CMOS图像传感器的新进展

互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器是金属氧化物半导体(MOS、电荷耦合器件CCD)、电荷注入器件(CID)、固体图像传感器问世之后的又一新型器件,最初是70年代在NASA的Jet PropulsionLaboratory(JPL)发明的,发明初期,由于受集成电路设计和工艺水平的限制,图像质量差,而没有得到重视。到了80年代,英国爱丁堡大学成功地开发出了世界第一块单片CMOS图像传感器,为其实用化开辟了道路。进入90年代后,随着大规模集成电路及其制造技术进入亚微米阶段,CMOS图像传感器技术获得了长足的进展。 至今,已在MOS、CCD和LID图像传感器的基础上     

家用摄录机原理讲座 第二讲 CCD型和MOS型彩色摄像器件

在家用一体化摄像机中,固体摄像器件已替代摄像管,该器件包括CCD型和MOS型两大类。CCD型通常又有帧转移和行转移两种方式,MOS型则属于XY寻址方式。固体摄像器件具有以下特点:(1)光照动态范围大,无灼伤;(2)体积小、重量轻;(3)工作寿命长;(4)残像小。随着制造工艺的不断成熟和发展,其原有的缺点,如拖尾、图像噪声等     

摄像器件新秀——CMOS微型摄像头

<正> CMOS微型摄像头是充分体现90年代国际视觉技术水平的新一代固体摄像器件。固体摄像器件分为电荷耦合式(CCD)和CMOS型两大类。CMOS型摄像头将图像传感部分和控制电路高度集成在一块芯片上,构成一个完整的摄像器件。 CMOS型摄像头内部结构如图1所示,主要由感光元件阵列、灵敏放大器、阵列扫描电路、控制电路、时序电路等组成。CMOS型摄像头体积很小,机心直径大小近似五分硬币,便于系统安装。这种器件功耗很低,可以使用电池供电,长时间工作,同时具有价格便宜、重量轻、抗震性好、寿命长、可靠性高、工作电压低、抗电磁干扰等特     

CMOS图像传感器

<正> 图像传感器是传感技术中最主要的一个分支,是PC机多媒体大世界今后不可缺少的外设,也是保安监控产业中最核心的器件。在知识经济和信息社会已经到来的今天,它在我们的社会生活和个人生活中会有数不胜数的应用。 CMOS图像传感器和CCD摄像器件在20年前几乎是同时起步的。由于CCD器件有光照灵敏度高、噪音低、像素小等优点,所以在过去15年里它一直主宰着图像传感器市场。与之相反,CMOS图像传感器过去存在着像素大、信噪比小、分辨率低这些缺点,一直无法和CCD技术抗衡。但是随着大规模集成电路技术的不断发展,过去CMOS图像传感器制造工艺中不易解决的技术难关现已都能找到相应解决的途径,从而大大改善了CMOS图像传感器的图像质量。目前CMOS单元面积的像素数已可与CCD单元面积的像素数相     

超大动态范围的摄像器件研制成功

日本米诺尔塔公司和罗姆公司共同研制成功超大动态亮度范围的摄像器件。该器件具有普通的 CCD摄像器件约 10 0 0倍时 10 5 以上的动态范围。如果头灯光进入画面内 ,即使有极不同的明亮部分也不会发生“白光耀眼”和“一片黑暗”,而可进行摄影。光学尺寸为 1/2英寸 ,具有 32 0× 32 0个象素。这种摄像器件不是 CCD,而是采用 MOS型晶体管 ,被称为 CMOS图像传感器的一种。CMOS型可采用普通的 LSI生产线 ,廉价生产 ,在一个芯片上 ,可混载其他电子线路 ( A/D转换电路和信号处理电路等 )。新研制的摄像器件的秘密是在每个象素上安装了对…     

模拟集成电路新技术

近几年来,模拟集成电路得到了飞速发展,其表现之一是使用MOS器件的模拟集成电路逐渐成为主流,改变了模拟集成电路主要使用双极型器件的局面。MOS器件具有尺寸小、功耗低等优点,特别是它与数字电路的主流工艺兼容,这对系统级芯片(SOC)的实现有重要意义。而MOS器件的噪声大,工作频率低的缺点,随着集成电路工艺和电路技术的进步,已有很大改观,完全可以满足一般电子系统对性能的要求。     

CMOS图像传感器取代CCD器件指日可待

一、一个新的产品方向出现 近来一些媒体陆续报道了CMOS图像列阵传感器的进展情况,集中的话题是CMOS摄像器件何时取代CCD摄像器件? 事实上,最近OmniVision公司推出的OV7500和OV7000系列的CMOS摄像单片机已冲破CMOS图像传     

应用于片上ESD防护中新式直通型MOS触发SCR器件的研究

在基于0.13μm CMOS工艺制程下,为研究片上集成电路ESD保护,对新式直通型MOS触发SCR器件和传统非直通型MOS触发SCR进行了流片验证,并对该结构各类特性进行了具体研究分析。实验采用TLP(传输线脉冲)对两类器件进行测试验证,发现新式直通型MOS触发SCR结构要比传统非直通型MOS触发SCR具有更低的触发电压、更小的导通电阻、更好的开启效率以及更高的失效电流。     

CMOS图像传感器的新进展

互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器是金属氧化物半导体(MOS、电荷耦合器件CCD)、电荷注入器件(CID)、固体图像传感器问世之后的又一新型器件,最初是70年代在NASA的Jet Propulsion Laboratory (JPL)发明的,发明初期,由于受集成电路设计和工艺水平的限制,图像质量差,而没有得到重视。到     

新型CMOS图像传感器件——OV5116

<正> OV5116是美国Ommivision公司(以下简称OV公司)于2000年5月最新推出的高性能廉价黑白摄像机芯片。它克服了第一代CMOS黑白摄像器件OV5016的缺陷,大大改变了CMOS摄像器件在摄像应用领域的地位。 OV5016黑白摄像器件是OV公司第一代单芯片摄像器件。它以低廉的价格和极其简单的制造方法在CCD摄像器件领域引起震动,表明CMOS单片摄像器件已开始成功地进入商用领域。虽然OV5016具有功耗低、体积小、价格廉、可靠性高等四个优势,但它毕竟是CMOS摄像器件的初期产品,功能还不够完善,图像不够清晰,灵敏度较差,强光下易饱和,在大批量应用时方能体现其价格优势,比起CCD黑白摄像器件仍是     

初学者知识园地

它是以金属—氧化物一半导体场效应晶体管为主体构成的集成电路,简称为MOS集成电路。以N型沟道MOS晶体管构成的集成电路,称为N沟MOS集成电路,以P型沟道MOS晶体管构成的集成电路称为P沟MOS集成电路,二者统称单沟MOS电路。 N沟器件的多数载流子是电子,P沟器件的多数载流子是空穴。场效应器件是多数载流子工作的器件,电子比空穴的有效质量小,迁     

使用CMOS电路需注意的有关问题

<正> 集成电路可分为TTL和MOS电路(主要以CMOS为主)两种。TTL以高速度见长,MOS电路则以低功耗著称。使用CMOS电路时,除了要认真阅读产品说明书或有关资料,了解其引脚分布情况及极限参数之外,还应注意以下问题: (1)在安装电路、改变电路连接、插拔CMOS器件时,必须切断电源,否则CMOS器件很容易受到极大的感应或电冲击而损坏。     

CMOS集成温度传感器中的器件模型分析

根据CMOS集成温度传感器对器件的要求,对MOS器件的亚阈值模型和MOS工艺下的双极型器件进行了分析对比,选用后者更适合作为CMOS集成温度传感器的器件,并对衬底PNP管压电结型效应对温度传感器的影响进行了分析,最后对不同类型电阻进行了分析对比,为CMOS集成温度传感器设计打下了理论基础。     

克服磷硅玻璃膜钻蚀问题的初探

在MOS器件制造的初期,发现经加温和电场的作用后,器件的阀值电压会发生漂移,实验证明这是栅氧化层中(?)污了钠离子。正是磷硅玻璃膜的出现,才使MOS器件及集成电路得以迅速发展。这是在热生长的栅氧化膜SiO_2上再生长一层含有P_2O_5的SiO_2薄膜(通常简称为PSG膜),这层PSG膜具有提取,固定和阻挡钠离子的作用,起了钝化和保护作用,因而生长PSG膜是MOS集成电路,铝栅CMOS集成电路制造中广泛来     

图像传感器在医学诊断领域中的应用

图像传感器(CCD、CMOS)是多功能、高性能的摄像器件.主要介绍了CCD和CMOS图像传感器在医学诊断领域中的应用.     

根据行为级模型方法对CMOS 图像传感器的BJPG 晶体管的分析

本文提出一种新的用于CMOS图像传感器像素的光电检测器－－双极结型光栅晶体管。由于引入p^ n注入结，光电荷的读出速率大大增加，改善了CMOS图像传感器的工作速率和响应灵敏度。尽管传统的光电集成电路的电路级模拟采用微电子集成电路的模拟方法，但是光电子集成电路不仅含有微电子器件和电信号还含有光电检测器和光信号，采用传统的集成电路模拟方法有其局限性。本文提出一种行为级模拟方法（光电子检测器设计的新方法，利用C、MATLAB和HSPICE等语言写出光电子器件的模拟器）来模拟分析双极结型光栅晶体管的特性。基于0.6μm CMOS工艺的分析结果表明双极结型光栅晶体管在不同栅氧化层厚度随栅压变化与传统光栅晶体管的特性一样，但光电流密度呈指数式增长且光电流密度增大，因此改善了CMOS图像传感器的工作速率和响应灵敏度。     

CMOS图像传感器及其应用

CMOS图像传感器是近年来市场上出现的一种新的摄像器件,文中对CMOS图像传感器与CCD图像传感器作了比较,分析了CMOS像传感器的工作原理及其优越的性能,提供了CMOS像传感器的应用实例。CMOS成像器在红外成像领域具有广阔的应用前景。     

CMOS集成电路静电泄漏实验分析

CMOS集成电路的静电损伤一直是影响其可靠性的一个重要因素。当器件尺寸缩小到1μm以下时，在减小芯片I/O PAD 尺寸、提高工作频率的同时，保证较高的抗静电能力就显得尤为重要。本文首先对两种1μm MOS集成电路进行静电击穿实验，并对实验结果分析，并介绍了提高CMOS集成电路抗静电能力的各种措施。     

ARLSI图像器件展望

人类视网膜有着许多令人注目的功能。它与CCD和CMOS图像传感器不同，有着提取识别图像的时间空间特征的功能、高效信息显示变换功能、对应明暗亮度宽阔动态范围等人类网膜性能，比现在任何图像传感器的性能要高得多。现在人们模拟人类网膜功能，不仅高品质摄像而且可以提取图像特征的ARLSI（ArtificialRetinaLSI，人造网膜大规模集成电路）。另外，还开发了把ARLSI与光学系统一体化超小型人造网膜摄像器件。这种器件可以使摄像机体积大大缩小并在移动信息终端和许多产业领域，在“观察图像应用”和“识别图像应用”两个方面，作为…     

高密度离子注入互补金属氧化物半导体工艺

引言现有的休斯飞机公司的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺具有良好的低功率性能和生产大规模集成电路的能力。然而,与p型MOS芯片相比,现有的CMOS芯片的器件密度十分低。这就限制了电路的尺寸。但此电路能经济地用CMOS LSI加以补偿。目前,CMOS芯片的低器件密度主要是由于在芯片的一个区域内所有的n沟晶体管都制作在同一个区内,而所有的p沟晶体管全制作在芯片的其余区域内。因此,大