LPCVD多晶硅薄膜的晶体结构

本文研究了用于制作压阻元件的LPCVD多晶硅薄晶体结构与淀积温度,膜厚及热处理温度的关系。多晶硅薄膜的织构和晶粒度不仅与淀积温度有关,而且与膜厚有着密切的关系,1000℃以上的高温热处理具有增大晶粒度和减小薄膜在淀积过程中形成的晶粒优先取向的作用。     

GaAs/AlGaAs薄膜压阻特性研究

为了探索新的微机电转换方法,提出一种GaAs/AlGaAs压阻薄膜结构.该结构采用分子束外延生长技术(MBE),在半绝缘GaAs衬底(001)方向上生长GaAs/Al0.4Ga0.6As半导体薄膜制备而成.利用表面微机械工艺和体微机械工艺,加工制作了基于GaAs/Al0.4Ga0.6As压敏电阻条的加速度计结构,室温条件下利用拉曼光谱仪测试系统测试了悬臂梁上压阻薄膜的应变因子.研究了该薄膜结构的压阻效应,得到Al0.4Ga0.6As的应变因子可达70,相当于AlN-GaN超晶格结构压阻的值,有望应用于新的微机械力电耦合器件中.     

硅橡胶/纳米石墨片复合薄膜的压阻特性研究

采用旋涂工艺,制备了硅橡胶-纳米石墨片复合薄膜.采用SEM,XRD手段,表征了薄膜的组织和相结构,并测量其电性能.结果显示,纳米石墨片与硅橡胶界面结合较好,且分散均匀;薄膜的渗流阈值为Φ=6.5%,电阻为106Ω量级.渗流薄膜的面内电阻呈现正线性压阻效应,由于导电网络发育完整,SR-8%GNPs体系显示了优良的循环压阻性能.     

基于共振隧穿压阻薄膜的GaAs基微加速度计研究

主要研究一种应用共振隧穿压阻薄膜的GaAs基4梁式微加速度计,设计出共振隧穿薄膜以及GaAs基微加速度计的结构.利用有限元软件Ansys对加速度计进行了模态仿真.讨论了加速度计的加工工艺,并完成了基于加速度计共振隧穿压阻薄膜的压阻特性研究.首次采用控制孔技术制造了GaAs基微加速度计.     

多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响

根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,得到了多晶硅中电场及其电势的分布,计算了在不同掺杂浓度下多晶硅量子效应所引起的MOSFET阈值电压的偏移,并与数值模拟的结果进行了比较,表明其具有较好的准确性。     

沉积功率对多晶硅薄膜结构和光学性质的影响

采用等离子体化学汽相沉积(PECVD)方法在普通玻璃衬底上制备出多晶硅薄膜.研究了在不同沉积功率下的薄膜的沉积速率、晶相结构、吸收系数和光学禁带宽度.实验结果表明,沉积功率为140 W时薄膜沉积速率最大,达到7.8 nm/min.沉积功率为30 W多晶硅薄膜的晶粒较大,平均尺寸200 nm左右.沉积功率为100 W薄膜有较高结晶度,晶化率达到68%.薄膜样品在波长为500 nm的光吸收系数达到6×104 cm-1,在不同功率下样品的光学禁带宽度在1.70-1.85 eV之间变化.     

铝诱导多晶硅薄膜的制备与微结构研究

利用PECVD设备在普通玻璃基片上沉积a-Si薄膜，采用铝诱导晶化法（AIC）在氮气气氛下进行快速退火处理制备出poly-Si薄膜。研究了不同的热处理条件对a-Si薄膜微观结构、表面形貌的影响，通过XRD、Raman,SEM等测试手段对薄膜的结构、形貌进行表征。结果表明：铝膜的厚度为1μm时，在450℃下退火10min,薄膜样品开始向poly-Si薄膜转变，并且随着退火温度的升高和退火时间的增加，晶化程度加强。     

石墨烯压阻复合材料及其在裂纹监测中的应用

为了弥补现有柔性应变传感器在健康监测上的不足,以还原氧化石墨烯（rGO）为导电填料,纳米纤维素（CNF）为分散剂和结构骨架,硅橡胶（PDMS）为聚合物弹性基体,采用溶液共混和溶剂挥发法,制备具有压阻效应的弹性复合材料. 对复合材料进行微观结构、力学、电学和机敏性能分析,结果表明,CNF能有效协助rGO在PDMS基体中均匀分散,形成稳定的三维增强和导电网络,提高复合材料的弹性模量和电导率. 当rGO、CNF占PDMS的质量分数分别为10%、3%时,复合材料的弹性模量最大为2.53 MPa,电导率为0.34 S/m. 当复合材料薄膜应变小于10%时,电阻相对变化量与应变呈线性关系,灵敏系数最大为63,对应rGO、CNF的质量分数分别为10%、3%;当应变大于10%时,呈指数变化. 分析复合材料的力电响应机理,将复合材料应用于材料或构件疲劳裂纹的监测中,设计应力强度因子薄膜传感器,并通过理论分析验证其可行性.     

稀土Dy、退火对Dyx(Co40Ag60)100-x颗粒膜的结构与巨磁电阻效应的影响

采用磁控溅射法制备了Dyx(Co40Ag60)100-x颗粒膜.X射线衍射实验结果表明,Dyx(Co40Ag60)100-x颗粒膜的晶体结构具有一定的择优取向,退火温度升高能够促进这种择优取向并加速Ag颗粒的聚集生长和Ag中的Co发生相分离;稀土元素Dy起到细化晶粒的作用,并且阻碍晶面择优取向的进程,导致薄膜结构中的晶...     

海泡石晶体结构的超细效应研究

本文在对海泡石进行超细加工和粒度分析的基础上，利用Ｘ射线分析，红外光谱分析研究了高速气对撞冲击式超细加工对海泡石的晶体所产生的影响。     

压阻式微型压力传感器敏感结构设计

在设计某一压阻式压力传感器特定敏感结构的过程中,对出现的技术难题进行了研究。文中的第2部分设计了弹性膜片的典型结构;第3部分设计了压敏电阻的尺寸以及阻值;第4部分使用ANSYS软件分析了弹性膜片在不同压力作用下的应力、应变分布,确定了压敏电阻在弹性膜片上的最佳分布位置。分析结果表明:压敏电阻距离弹性膜片边缘越近,灵敏度越高。同时计算了不同外界压力载荷和不同位置条件下压敏电阻的电压输出变化情况,提取了敏感膜片的固有频率和响应时间。文中响应时间曲线表明:所设计的微型压阻式压力传感器响应速度快,稳定时间仅为1.0×10~(-5)s。     

Strain Effect of Manganin Transverse Piezoresistive Gauge and Measurement of Dynamic Transverse Stresses

Manganin piezoresistive gauges have been extensively used in dynamic stress measurement for decades.It is noted,however,that when used to measure transverse stresses,considerable strain effect is caused as the consequence of change of electrical resistance resulted from bending of wires in the longitudinal-strain-experiencing sensing element of the gauge,a phenomenon discussed in this paper theoretically as well as experimentally.This effect yields unwanted signals to blend with output piezoresistive signal...     

单轴晶体薄膜的光学隧道效益(英文)

本文提出一种研究晶体薄膜光学隧道效应的方法，计算在最一般情况下晶体中急逝波的复射率和复折射角，讨论了隧道效应时晶体薄膜的反射率和透射率，以及这些系数与薄膜光学参量的关系，以上结果提供了用光学隧道效应检测晶体薄膜的理论。     

热处理工艺对钒氧化物薄膜结构和性能的影响研究

为了研究热处理工艺参数对V2O5薄膜微观结构与性能的影响,采用改进无机溶胶-凝胶法制备稳定的V2O5溶胶,以石英玻璃为基片,通过浸渍提拉法制得V2O5薄膜,再进行真空热处理。利用X射线衍射谱仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、UV-Vis分光光度计和UV-Vis-NIR光谱仪对热处理后的V2O5薄膜进行测试。结果表明,热处理工艺参数(时间、温度等)的变化对V2O5薄膜分解的动力学和热力学过程产生影响,从而引起薄膜表面形貌、物相以及光学性能的演变。     

溶胶—凝胶工艺参数对PLT10薄膜显微结构的影响

研究了溶胶－凝胶工艺中溶胶陈化时间，热处理工艺条件和衬底材料对ＰＬＴ１０（Ｐｂ０．９Ｌａ０．１Ｔｉ０．９７５Ｏ３的简称）薄膜显微结构的影响。结果表明，在（１００）Ｓｉ单晶基片上制备的ＰＬＴ１０薄膜为钙钛矿结构的多晶陶瓷膜；在（１００）ＳｒＴｉＯ３衬底上制备的ＰＬＴ１０薄膜为（００１）择优取向的具有钙钛矿结构的单晶膜，（００１）择优取向度高达０．９５。溶胶陈化时间愈长，薄膜择优取向度愈高。热处理温度越高，ＰＬＴ１０薄膜钙钛矿结构发展越充分，薄膜晶粒尺寸越大。     

检波器尾座结构对地震采集信号的影响

在检波器尾锥与检波器主体连接处紧密连接一个刚度大、质量轻的“尾罩”,该尾罩与尾锥共同构成检波器尾座。该结构使检波器在整体质量没有明显增大的情况下,其与安装表面的结合刚度增大,从而使得响应信号的能量增强、频带加宽,尤其是高频成分得到增强。幅频响应理论分析和实际测试结果一致,验证了该发明的正确性。带尾座检波器适合在松软地表或沙漠地域地震勘探中使用和推广。     

液晶单分子膜光电效应的研究

采用LB膜技术制备了液晶／花生酸混合膜，利用表面等离极化激元（SPP）技术对液晶单分子膜电光效应进行了研究，其结果表明：在电场作用下液晶／花生酸混合膜的SPP谱的共振峰变窄，共振角的位置也发生变化，即电场作用使得单分子膜的介电常数发生变化，单分子膜的这种电光效应与电场的频率无关。     

铁酸铋薄膜在小于矫顽电压下的阻变机制

为了研究利用脉冲激光沉积法制备于SrTiO_3衬底上的Au/BiFeO_3/SrRuO_3结构的阻变效应,实验通过测量样品的I-V特性曲线来表征样品的阻态变化.由于BiFeO_3与Au、SrRuO_3功函数的不同在Au/BiFeO_3、BiFeO_3/SrRuO_3两个接触界面形成稳定的肖特基接触,通过改变外部电压控制陷阱能级填充的程度可以改变肖特基势垒高度,从而在施加电压小于矫顽电压时可以形成稳定的高低阻变化,表现出最大可达103高低阻电流比的I-V特性曲线.对I-V特性曲线进行不同导电机制的拟合表明:小于矫顽电压下空间电荷限制电流起到了主导作用,陷阱的填充与脱陷是主要的阻变机制.     

薄膜互连线形状参数对电迁移的影响

为了探究Au互连线的形状参数对互连线寿命的影响,在环境温度为150℃、加载电流为500mA的试验条件下,使用恒温箱同时对多种不同形状的样品进行加速寿命试验。结果表明:在此试验条件下,不同形状参数的互连线的失效模式相同,且皆为电迁移导致互连线出现断路;互连线与电极连接处的圆弧半径越大,电迁移导致的失效现象出现的越晚,对应的薄膜互连线的寿命也越长。