陶瓷化聚烯烃材料在耐火电线电缆中的应用与研究进展

本文对比了国内外耐火电线电缆试验方法,阐述了陶瓷化聚烯烃材料的研究进展,分析了各类耐火电缆的优劣,提出了陶瓷化聚烯烃材料亟待解决的主要问题和发展方向(引用文献30篇)。     

低熔点瓷化粉含量对陶瓷化聚烯烃材料性能的影响

以聚乙烯、乙烯-辛烯共聚物为基体材料,以高、低熔点瓷化粉为瓷化填料,以乙烯基三甲氧基硅烷为表面处理剂,采用密炼及挤出工艺,研究了低熔点瓷化粉表面处理及添加量对材料拉伸性能、低温性能、加工性能、瓷化性能的影响。结果表明:表面处理能够明显提高材料的拉伸强度和断裂伸长率,改善材料的低温性能;随着低熔点瓷化粉添加量的增加,材料拉伸强度、断裂伸长率显著下降,脆化温度升高,加工性能变差,高温绝缘性下降,但瓷化性能提高。     

整体式半透明氧化铝陶瓷灯泡泡壳材料的制备工艺技术

分析陶瓷金属卤化物灯性能和市场需求;较详细地分析整体式半透明氧化铝陶瓷泡壳的生产技术;介绍陶瓷泡壳的注浆成形技术,对其特点进行阐述.     

多晶氧化铝透明陶瓷制备工艺研究

主要探讨湿法成型多晶氧化铝透明陶瓷（以下简称PEA）过程中,球磨工艺、掺杂方式及烧结温度对PCA的显微结构及光争性能以及对陶瓷金属卤化物灯的光色参数的影响。实验表明：球磨时间过长（超过200h）会导致原粉料颗粒的球形度被破坏,使PCA晶粒多为条状;以Mg作为掺杂元素时,较之固态MgO,液态Mg（NO3）2更易于混料的充分,当掺杂Mg不均时,晶粒发生异常长大,反之晶粒尺寸较均匀;烧结温度对晶粒尺寸起着决定性的作用,随着烧结温度的升高,晶粒明显增大。单位体积样品其晶粒尺寸越大,晶界的数量越少,入射光在晶界处发生的散射、折射减弱,从而PCA的透过率得到提高;当PCA具有较高透过率时,陶瓷金卤灯电弧管的温度下降,光效明显提高。     

纳米氧化铝改性聚酰亚胺薄膜的制备与研究

用溶胶-凝胶法制得纳米氧化铝溶胶,将其掺入到聚酰胺酸基体中,采用原位生成法制备了一系列不同掺杂量的PI/Al2O3复合薄膜。利用耐电晕测试装置、耐击穿测试装置、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行了测试及表征。结果表明:随着掺杂量的提高耐电晕时间增大,当掺杂量为30%(质量分数)时PI薄膜的耐电晕时间为57.64 h,是未掺杂的15倍以上。随着掺杂量的提高杂化薄膜电气强度先增大后减小,但都比未掺杂的低。纳米氧化铝粒子在PI基体中分散较均匀。     

导热浸渍漆的制备及其性能的研究

以KH-570改性纳米Al2O3为填料制备了导热浸渍漆,并对其性能进行研究.结果表明:KH-570改性Al2O3纳米粉体的加入改善了浸渍漆的导热性能、冲击强度等性能,且纳米Al2O3填充的浸渍漆的性能优于亚微米Al2O3填充的浸渍漆的性能.     

喹啉低温亚胺化透明聚酰亚胺的制备与性能

以4,4′-二氨基-2,2′-双三氟甲基苯(TFMB)和3,3′,4,4′-联苯四羧酸二酐(BPDA)为原料制备聚酰胺酸,采用氮杂环类喹啉(QL)促进其在较低温度下亚胺化,并对QL用量、最高亚胺化温度及固化时间进行了优化.利用红外光谱法测定所得聚酰亚胺(PI)薄膜的亚胺化程度.结果表明:当QL添加量为BPDA物质的量的两倍时,聚酰胺酸在200℃下固化4 h,亚胺化程度即可超过99％;在250℃下处理0.5 h除去残留溶剂和QL后,PI的热稳定性大幅提高,而透光率基本不变.与300℃高温下亚胺化制备的PI薄膜相比,采用QL促进亚胺化的PI薄膜5％热失重温度(T5％)、玻璃化转变温度(Tg)和拉伸强度仅略有下降,而断裂伸长率提高,400 nm处的透光率从4.5％提高到34.4％.     

聚烯烃绝缘子材料的憎水性迁移研究

选择以氯化钠和硅藻土为人工污秽、乙醇为稀释剂制备污液,对聚烯烃表面进行定量均匀涂污。采用静态接触角法和喷水分级法测试并研究了稀释剂用量、盐密、污层厚度等对聚烯烃材料憎水性迁移的影响。结果表明:聚烯烃绝缘子材料表面存在憎水性迁移;盐密和污秽厚度对静态水接触角大小有重要影响;当涂污盐密和灰密分别为0.1 mg/cm~2和0.5 mg/cm~2时,憎水性迁移时间从24 h增加到96 h,静态水接触角从75°增大到87°左右,憎水性分级测量结果为HC3级。     

高导热环氧树脂复合绝缘材料的制备与性能研究

环氧树脂等高分子聚合物材料热导率低,长期使用时,存在热导致的故障和绝缘失效等隐患.通过向环氧树脂中填充具有高导热性和高绝缘性的微米氮化硼和纳米氧化铝填料制备高导热复合绝缘材料,研究填料填充量及配比对复合材料导热性能和绝缘性能的影响.结果表明:当总填充量为30％,微米h-BN与纳米A12O3的质量比为3∶1时,复合材料的热导率、击穿时间和复介电常数虚部ε"分别为1.182 0W/(m·K)、31.9 s和0.034,比环氧树脂分别提升了697％、21.4％和406％,且复合材料在高频高压电场下具有良好的耐受性能.     

纳米氧化铝杂化聚酰亚胺薄膜的制备与性能研究

由铝的纳米氧化物溶胶制得纳米氧化铝杂化的聚酰亚胺(PI)薄膜。对PI薄膜的耐电晕性进行了测试,结果表明氧化铝质量百分数为23%的PI薄膜在棒板电极系统、气隙间距0.1 mm、50 Hz、90 MV/m条件下耐电晕时间达120 h以上,比纯PI薄膜提高30倍以上;使用介电谱仪测试其介电常数和介质损耗;采用FTIR、SEM分别表征了杂化PI薄膜与纯PI薄膜的化学结构和表面形貌。     

紫外光交联膨胀型无卤阻燃聚烯烃材料的研究

以季戊四醇磷酸酯三聚氰胺盐(MP)作为膨胀型无卤阻燃剂填充聚烯烃(PO)材料,用紫外光辐照交联的方式对其进行交联,并研究了交联前后相关性能的变化。结果表明:在添加了紫外光交联剂的条件下PO/MP可以轻易地通过紫外光辐照的方式进行交联,5 s辐照时间后,材料的热延伸可以达到40%;同时交联后,PO/MP材料的阻燃性能、耐水性能、热性能和力学性能得到了提高。     

陶瓷化耐火电缆高温击穿影响因素研究

以聚烯烃树脂、高低熔点瓷化粉及其他助剂为组分,经熔融共混制备了陶瓷化聚烯烃材料及电缆,研究了陶瓷化耐火电缆高温击穿的原因。结果表明,材料组成是导致电缆高温击穿的根本原因。     

采用粉末注射成形制备陶瓷金卤灯用半透明氧化铝电弧管

采用粉末注射成形(Powder Injection Molding,PIM)工艺制备陶瓷金卤灯(Ceramic Metal Halide,CMH)用半透明氧化铝电弧管,介绍陶瓷管的结构设计,并对相应的PIM工艺进行研究,分析材料的显微结构,测试材料的光学性能,并对制备的电弧管进行了装灯测试和性能评估。     

陶瓷金卤灯发展的关键——多晶氧化铝陶瓷泡壳（上）

本文简述了陶瓷金卤灯的特征特性，分析了灯对陶瓷材料的要求，对比了某些陶瓷材料的结构成分及对陶瓷灯的影响，对国产陶瓷材料及泡壳进行了分析研究并给出了部分分析结果。     

钠基低温陶瓷的制备及其在陶瓷化聚烯烃中的应用

以云母粉和硼酸锌为低温陶瓷的主要原材料,以碳酸钠作为助熔剂,制备了一种低温陶瓷材料。研究了碳酸钠含量及烧结温度对云母陶瓷成瓷的影响,并对其膨胀率、弯曲强度进行了测试,同时采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对其结构进行表征。结果表明:随着温度的升高和碳酸钠含量的增加,陶瓷样品的膨胀率增大;随着温度的升高,陶瓷材料发生熔融重新结晶;随着碳酸钠含量的增加,样品逐渐向无定形态转变。添加含0.25 mol碳酸钠的低温陶瓷粉到聚烯烃中,燃烧结果表明陶瓷化聚烯烃的成瓷效果良好。     

小线径电缆用低烟无卤阻燃聚烯烃材料的研究

以聚烯烃树脂为基体,将氢氧化铝与磷氮系阻燃剂复配使用,并对阻燃剂进行表面处理,制备了低烟无卤阻燃聚烯烃电缆料。分别考察了树脂体系、阻燃剂体系、表面处理剂对聚烯烃材料性能的影响。通过配方设计,以EVA和LLDPE混合为基体、磷氮系阻燃剂与氢氧化铝复配为阻燃剂、钛酸酯和季戊四醇为表面处理剂,得到了机械性能、阻燃性能、加工性能良好的聚烯烃电缆料,符合无卤阻燃聚烯烃电缆料的技术标准,且将其用于小线径电线时线材能通过UL标准VW-1的燃烧测试。     

Cr掺杂碳陶瓷电刷制备与性能研究

就提高电刷机械强度、抗氧化性、降低电阻率改善电机的换向性能，开展了Cr掺杂碳陶瓷电刷的研究，制备了新型Cr掺杂碳陶瓷电刷，测定了相关性能，并从微观组织结构与性能的关系做了进一步探讨。结果表明，Cr掺杂可提高电刷的力学性能，降低电阻率，提高电刷的抗氧化能力，从而改善电机的换向性能，满足多种电机用电刷性能要求。     

合成材料绝缘子与陶瓷绝缘子性能比较

高压输电线路故障往往会导致大面积停电．对经济发展造成深刻的影响。而输电系统可靠运行的关键因素之一是高压悬挂绝缘子的选择。事实上，一半以上输电系统计划外停运都是因绝缘子故障所致。经过近10年的努力，重量轻、材料更耐蚀更富弹性的新型合成材料绝缘子的开发和推广应用逐步扩大。文章对合成绝缘子和陶瓷绝缘子的各方面性能进行了全面比较，并介绍了伊朗使用合成材料绝缘子的经验。     

真空中氧化铝陶瓷表面耐压试验研究

为提高真空中陶瓷绝缘子的整体耐压水平．对真空中氧化铝陶瓷的沿面闪络行为进行研究,选用95氧化铝陶瓷和掺锰铬氧化铝陶瓷进行表面耐压试验,结果表明：测试过程对陶瓷绝缘子沿面闪络电压有较大影响;在相同条件下,掺锰铬瓷的沿面耐压能力明显比95氧化铝陶瓷高;同时,真空中原始表面较磨加工表面具有更高的耐压强度。