测量、工业及计算等领域中实现了商业化应用。近日, Ramtron公司推出业界首个4Mb FRAM存储器FM22L16,其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。     

NEC公司再次增加4Mb DRAM的产量

据《日经电子学》杂志（日文）1995年第628期报道，NEC公司已把4MbDRAM生产规模从现在的月产1200万块提高到1300万块。该公司1994年春季月产规模定在110O万块。而到1994年底已上升到1200万块。由于个人计算机的销售看好，4MbDRAM需要量增加。目前，4MbDRAM的月产量，日立制作所排在首位。NEC公司再次增加4Mb DRAM的产量@一凡     

可高用的4Mb MRAM存储器

具有高耐用性，读写周期为35ns 磁阻随机存取存储器（MRAM）MR2A16A的容量为4Mb，在断电后不会丢失数据，采用跳变位写入模式，是替代用电池做后备电源的SRAM单元的理想产品。MR2A16A还可用于高速缓存、配置存储器以及其他需要MRAM的速度、灵活性和稳定性的应用。     

三星电子、LPL导入4个掩模工艺技术

为了降低成本，三星电子、LPL等韩国TPT LCD厂商纷纷致力于缩减TFT工艺中的掩模（Mask）照射次数。三星电子表示，将把目前采用5个掩模工艺的第七代线全部转换为4个掩模工艺，其第二座七代线（7-2 Line）已在上个月完成工艺转换，第一座七代线（7-1 Line）也将开始进行相关作业。三星电子是在去年11月采用低抵抗的铝合金成功研发出4个掩模工艺。     

掩模测量

<正> 掩模套准测量系统用来鉴定将要出厂的掩模版的质量,以确保使用者的技术要求。掩模检测程序和合格/不合格的条件通常都已定好,一般情况下,应从以下几方面考虑版的验收方案:1.掩模图形位置误差及对片子成品率的影响;2.掩模的技术条件及对掩模成本和制造周期的影响;3.每张掩模版或初缩版上芯片图形的数目;4.每套掩模曝光处理硅片的数目;5.采样图形及代表整张掩模上图形总位置误差的采样图形精度;6.在作出合格/不合格决定时可接受的冒险程度。     

摩托罗拉展示首个4Mb硅纳米晶体存储器

摩托罗拉公司日前展示了全球首个基于硅纳米晶体的 4 Mb存储器件。这一全功能 4 Mb测试样片的出现 ,标志着半导体工业在开发浮栅式闪存的替代品道路上 ,实现了历史性的突破。据该公司研究人员介绍 ,通过测试他们相信 ,同浮栅式闪存相比 ,硅纳米晶体存储器体积能做得更小、稳定性更高 ,同时也更节能。硅纳米晶体存储器属于先进的“薄膜存储器”中的一种。摩托罗拉已经开发出相关技术以简化这些存储器件的制造。通过采用常规的硅积沉技术设备 ,摩托罗拉 Digital DNA实验室的研究人员在两层氧化物之间积沉了直径为 5纳米的球形硅纳米晶体。…     

Verizon建4G无线网络100Mb／s高速下载

美国第二大移动运营商Verizon近日表示,正在计划构建下一代无线网络,并且将与沃达丰进行合作,该网络将基于LTE技术,最大下行速度可以达到100Mb/s,并称LTE网络将于明年某一时间开始测试。这一举措可能会带给Verizon和沃达丰新的利润增长点。     

全自动掩模准直仪

本产品是薄模磁头、磁心存储器(MCM)、晶片用的高精度全自动掩模准直     

灰度掩模技术

二元光学被誉为“１９９０年代的光学技术”,在国防、科研、生产等领域都显示出广阔的应用前景。衍射光学元件有很多制作方法,比较成熟的有二元光学元件加工方法和激光或电子束直写技术加工方法。二元光学元件加工方法存在周期长、成本高且对准较困难的特点。激光或电子束直写技术所需设备比较昂贵,只适合高精度单件生产。介绍了近来发展起来的另一种比较有前任的加工方法一灰度掩模法,并展望了其发展前景。     

乳胶掩模工艺技术

在半导体工业中,大约75%的生产用的光刻掩模是采用高分辨率光刻版。高分辨率掩模成本低的优点抵销了它相对于硬表面掩模(铬以及氧化铁等)来说成品率低和寿命短之不足。不断地研究出提高光刻掩模的成品率和降低成本的方法。本文介绍了乳胶掩模工艺以及干燥枝术方法和设备的目前情况。工艺和干燥是提高掩模成品率的最重要方面。     

利柯公司研制高速存取时间的4M屏蔽ROM

利柯公司已研制成低压高速工作的4M屏蔽ROM“RS534340F”，并从1994年4月开始销售。现在开发的屏蔽ROM采用0．sqmCMOS工艺。由于开发在独特分段法和宽范围工作的读出放大器，电源电压为3．3V土0．3，已实现最大存取时间为150us，另外，工作电流为50mA，同时也实现待机时耗散电流为30if人总线宽度是x8／x16替换方式。最适宜的用途是电流驱动的信息通信机。封装为40条腿的PSOP，样品价格为10D0日元，开始生产规模，日产为IO万块。利柯公司研制高速存取时间的4M屏蔽ROM@一凡…     

掩模检查设备

<正> LSI、VLSI正以飞快的速度向微细化、高集成化方向发展着,目前已从批量生产的64K位DRAM向256KDRAM逼近。随着设计规划的缩小,将光掩模(以下简称掩模)图形转印到硅片上的光刻方法也正从接触式曝光向投影式曝光乃至缩小投影的步进曝光方式迅速变化着。     

透明掩模工艺

可视透明掩模大大简化了许多光刻技术,但它对蓝色和紫外线光谱范围的照射基本上不透明。对于掩模必须与曝光部分对准的工艺,这种掩模尤为适用。制造这种掩模有几种方法,然而大多数的方法有一个或几个如下的缺点:(a)在蓝色和紫外线光谱区中的限界浓度。(b)在绿色和红色光谱区中的高浓度。(c)制作掩模需要严密的工序。(d)有些工序需要特殊的设备,这些设备在典型的暗室内不能使用。(e)多数掩模基本上要比黑白掩模成本高。(f)某些工序还限制在小尺寸的掩模范围内。