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介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段(<10GHz)的问题。其插入损耗为-0.88dB@3GHz,在6GHz以上,插入损耗为-0.5dB;隔离度为-33.5dB@900MHz、-24dB@3GH和-20dB@5GHz,适合于3~5GHz频段的应用。 相似文献
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聚酰亚胺树脂(PI)因其良好的平面化特性、在氧气中易灰化、不完全固化易溶解于碱性显影液、在CHF3等离子气氛中有较强的抗蚀性等性质,在电容RF MEMS开关的制作过程中,应用它作为刻蚀保护层和牺牲层,不但可以使工艺过程得到简化,而且可以对开关的介质层尺寸、牺牲层厚度等图形参数起到很好的控制作用. 相似文献
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在电容式RF MEMS开关的动态工作过程中,会有电磁波产生.根据开关膜桥的动态运动模型,把开关工作分成了四个过程,并通过麦克斯韦方程建立了各个过程中产生的电磁波模型,最后通过单元面叠加的方法验证了这一模型.在开关电容充电和膜桥下拉过程中,开关都是产生了电磁波脉冲.尤其是在充电阶段,电磁波峰值为105 A/m的量级,持续时间为3.15×10-8μs.而在开关电容放电过程中,产生的电磁波是时谐波,其频率为23.4 GHz(落在RF信号的频率范围内了).这就提醒了设计者们要增加特殊的滤波电路来过滤掉RF信号中噪声.此外,辐射的电磁波同样对开关周围的电路和器件有影响,这需要进一步的研究. 相似文献
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电容式RF开关介电电荷及相关可靠性模型及模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
就介电电荷以及它对电容式RF MEMS开关可靠性的影响进行了分析,在前人的基础上建立起了一个更加全面和准确的介电电荷积累及其相关可靠性模型.介电电荷的产生是由于电介质中有漏电流(Ohmic电流、Frenkel-Poole电流),漏电流中电荷被介质陷阱捕获,进而导致电荷的积累.由此得到了介电电荷随时间的积累公式、开关失效寿命公式以及介电击穿寿命公式,其结果具有一定参考价值. 相似文献
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宽带直接接触式RF MEMS开关 总被引:2,自引:0,他引:2
本文提出一种静电驱动直接接触式宽带MEMS开关,包含CPW传输线、双U型金属悬臂梁、触点和锚区,兼顾了开关接触可靠、克服微结构粘连和低驱动电压三大结构可靠性设计因素。本开关为三端口开关,使用低温表面微机械工艺,制作在400μm厚的高阻硅衬底上,芯片尺寸0.8mm×0.9mm。样品在片测试结果表明,在6GHz频点,开关本征损耗0.1dB,隔离度24.8dB,等效开关接触电阻0.6Ω,关态电容6.4fF,开关时间47μs,开关驱动电压为20-60V。 相似文献
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The design, modeling, and optimization of a novel, thermally actuated CMOS‐MEMS switch are presented in this article. This series capacitive MEMS switch solves the substrate loss and down‐state capacitance degradation problems commonly plaguing MEMS switches. The switch uses finger structure for capacitive coupling. The vertical bending characteristic of bimorph cantilever beams under different temperatures is utilized to turn the switch on and off. A set of electrical, mechanical, and thermal models is established, and cross‐domain electro‐thermo‐mechanical simulations are performed to optimize the design parameters of the switch. The fabrication of the switch is completely CMOS‐process compatible. The design is fabricated using the AMI 0.6 μm CMOS process and a maskless reactive‐ion etching process. The measured results show the insertion loss and isolation are 1.67 and 33 dB, respectively, at 5.4 GHz, and 0.36 and 23 dB at 10 GHz. The actuation voltage is 25 V and the power consumption is 480 mW. This switch has a vast number of applications in the RF/microwave field, such as configurable voltage control oscillators, filters, and configurable matching networks. © 2009 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE, 2009. 相似文献
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