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文中在前人的基础上,改进了基于四叉树的LOD模型,通过该模型管理和组织地形数据,建立节点判断准则来决定当前视区的细节程度,最终通过程序编译证明该算法能生成连续的多分辨率地形模型,提高了地形漫游的运行效率和实现不同分辨率地形模型之间的平滑过度. 相似文献
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利用Geometry Clipmap算法的基本思想,对原算法进行简化与改进。在预处理阶段,对地形数据的存储方式进行简化,并采用Clipmap结构进行组织和管理;在绘制阶段,重点针对不同分辨率层次之间的裂缝问题进行分析和处理,提出了一种引入过渡带的方法有效消除了裂缝。实验表明,该方法有效提高渲染速率,并充分发挥GPU的优势,实现了大规模地形数据的实时可视化。 相似文献
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本文针对三维GIS大规模地形的实时渲染问题,研究了基于四叉树的LOD算法的设计.首先,建立了简单高效地节点评价系统和裁剪体系统,然后对网格的渲染过程可能出现的问题,给出了可行的解决方案,以及如何保证四叉树的合法性和筛选合适的节点.最后程序运行结果表明,该算法可以很好地解决三维GIS大规模地形渲染的性能问题,并对本算法的实现存在的不足进行了分析和建议. 相似文献
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针对虚拟战场环境仿真中构建大规模地形的速度问题,介绍了一种基于视点和分块的LOD大规模地形生成算法,能够快速地构建海量数据的地形模型.该算法首先对海量地形数据分块后以四叉树结构存储;然后应用简单的圆锥视景体快速裁剪地形块,丢弃与视景体相离的地形块,对于与视景体相交地形块剪裁出位于视景体内的四叉树结点.根据视点到节点距离和地形本身的粗糙度,选用合适的LOD渲染地形,最后应用基于视点的方法消除裂缝.在数据相同情况下,该算法比四叉树算法减少约1/2时间,并且更逼真地生成了大规模数据地形.本算法也可用于逆向工程设计中重建物体等问题. 相似文献
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地理空间情报在情报分析与作战指挥中发挥了越来越重要的作用,它包括一体化的影像、地理空间信息,而地形是地理空间信息中的重要因素。为了实时地绘制大规模地形数据,在继承传统算法基础上,借鉴遥感影像金字塔模型,将遥感影像和地理信息统一,提出了一种瓦片金字塔模型和线性四叉树索引相结合的地形数据结构,并采用一种新的基于瓦片四叉树的接边处理方法用于消除不同层次之间的裂缝,是对传统结构的优化。实验结果表明该方法在保持地形逼真的前提下,在PC机上运行时有很好的绘制网格帧率和实时动态交互效果。 相似文献
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浏览多分辨率细节层次地形,当视点距离地面非常近,达到最高分辨率时,地形无法继续细化,影响浏览的连续性和视觉效果。针对这一问题,文中在应用Chunked LOD算法构建地形的基础上,以规则格网为处理单元,结合并改进了Kobbelt细分算法和分形技术,提出了实时细节增强的改进方案。该方案可以实时地添加富有真实感的高分辨率网格,避免了因过多细节增强引起的计算负荷。根据这一改进所做的实验结果表明,该方法在保持帧速连续的基础上,能实时有效地增加细节,满足逼真视效的需求。 相似文献
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针对大规模三维地形的实时渲染问题,提出一种基于顶点法向量的模型简化算法。渲染过程中利用视图体的投影方式快速裁剪数据块,丢弃与视图体相离的数据块,将部分可见和完全可见的数据块全部加载到内存,根据视点到节点的距离和地形的粗糙程度构造了节点分辨率评价函数,最后采用加点的方法消除裂缝。仿真结果表明,该算法能有效减少渲染地形所需的三角形数目和时间,且对地形的逼真度影响较小。 相似文献
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针对四叉树索引的开窗查询算法的局限性,本文改进了现有的四叉树索引结构,并在此结构上提出了基于四叉树的凸多边形查询算法,此算法特别适合于航空GIS当中的“飞机不动地图动”的显示模式,能大幅度提高显示效率. 相似文献
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三维地形模型的生成与显示是建模与仿真领域的一个重要研究内容.研究了使用三角形条对ROAM算法进行优化,得到了一种适用于实时运行的视点相关多分辨率地形模型生成算法,对地形的建模、与地形相关研究及地形实时可视化渲染等问题的解决具有实际意义. 相似文献
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入射余角是利用抛物方程模型研究地形条件下电波传播问题的重要参数,但该参数估计具有单次快拍、信号相干和实时性要求高的特点,传统的估计算法难以同时满足上述要求.针对上述问题,提出了基于单次快拍的空间平滑旋转不变性的信号参数估计(Estimating Signal Parameters via Rotational Invariance Techniques, ESPRIT)算法.直接采用单次数据的前后向空间平滑子阵构造centro-Hermitian伪协方差矩阵以实现信号解相干,应用酉变换将复数域的奇异值分解转换为实数域求解,利用ESPRIT算法代替多重信号分类算法估计入射余角.仿真结果表明:该算法能够实现电波传播入射余角的快速估计,准确反映地形起伏对入射余角的影响,与现有算法相比提高了实时性和估计精度. 相似文献
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Juang Miin-Horng Chang Chia-Wei Shye Der-Chih Hwang Chuan-Chou Wang Jih-Liang Jang Sheng-Liang 《半导体学报》2010,31(6):064003-064003-5
A process simplification scheme for fabricating CMOS poly-Si thin-film transistors (TFTs) has been pro-posed, which employs large-angle-tilt-implantation of dopant through a gate sidewall spacer (LATITS). By this LATITS scheme, a lightly doped drain region under the oxide spacer is formed by low-dose tilt implantation of phosphorus (orboron) dopant through the spacer, and then the n+-source/drain (n+-S/D) (or p+-S/D) region is formed via using the same photo-mask layer during CMOS integration. For both n-TFT and p-TFT devices, as compared to the sample with conventional single n+-S/D (or p+-S/D) structure, the LATITS scheme can cause an obviously smaller leakage current, due to more gradual dopant distribution and thus smaller electric field. In addition, the resultant on-state currents only show slight degradation for the LATITS scheme, As a result, by the LATITS scheme, CMOS poly-Si TFT devices with an on/off current ratio well above 8 orders may be achieved without needing extra photo-mask layers during CMOS integration. 相似文献