根据枝晶优先生长方向计算铸造合金的晶体位向

根据枝晶优先生长方向与磨面之间的几何关系 ,导出了铸造合金试样任意三个相交磨面的晶面指数算式 ,并创建了两个含有不同算式的电子表格 ,分别可实现晶体位向及定向切割所需夹角的自动计算 ,使晶体位向的测算比常用的 X射线 Laue背射法简单、代价低、效率高。实例验算并通过与 X射线 L aue背射法测定结果及其它有关数据的比较分析表明 ,本文建立的方法计算结果可靠。     

一种测算单晶铸造合金取向的程序及其应用

基于迹线分析法，开发了一种不需衍射花样的铸造合金晶体取向测算程序。应用该程序，对镍基高温合金CMSX-2测算了单晶试棒生长方向与[001]晶向之间的夹角，以及定向切割所需的夹角。与X射线劳厄背射法及菊池花样分析等方法的计算值进行比较，本方法及相关程序的测算结果可靠，其应用表现出更多的优点。     

用球形单晶体研究干涉色与晶体位向的关系

通过对工业纯铁的球形单晶体试样化学染色，全方位地显示了各种位向表面的干涉色及各干涉色在球面上的对称分布特征，经Ｘ射线背射芳厄法位向分析标定出各干涉色与晶体位向的对应关系，绘制出相位化染图案的单位赤面投影三角形，结果表明，单晶体金属表面上的每一种干涉色对应于一定范围内的许多不同位向。球面化染图案具有与被染色金属晶体的结构桢的对称性，可用于晶体的定量测定。     

丹江口大坝混凝土水泥石—集料界面结构研究

本文用扫描电镜，Ｘ射线衍射仪，Ｘ射线能谱和化学分析对丹江口大坝混凝土中水泥石集料界面结构进行了观察分析，提出了将该界面分为平行界面的三层界面结构模型并进行了讨论，推了钙矾石晶体与Ｃ－Ｓ－Ｈ晶体未相互穿插生长，同时，指出了界面区仍有大量中，初期Ｃ－Ｓ－Ｈ晶体存在。     

X射线显微术与纳米探测

本文介绍了Ｘ射线显微术、Ｘ射线激光全息及用晶体晶格作为长度标准的Ｘ射线干涉测量术在纳米探测中的应用     

超高真空CVD生长锗硅外延层的应变驰豫

用超高真空ＣＶＤ技术在７８０℃生长了锗硅外延层及组分渐变缓冲层，并利用双晶Ｘ射线衍射仪研究了缓冲对外延层晶体质量的影响。结果表明，衬底与外延之间生长了组分几乎线性渐变的缓冲层，提高了外延层的晶体质量。     

纳米晶体Fe2O3点阵参量的研究

对γ相和α相纳米晶体Ｆｅ２Ｏ３的系列样品进行了Ｘ射线衍射点阵参量实验研究和计算。结合所得到的晶粒度和微结构参数，发现纳米晶体Ｆｅ２Ｏ３的晶粒组元中存在着晶格畸变；随着温度的升高，γ和α相纳米晶体Ｆｅ２Ｏ３的点阵参量呈现出了明显的变化，其晶格畸变与晶粒度和温度有较密切的关联。     

高温超导材料织构的定量分析方法

针对高温雪导材料Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）谱上衍射峰大量重叠及明显宽化的现象，使用位敏探测器及织构定量分析的改进最大熵法，准确地进行高Ｔｃ材料织构的定量分析。实验指出：使用上述方法的织构定量分析软件，可从大量重叠极图获得准确的织构信息；使用带有位敏探测器的Ｘ射线射仪，可以提高重叠极图测量的准确度，减少复杂材料（低晶体对称具有重叠衍射峰或复相材料）织构定量分析难度．     

形状记忆Fe—Mn—Si合金中马氏体相变和扭转形变的恢复

研究了Ｆｅ－２９．４４Ｍｎ－６．２０Ｓｉ合金中的ｒ→←ε相变和顺磁性→→反铁磁性转变（以下简称磁转变）。用电阻测量跟踪了此过程。用Ｘ射线珩射法（ＸＲＤ０作了相分析。硅急剧增加六方相的电阻率，ε→ｒ相变表现为电阻降低，ｒ→ε转变表现为电阻升高。ＸＲＤ表明，淬火后样品除ｒ相外有少量六方ε相。扭转形变恢复率与形变量和形变前无热诱发马氏体存在有很大关系。     

氮化碳薄膜的X射线衍射分析

研究了生工在硅片，合金钢片上的氮化碳薄膜的Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ），实验结果表明在硅片上先生长Ｓｉ３Ｎ４过渡层和对样品进行热处理，有利于β－Ｃ３Ｎ４晶体的生成，不同晶面的硅衬底，生长Ｃ３Ｎ４薄膜的晶面不同，合金钢片上Ｃ３Ｎ４薄膜，出现七个β－Ｃ３Ｎ４衍射峰和六个α－Ｃ３Ｎ４衍射峰，这些结果与β－Ｃ３Ｎ４和α－Ｃ３Ｎ４的晶面数据计算值相符合。     

合肥光源XAFS光束线和实验站真空控制系统

国家同步辐射实验室（ＮＳＲＬ）现已装备一台６Ｔｅｓｌａ单周期超导扭摆磁铁（Ｗｉｇｇｌｅｒ），把合肥同步辐射光源的可用范围延伸到Ｘ－射线，以满足部分Ｘ－射线用户的要求。由Ｗｉｇｇｌｅｒ光源引出的３条光束线，分别用于Ｘ－射线吸收精细结构（ＸＡＦＳ），生物大分子晶体多波长反常衍射（ＭＡＤ），Ｘ－射线深度光刻（ＬＩＧＡ）和高分辨Ｘ－射线衍射（ＨＲＸＤ）的研究。本文主要介绍首建的ＸＡＦＳ光束线及其实验站的真空联锁保护与控制系统，概述了光束线前端区的真空保护，解析了光束线真空联锁保护的关键部件—快阀及其控制器，给出了该光束线真空联锁保护与控制的要点以及逻辑控制。     

多晶材料X射线衍射无标样定量方法

Ｘ射线物相定量的结果对多晶样品的结构和织构十分敏感．一般的Ｘ射线定量方法都需要在样品中添加标样并均匀混合研磨，因而容易引起很大的误差．近年来，无标样Ｘ射线定量方法得到了很大的发展．无标样定量方法克服了一般有标样Ｘ射线定量方法需要混合研磨和手续烦复的缺点．本文总结了三类ｘ射线衍射无标样定量方法：理论参数计算法、全谱图拟合法以及联立方程法．给出了提高各种无标样法定量精度和可靠性的方法．     

Mo／Si和Mo／B4C软X射线多层膜的界面热稳定性研究

用磁控射法制备Ｍｏ／Ｓｉ多层膜和Ｍｏ／Ｂ４Ｃ多层膜，并在真这中加热３０ｍｉｎ，温度为２００，４００，６００，８００和１０００℃。用小角Ｘ射线衍射法和透射电镜研究不同温度下加热的样品。实验结果表明，当加热温度达６００℃时，Ｍｏ／Ｓｉ多层膜周期被破坏。     

同步辐射X射线反射技术及其在测量δ掺杂晶体中原子表层深度分 …

Ｘ射线低角反射实验技术是测定固体材料表层中杂质原子深度分布的有效手段。利用同步辐射Ｘ射线反射技术和近年来发展的由反射实验数据逆向求解原子深度分布的分层逼近法，研究了不同温度下分子束外延生长的δ掺杂（Ｓｂ）Ｓｉ晶体样品，成功地测量了样品中几个纳米范围内的Ｓｂ原子深度分布。所得结果表明，３００℃以下是用分子束外延方法在Ｓｉ晶体中生长Ｓｂ原子δ掺杂结构的合适温度。     

Hg1—xCdxTe液相外延薄膜的晶体质量分析

本文用Ｘ－射线双晶遥摆曲线，分析了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜的晶体质量。结果表明，用垂直浸渍液相外延方法生长的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜，结构均匀性好，晶体质量高，Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜表面层的晶体质量，优于其界面层；同时，Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜表面层的位错密度，可通过Ｘ－射线双晶遥摆曲线的半峰算得到。     

关于晶体单色器使用条件的探讨

分析了晶体单色器与滤波片对Ｘ射线衍射峰测量精度的影响，得到一个单色器获得最佳使用效果的判据公式，提出了一个实用的操作方法。     

压电晶体Al1—xGaxPO4的生长及其特性

用缓慢升温法成功研制出非铁电性二元系压电新晶体Ａｌ０．８８Ｇａ０．１２ＰＯ４，通过原子光谱吸收，Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射及Ｘ射线粉末衍射测定其组分结构，并给出了新晶体和电弹常数和温度系数。     

CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察

利用CdZnte晶体晶面夹角之间的关系采用激光正反射法对改进布里奇曼法生长的CdZnTe单晶进行定向,研磨出了CdZnTe单晶体的(111)、(100)面.采用自行研制的HHKA腐蚀液对三个面进行择优腐蚀,得到了(111)、(100)和(110)面的腐蚀照片,并计算出了蚀坑密度(EPD)约为104～105/m2数量级.结果表明生长晶体的质量较好.     

螺纹作用中径精确算式的探讨

本文分析了两个计算螺纹作用中径的精确算式。认为算式繁，普及应用难，结果差别大。为便于计算普通螺纹的作用中径，本文用立体包容导出新的算式，它通俗简明又精确，应用方便。     

γ辐射后部分掺稀土离子BaF2晶体的电子结构及对相应透射光谱的影响

本文运用离散变分Ｘα（ＤＶ－Ｘα）方法计算了部分掺稀土离子ＢａＦ２的能级结构，提出经γ辐射后晶体中的Ｅｕ、Ｄｙ和Ｙｂ元素可由原来的＋３价变为＋２价，从而改变晶体的光学性能，这一模型可以很好地阐述对应的实验结果。