包覆型BN-AIN复合粉体研究

利用包覆法，首先通过将AIN粉体均匀分散到硼酸（H3BO3）和尿素（CO（NH2）2）的无水乙醇溶液中，制备出与硼酸和尿素均匀混合的AIN粉体。然后在氮气氛下，经过氮化处理来制备BN-AIN的复合粉体。DTA／TG分析显示，氮化反应从800℃开始，到1100℃时结束。XRD和TEM分析发现，复合粉体是由非晶态的BN均匀包覆AIN的复合颗粒组成。     

原位选择氮化法制备纳米t-ZrO2-TiN复合粉体

以含锆、钇、钛的化合物为起始原料,采用共沉淀法制备了组成均匀的纳米ZrO2(3Y)-TiO2复合粉体.用氨气为氮化剂,在一定的氮化条件下,进行原位选择氮化反应.对不同氮化温度、氮化时间合成的复合粉体用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、场发射扫描电镜(FESEM)等方法进行了表征.研究了氮化温度、氮化时间对合成复合粉体性能的影响.结果表明在800℃～1 450℃氮化5 h,复合粉体中的TiO2氮化成为TiN,t-ZrO2未被氮化,从而制得1种氮化钛均匀分散于四方氧化锆中的纳米t-ZrO2-TiN复合粉体,复合粉体的粒径在纳米尺度范围.     

铁包覆T-ZnOw复合粉体的制备及其性能研究

采用化学包覆法,以氨水为沉淀剂,在碱性体系中制备了Fe(OH)3包覆T-ZnOw复合粉体,在600℃下通氢气还原获得了Fe/T-ZnOw包覆复合粉体.用XRD,SEM和EDX对粉体进行表征,结果表明:复合粉体存在金属铁相和T-ZnOw相,T-ZnOw四针保持完整,表面包覆完整,铁颗粒为球形,颗粒细小均匀,并T-ZnOw表层外有部分散落铁颗粒,颗粒粒径约为3 μm.用VSM分析测定粉体的磁饱和强度和矫顽力,分别为32.10 emu/g和140.5 Oe.     

AlN粉体表面抗水解涂层的制备及其对AlN陶瓷热导率的影响（英文）

提升AlN陶瓷粉体的抗水解性能对于其储存和成型加工至关重要。使用一种抗水解涂层作为阻止水分与AlN表面接触的屏障,以提升AlN粉体的抗水解性能。采用化学沉淀工艺在AlN粉体表面制备均匀、全包覆的非晶Y_2O_3涂层。利用TEM、XPS和Zeta电位测试详细研究了包覆层的有效性和完整性。通过测试室温下水基AlN悬浮液的pH-时间曲线以研究AlN粉体的水解性能。结果表明,经包覆处理的AlN粉体能够在水中保持稳定至48 h,这说明Y_2O_3表面包覆处理可以有效钝化AlN粉体,从而避免了其水解反应的发生。此外,与球磨工艺引入烧结助剂相比,化学沉淀工艺有利于提升Al N陶瓷的热导率。     

ZrO2p包覆BN纳米涂层的固相反应合成及作用效果

采用固相反应合成工艺在纳米ZrO2颗粒(ZrO2p)上进行BN包覆处理,通过SEM,TEM,DSC等手段对颗粒包覆情况及其作用效果进行研究.表明以H38O3,CO(NH2)2为原料,二者摩尔比为13、按BN与ZrO2的体积比为31设计,于750℃下氮化处理,可在ZrO2纳米颗粒上成功包覆厚度约10～50 nm的非晶BN纳米层.复合粉体的热分析和热压烧结制备的ZrO2p/BN-SiO2复合陶瓷材料组织观察证实,该涂层可有效阻止ZrO2与SiO2之间发生反应.     

AlN粉体表面抗水解涂层的制备及其对AlN陶瓷热导率的影响

提升AlN陶瓷粉体的抗水解性能对于其储存和成型加工至关重要。使用一种抗水解涂层作为阻止水分与AlN表面接触的屏障,以提升AlN粉体的抗水解性能。采用化学沉淀工艺在AlN粉体表面制备均匀、全包覆的非晶Y₂O₃涂层。利用TEM、XPS和Zeta电位测试详细研究了包覆层的有效性和完整性。通过测试室温下水基AlN悬浮液的pH-时间曲线以研究AlN粉体的水解性能。结果表明,经包覆处理的AlN粉体能够在水中保持稳定至48 h,这说明Y₂O₃表面包覆处理可以有效钝化AlN粉体,从而避免了其水解反应的发生。此外,与球磨工艺引入烧结助剂相比,化学沉淀工艺有利于提升AlN陶瓷的热导率。     

超声波辅助化学镀法制备CoAl_2O_4尖晶石粉体

采用超声波辅助化学镀法在室温条件下制备了Co/Al2O3复合粉体,1200℃下热处理1.5h获得了CoAl2O4尖晶石粉体。用扫描电镜、透射电镜和X射线衍射测定了粉体的微观形貌、成分和相组成;用差热分析法确定了粉体的尖晶石转变温度。结果表明:镀覆制备的Co/Al2O3复合粉体由金属钴和Al2O3两相组成,金属钴相包覆Al2O3相,Co包覆层在Al2O3颗粒表面分布均匀且结构较疏松;复合粉体的尖晶石转变温度为850℃左右;转变后获得的粉体也是一种复合粉体,由Al2O3和CoAl2O4两相组成,由粉体的生长机制可预见,它是以α-Al2O3为核心CoAl2O4尖晶石包覆在其表面的结构。     

纳米晶氮化铝粉料的制备

采用溶胶-凝胶工艺结合碳热氮化还原法进行纳米晶AlN粉末的制备和表征.以异丙醇铝((C3H7O)3Al)、蔗糖、尿素((NH2)2CO)为原料,通过控制硝酸和水的加入量,制备出透明的溶胶,经浓缩后得到透明的凝胶,干燥后得到分子水平混合的铝源和碳源的前驱体,经裂解、碳热氮化还原法制备出纳米晶AlN粉末.系统研究了C/Al比、添加尿素、碳热氮化还原反应的温度和时间等因素对合成粉料特性的影响,并进一步优化了制备工艺参数.采用XRD、BET等对合成产物的特性进行了分析和表征.通过原料组成、工艺参数的优化,制备出高纯纳米晶AlN粉末,其晶粒尺寸可达23 nm,除碳后比表面积可达70m2/g.     

W-Ni/TiC复合材料的制备与组织

采用化学活化预处理对Ti C粉体进行镀前预处理,预处理后通过化学镀制备Ni-W包覆Ti C复合粉体,再将2%Ni-W包覆Ti C复合粉体与W粉混合,采用不同压力压制后烧结获得了W-Ni/Ti C复合材料。通过扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析仪(EDS)观察和分析了Ti C陶瓷粉体预处理前后形貌、包覆后复合粉体的形貌和成分、以及不同压力压制W-Ni/Ti C烧结体形貌和成分,探讨了Ni-W包覆Ti C复合粉体和W-Ni/Ti C复合材料形成过程,压制压力对烧结体的影响规律。结果表明,化学镀方法能够制备Ni-W包覆Ti C复合粉体,粉体包覆均匀性良好,所获得的W-Ni/Ti C复合材料与相同工艺下烧结的纯钨相比具有较好的致密性,且随着压制压力的增大,致密性更高。     

原位直接氮化法制备片状AlN粉体

片状AlN粉体作为热界面材料的填料应用前景广阔，但制备工艺难度大、成本高限制了其实际应用。本文以球磨处理后得到的片状Al粉为铝源，在氮气气氛中通过原位直接氮化法成功制备出由等轴状微米颗粒结合而成的片状AlN粉体，并研究了球磨处理、氮化温度和升温速率对产物物相组成及显微形貌的影响。结果表明，球磨处理可增强Al粉的反应活性、提升氮化速率。升高氮化温度可提升Al粉的氮化率，但过高的氮化温度则会导致产物无法保持片状形貌；提高升温速率会增大等轴状微米颗粒的粒径。当氮化温度为640℃、升温速率为5℃/min时，制备的片状AlN粉体表面最为致密、平整，有望作为热界面材料的填料使用。