Y2O3-SiO2∶Eu3+,Bi3+荧光材料的结构及性能研究

用溶胶-凝胶法(Sol-gel法)低温合成了Y2O3-SiO2∶Eu3+,Bi3+红色发光粉.X射线实验研究发现,850℃时,样品晶体结构为Y2SiO5,属单斜晶系(a=9.012,b=0.979,c=6.630),空间点群为PI1/C;SEM实验显示发光体为不规则片层结构;粒度分析表明发光体粒度分布均匀,平均粒度为0.79μm;T≥600℃时,发光体出现温度猝灭现象.     

冷冻干燥法制备(Y2O3·MgO)-ZrO2超细粉

采用冷冻干燥法合成了Y2 O3,MgO共掺杂的ZrO2 均匀超细粉。通过TG DTA ,XRD ,TEM和粒度分布仪等检测手段对产品进行了表征。结果表明 :Y2 O3含量为 2 %,MgO含量为 9%(摩尔分数 )时 ,在 5 5 0℃得到了全稳定立方相ZrO2 ,样品的均匀性较好 ,表面活性较高 ,粒径约为 2 3 .2nm。     

反向共沉淀法制备Y2O3-ZrO2陶瓷粉末

鉴于在ZrO2中加入Y2O3做稳定剂可有效提高ZrO2陶瓷的高温相稳定性,以ZrOCl2.8H2O和YCl3为原料,聚乙二醇(PEG)为分散剂,采用反向共沉淀法制备出Y2O3-ZrO2陶瓷粉末.利用XRD、SEM、DSC-TG、BET和激光粒度衍射对Y2O3-ZrO2粉末进行性能表征.结果表明:Y2O3-ZrO2粉末在800 ℃煅烧后的平均晶粒尺寸为25.2 nm,采用喷雾干燥得到的粉末球形度好,粒度分布窄;加入适量分散剂能较好地抑制颗粒团聚.     

Li4SiO4-Y2O3的溶胶-凝胶法合成及离子导电性研究

用溶胶—凝胶法制备了 L i4Si O4- x Y2 O3 (x=0～ 0 .5 )离子导体材料 ,并用 DTA- TG、XRD及交流阻抗等技术对样品进行了测试 ,结果发现 :用溶胶—凝胶法可降低 L i4Si O4的合成温度并可提高离子的导电性 ,适量Y2 O3 的掺入可增强基质的致密性 ,并可提高材料的导电性能     

Y_2W_3O_(12)和Yb_2W_3O_(12)的制备及其负热膨胀性能

利用液相沉淀法制备了Y2W3O12和Yb2W3O12粉体。经室温XRD测定,Y2W3O12(空间群为Pnca)和Yb2W3O12(空间群为Pbcn)皆为单一的正交相。在50-800℃温度区间对两种粉体进行高温XRD测试,并利用软件TOPAS3.0对其在不同温度下的XRD图谱进行精修,发现Y2W3O12和Yb2W3O12都具有较大的负热膨胀特性,经计算两者的线热膨胀系数(αl)平均值分别为-6.38×10-6℃-1和-4.18×10-6℃-1。与高温固相反应法相比,液相沉淀法大大缩短了粉体的合成周期,降低了合成温度。     

溶胶-凝胶法制备Y_2Zr_2O_7:Tm~(3+)及其发光性能研究

以柠檬酸为络合剂采用溶胶-凝胶法制备了(Y1-xTmx)2Zr2O7(x=0.005,0.01,0.03,0.05)荧光粉.采用X-射线衍射分析仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱仪分别检测了Y2Zr2O7∶Tm3+的晶体结构、颗粒形貌以及样品的荧光光谱.XRD图谱表明,所得到的产物Y2Zr2O7∶Tm3+为单一相的萤石结构,而且Tm3+的掺杂并没有改变其晶体结构.荧光光谱的测试表明,在359 nm波长的紫外光激发下,1000℃下烧结的(Y1-xTmx)2Zr2O7(x=0.01)样品的发光性能最好,发射峰对应于Tm3+的1D2→3F4跃迁和1G4→3H6跃迁,并对其发光机理进行了探讨.样品在454nm处的发光强度随Tm3+离子掺杂浓度的增加先升高后降低,即出现了浓度猝灭的现象,当Tm3+掺杂浓度摩尔百分比为1%时,样品的发光强度达到最大.     

常温碳酸盐法合成高纯纳米Y2O3

直接采用工业中间体YCl3为原料,以非离子表面活性剂配制超微反应器,碳酸钠为沉淀剂合成得到纯度、粒度可控的单分散纳米Y2O3微粒.合成的Y2O3 纳米微粒为球状,统计平均粒径为30nm,纯度可达99.99%,比表面为60m2/g.研究表明原料浓度、表面活性剂浓度和煅烧方法影响Y2O3粒度大小和分散性.原料浓度在0.1mol/L～0.6mol/L,表面活性剂浓度1.2×10-3～6×10-3mol/L,梯度升温至700℃时,可得到纳米级Y2O3粉末.     

High Temperature Oxidation Behavior of La2O3-MosSi3/MoSi2 Composites

The oxidation behavior of 0. 8% La2O3- Mo5Si3/MoSi2 composites at 1200℃ in air was investigated. The results reveal that the oxidation resistance of the material with 0. 8% La2O3 and Mo5Si3 is impaired. The oxidation resistance is decreased with increasing Mo5Si3 content. The mass loss follows a linear law in the initial oxidation. With oxidation time prolonging, a continuous and dense oxidation scale prevents oxygen from diffusing increasing when and leads to mass change a Mo5Si3 content is less than 30%. However, the composite shows ＂PEST＂ with the addition of 40% Mo5Si3. With increasing Mo5Si3 content, the oxidation resistance of 0.8% La2O3- Mo5Si3/MoSi2 decreases. This attributes to the poor oxidation resistance of M05Si3 and the relative density decreasing of 0. 8% La2O3-Mo5Si3/MoSi2 composite.     

喷雾热分解法制备Yb2O3超细粉末

Yb(NO3)3·6H2O的差热和热重分析表明,Yb(NO3)3·6H2O经脱水和热分解在460℃以上完全分解为Yb2O3。在此基础上,以Yb(NO3)3·6H2O为前驱体采用喷雾热分解法制备出粒度为050～150μm的单相立方晶系球形Yb2O3粉末。本喷雾热分解法同样适用于其他稀土超细粉末的制备,粒子粒径可以通过调节液滴尺寸和溶液浓度等操作条件进行控制。     

Al2O3界面钝化与热处理对Gd2O3-HfO2高κ薄膜电性能影响

采用磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2( GDH)高κ薄膜,制备了GDH/Si和GDH/Al2O3/Si两种堆栈层.结果表明Al2O3界面钝化使漏电流密度降低了两个数量级,并改善了回滞窗口和平带电压的偏移.高温N2退火对堆栈层电学性能影响明显:随着温度的增加,界面性能逐步改善,退火温度为900℃时,回滞窗口小于20 mV,积累区趋势平缓并且单位面积电容值增大,薄膜介电常数为20.     

Gd3+,Eu3+在介孔Y2O3中的能量传递

通过模板法与溶胶-凝胶法相结合,在温和的条件下制备了介孔Y2O3.再采用水热反应法制得Eu3+、Gd3+单掺杂及Eu3+,Gd3+双掺杂的三种介孔Y2O3组装体(介孔Y2O3∶Eu3+,介孔Y2O3∶Gd3+,介孔Y2O3∶Eu3+,Gd3+).利用广角和小角X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)对介孔Y2O3进行了表征,结果表明,所制备的介孔Y2O3为立方相,具有六方孔道结构,孔径约10nm.对介孔Y2O3和组装体系进行了荧光光谱(PL)分析,发现在550℃热扩散处理后,介孔Y2O3∶Eu3+的发光存在基质对Eu3+的能量传递,Y2O3∶Eu3+,Gd3+体系中Gd3+对Eu3+也有能量传递作用.     

B2O3对CaO-Al2O3-SiO2-MgO-CaF2五元精炼渣系熔化特性的影响

通过半球点法研究了B2O3对40．5％-70．0％CaO-19％～45％Al2O3-SiO2-MgO-CaF2五元渣系熔化温度和完全熔化时间的影响。实验结果表明，当渣中CaO含量为40．5％～60％，CaF2 2％-10％，（B2O3％）／（CaF2％）为0．17—0．33时，渣系的熔化温度较不加B2O3的五元渣平均降低30℃，完全熔化时间平均降低49s。合适的多元脱硫精炼渣系的成分为60％CaO，19％-30％Al2O3，≤10％（MgO＋SiO2），2％～6％CaF2，（B2O3）／（CaF2）=0．17。     

静电纺丝技术制备Y2O3∶Eu3+ 纳米纤维

采用静电纺丝技术制备了PVP/[Y(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纳米纤维,研究了反应体系的最佳组成,系统地讨论了静电纺丝工艺的影响,获得了最佳制备条件.将PVP/[Y(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纳米纤维在900℃焙烧10h,获得了晶态的Y2O3∶Eu3+ 纳米纤维.XRD分析表明,PVP/[Y(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纤维为无定型,Y2O3∶Eu3+ 发光纳米纤维属于体心立方晶系,空间群为Ia3.SEM分析表明,PVP/[Y(NO3)3+Eu(NO3)3]复合纳米纤维表面光滑,平均直径约为150nm;Y2O3∶Eu3+ 发光纳米纤维的直径约为50nm.     

MoSi_2-Mo_5Si_3复合材料的烧结工艺

系统研究了MoSi2 -Mo5Si3复合材料的烧结工艺。结果表明 ,MoSi2 -Mo5Si3复合材料理想的烧结温度为 1 40 0～ 1 50 0℃ ,保温时间为 1 .0～ 1 .5h ,当Mo5Si3含量为 1 6%时 ,MoSi2 -Mo5Si3复合材料具有最大的相对密度和硬度。     

Y2O3对NiCr-Cr3C2金属陶瓷涂层热腐蚀性能影响行为研究

本文利用超音速火焰喷涂技术(HVOF),在20G钢表面制备了掺杂1wt.%、3wt.%、5wt.%三种不同含量Y2O3的NiCr-Cr3C2金属陶瓷复合涂层,并探究了其在650℃,Na2SO4/K2SO4熔盐环境中的热腐蚀性能。利用扫描电镜(SEM)、显微硬度计、拉伸试验机等对涂层的微观结构和力学性能进行了表征,利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱、X射线能谱仪(EDS)对复合涂层热腐蚀产物形貌、物相进行分析。结果表明掺杂1wt.%Y2O3的NiCr-Cr3C2复合涂层结构致密、孔隙率低、结合强度高,显微硬度达到801HV。热腐蚀过程中掺杂Y2O3的NiCr-Cr3C2复合涂层表面均生成耐蚀性良好且致密的Cr2O3膜。随着Y2O3掺杂量的增加,涂层的耐热腐蚀性能先升高后下降,当Y2O3掺杂量为1wt.%时,复合涂层表现出最佳的耐热腐蚀性能。     

均匀沉淀法合成纳米Y2O3研究

以硝酸钇为原料,尿素为沉淀剂,低分子量聚丙烯酸钠为分散剂,研究了采用均匀沉淀法合成纳米Y2O3的工艺过程.制备条件为钇离子浓度0.3mol/L; 尿素与硝酸钇的摩尔比为41;分散剂聚丙烯酸钠的用量为1%(体积分数);反应时间4h,反应温度95℃;煅烧温度为850℃,煅烧时间3 h.制备得到粒径为32nm、无团聚、粒径均匀的纳米Y2O3.     

注射成形AIN-Y2O3陶瓷的结构与性能

采用粉末注射成形方法制备了具有高导热性能的AIN陶瓷导热材料,研究了烧结温度对注射成形AIN陶瓷致密化的影响,及不同Y2O3含量对注射成形AIN陶瓷的晶界第二相、热导率和显微结构的影响.结果表明:在本实验条件下,当烧结温度在1850℃时,AIN的相对密度达到99.5%;Y2O3的添加量对AIN的晶界第二相的影响和传统AIN制备工艺中有较大的不同,在Y2O3含量为3%(质量分数,下同)时有多余的Y2O3成为晶界相,这主要是注射成形工艺中引入大量的残碳造成的.AIN晶界第二相的组成和分布对其热导性能有很大的影响,注射成形AIN陶瓷工艺中影响AIN热导率的关键因素是晶界第二相的分布和氧离子是否扩散进入晶格中.当Y2O3添加量为5%时,AIN中的晶界第二相主要为YN和Y2O3,样品具有最高的热导率167.5 W(m·K).     

Photoluminescence of SrGdGa_3O_7∶RE (RE=Ce~(3 ), Pr~(3 ), Tb~(3 )) under VUV-UV Excitation

SrGdGa3 O7belongstothelargefamilieswhosegeneralchemicalformulaisAMM′3 O7(A =Ca ,Sr ,Ba ;M =La ,Gd ,Y ;M′ =Al,Ga) .Thesecom poundshavemelilitestructure .Structuralinvestiga tionsindicatethatSrGdGa3 O7formstetragonalcrystalswithspacegroupP 4 2 1m .Theunit…     

微波辐射法制备Y2O3:Eu3+红色荧光粉

通过正交试验确定了微波辐射法合成Y2O3:Eu3+红色荧光粉的最佳工艺条件,即升温速率20℃/min,煅烧温度1 240℃,保温时间60 min,此条件下所制备样品的相对亮度达107.0%.对样品进行物相、粒度及光谱分析,结果表明该样品为单一纯相Y2O3,粉末粒度均匀,D50为3.28μm,其最大发射光谱峰位于607 nm处,色坐标为x=0.653 3、y=0.342 4.     

液相烧结非晶纳米氮化硅陶瓷粉体结晶与相变行为研究

以Y2 O3 和Al2 O3 纳米陶瓷粉体作为烧结助剂 ,液相烧结非晶纳米Si3 N4陶瓷粉体 ,研究了不同温度下烧结体的结晶与相变行为。 1 5 0 0℃烧结 ,烧结体为非晶与晶体混合态 ,结晶相主要为α Si3 N4和 β Si3 N4,结晶度达到 70 %。温度超过 1 6 0 0℃以后 ,烧结体已经完全结晶 ,为 β Si3 N4和Si2 N2 O双相陶瓷。当温度达到1 6 5 0℃ ,Si2 N2 O的体积分数达到最大值 ,说明烧结体中的O2 与Si3 N4已经反应完全。烧结温度超过 1 70 0℃时 ,Si2 N2 O的体积分数开始减小 ,烧结体中没有SiO2 出现 ,证明反应 2Si3 N4(s) +1 5O2 (g) =3Si2 N2 O(s) +N2(g)为可逆反应。 1 6 0 0℃烧结体的典型结晶形貌分析表明 :粒径尺寸基本分布在两个区域 ,大部分较大晶粒粒径在 1 5 0～ 2 5 0nm之间 ,小部分晶粒粒径 <1 0 0nm ,个别晶粒的长径比达到 1 5。