LPCVD多晶硅薄膜的晶体结构

本文研究了用于制作压阻元件的LPCVD多晶硅薄晶体结构与淀积温度,膜厚及热处理温度的关系。多晶硅薄膜的织构和晶粒度不仅与淀积温度有关,而且与膜厚有着密切的关系,1000℃以上的高温热处理具有增大晶粒度和减小薄膜在淀积过程中形成的晶粒优先取向的作用。     

激光诱导等离子体淀积薄膜过程的研究

用激波理论推出了激光诱导等离子体化学气相淀积过程中两个重要参量薄膜面积、膜淀积速率的表达式。分析了激光强度、气体压强、基片温度对淀积过程的影响，为最佳淀积条件的选取提供了理论依据论。     

激光诱导等离子体淀积薄膜过程的研究

用激波理论推出了激光诱导等离子体化学气相淀积过程中两个重要参量薄膜面积、膜淀积速率的表达式.分析了激光强度、气体压强、基片温度对淀积过程的影响,为最佳淀积条件的选取提供了理论依据.     

Si-SiN界面应力

本文以用 PECVD 法在硅衬底上淀积的氮化硅薄膜为研究对象,研究了薄膜应力与淀积条件之间的相互关系,给出薄膜应力的一种测量方法,并且对薄膜应力的形成机理进行了一些探讨。研究表明:本系统淀积的氮化硅薄膜应力是 Si-SiN 界面应力,它由热应力和本征应力合成。当膜厚达0.2～0.4μm 范围时,应力最小,随膜厚增加,应力形式由压应力转化为张应力,数量级在10~8Pa 左右。     

金属薄膜的电阻率温度系数

利用同时考虑表面散射和晶界散射的金属薄膜电导理论,得到金属薄膜的电阻率温度系数与厚度的关系式。金属Cu膜、Ag膜和Au膜的电阻率温度系数随膜厚变化的实验结果表明,计算曲线与实验结果符合较好,弥补了F－S理论在较薄厚度时与实验结果不相符的缺陷。分析得出,薄膜厚度较薄时马希森定律仍成立。     

直流磁控溅射铂电阻薄膜

根据薄膜理论和通过成膜工艺实验,研究了影响铂薄膜电阻温度系数的主要因素。1)对铂靶材料的纯度要求高,含杂质极少;2)淀积薄膜要有一定厚度,通常近于1μm才能有较大的α;3)成膜以后,需经过高温热处理,减少缺陷,结晶化改善。通过大量实验,使用高铝陶瓷基片或微晶玻璃基片,溅射铂薄膜的厚度为800nm,高温热处理1h,可以获得电阻温度系数为3.850×10-3/℃的铂电阻薄膜。     

用PECVD法(SiH_4-N_2)体系制备氮化硅薄膜的工艺研究

本文对(SiH_4-N_2)混合气体等离子体增强化学气相淀积氮化硅薄膜工艺进行了研究。对PD-300Ⅲ型低溫淀积台的性能进行了大量的试验且对生长的氮化硅薄膜进行了测试,确定出影响氮化硅薄膜性质的各个因数。采用正交实验的方法,找到了该台淀积过程的最佳工艺条件。研究了薄膜参数随工艺参数变化的情况,得到了一组在最佳工艺条件范围内的变化曲线。     

粉末溅射金属氧化物气敏薄膜和元件Ⅰ．粉末溅射金属氧化物气敏薄膜

利用反溅,发展了粉末溅射工艺;指出了粉末溅射对研制稳定的薄膜气敏元件的重要性;给出了粉末掺杂比与薄膜掺杂比关系的实验结果;给出了SnO2（100-x）／CeO2（x）最佳灵敏度的掺杂x％的范围;给出了灵敏度随膜厚变化的特征,以及一些薄膜的最佳膜厚l^x的数值;给出了响应时间随膜厚变化的规律．     

粉末溅射金属氧化物气敏薄膜和元件Ⅰ. 粉末溅射金属氧化物气敏薄膜

利用反溅,发展了粉末溅射工艺;指出了粉末溅射对研制稳定的薄膜气敏元件的重要性;给出了粉末掺杂比与薄膜掺杂比关系的实验结果;给出了SnO₂(100~x)／CeO₂(x)最佳灵敏度的掺杂x％的范围;给出了灵敏度随膜厚变化的特征,以及一些薄膜的最佳膜厚lx的数值;给出了响应时间随膜厚变化的规律.     

ALD淀积温度对HfO2高k栅介质材料特性的影响

采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分析HfO2薄膜的C-V特性发现,不同生长温度下淀积的HfO2薄膜的介电常数和氧化层缺陷数量都有很大区别,过高和过低的生长温度都将增加HfO2薄膜中的原生缺陷,其中,280℃～310℃区间生长的HfO2薄膜中的缺陷最少.     

聚合膜/无机膜异质结电致发光机理研究

针对聚合物电致发光材料缺乏可用的电子型聚合物半导体材料的现状，采用无机电子型半导体材料ZnO:Zn与空穴型聚合物材料PDDOPV[poly(2,5-bis(dodecyloxy)-phenylenevinylene)]成功制备了结构为ITO／PDDOPV／ZnO：Zn/Al的异质结双层器件，异质结器件的发光效率与单层器件P的发光效率的比值在电压为8V时达到最高值38.6倍，此时异质结器件的亮度是器件P的19.4倍，异质结的电流是单层器件的0.5倍。结果表明，ZnO:Zn薄膜的插入，确实能够起到输运电子和阻挡空穴从而降低器件电流水平，提高器件发光效率的作用，而且，聚合物膜／无机膜异质结器件的发光颜色是随着电压的增加而蓝移的。研究认为有可能是形成了新的发光基团。     

单晶金刚石膜中晶面指数与薄膜品质的关系

分析了气相同质外延单晶金刚石膜中晶面指数与薄膜品质的关系,指出了控制实验条件是确保各晶面薄膜品质的关键.     

薄膜生成过程的计算机模拟研究

根据多种制膜方法的共同点建立模型，用微机模拟源物质粒子在靶衬底上沉积成膜的全过程，研究了影响薄膜质量的工艺条件，如沉积速率、衬底温度等因素在微观成膜过程中所表现出来的物理细节及其规律。     

用于红外窗口的 DLC 薄膜

本文简述了用于红外窗口同时起到增透和保护双重作用的ＤＬＣ薄膜的特性,红外应用,以及应用中需解决的问题。     

特种硬质薄膜的制备

本文采用热阴极离子镀技术在GCr15基体上制备了CrNx薄膜,利用X射线衍射（XRD）方法和显微硬度分析方法对所制备的样品进行了结构分析和性能测试。结果表明沉积薄膜工艺参数,如基体偏压和N2分压等对薄膜的结构和性能有重要影响。在本试验条件下,获得的样品表面硬度值最高可达HV2338。     

碳纳米管薄膜的制备及处理对场发射特性的影响

采取直接在硅片上真空蒸镀NiCr合金作为催化剂,用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜。并采用H2等离子体球处理碳纳米管薄膜,测试其场发射特性,并与未经处理的碳纳米管薄膜进行了比较,得到碳纳米管薄膜开启场强有所降低,为1~1.2 V/μm。对碳纳米管薄膜进行老炼处理,最大场发射电流由12.3 μA提高到34 μA。     

玻纤/聚四氟乙烯微孔膜滤料的结构与性能初探

对PTFE微孔膜、基布、复合过滤材料的透气和耐温性能进行了测试.结果提示复合滤料不能在300℃高温下长期使用,使用中温度应该控制在280℃以下.     

论影视字幕减译

影视字幕翻译与其他文学作品不同,其他文学作品可以运用多种翻译技巧充分的翻译,而影视字幕翻译由于受时间和空间的限制,在翻译时必须采用减译的翻译方法。减译是字幕翻译中最常用的翻译技巧,也是字幕翻译的最显著特点。减译可分成四类即缩译,略译,简化,删译。     

Characteristic Research on Evaporated Explosive Film

The evaporation source of evaporated explosive was designed and improved based on the inherent specialties of explosive. The compatibility of explosives and addition agent with evaporation vessels was analyzed. The influence of substrate temperature on explosive was analyzed, the control method of substrate temperature was suggested. The influences of evaporation rate on formation of explosive film and mixed explosive film were confirmed. Optimum evaporation rate for evaporation explosive and the better method for evaporating mixed explosive were presented. The necessary characteristics of the evaporated explosive film were obtained by the research of the differences between the evaporated explosive and other materials.     

预涂膜覆膜技术

介绍了覆膜技术当中的预涂膜覆膜技术,阐述了预涂膜的结构、预涂膜覆膜的特点,分析了影响预涂膜覆膜的工艺因素、预涂膜覆膜常见问题和解决方法.