2.5Gb/sGaAs激光器高速驱动电路

研制出一种实用化的ＧａＡｓ激光器高速驱动电路,该电路采用源耦合场效应管逻辑电路形式,０．８μｍ栅工艺,全离子注入平面工艺,单电源（－５．２Ｖ）供电。并给出了研究结果：最大驱动电流可达４５ｍＡ,数据传输速率２．５Ｇｂ／ｓ。     

700Mb／s发送驱动电路与激光器高速应用的研究

本文介绍几种不同调制速率驱动下,InGaAsP/InPDC—PBH—LD及DFB—LD的光谱特性及光波形,并探讨用法布里—泊罗半导体激光器作更高速率的数字通信光源的可能性。     

大功率半导体激光器驱动电路

为实现30 W连续掺Yb光纤激光器,设计一种大功率（10 A）半导体激光器（LD）的驱动电路,该恒流源电路采用功率场效应管作电流控制元件,运用负反馈原理稳定输出电流,正向电流0 A～10 A连续可调,纹波峰值为10 mV,输出电流的短期稳定度达到1×10-5,具有过流保护、防浪涌冲击的功能。实际应用在30 W连续掺Yb光纤激光器中,结果表明该驱动电路工作安全可靠。     

半导体激光器驱动电路的设计

当前成熟的激光器驱动芯片均为针对数字光输出的数字驱动芯片,无法满足卫星通信、雷达等领域对于宽带模拟激光器驱动的要求.采用蝶形封装分布反馈式激光器组件,通过对自动功率控制(APC)电路、自动温度控制(ATC)电路和工作参数检测电路的改进,设计了适用于模拟激光器的驱动电路.实验结果表明:驱动电路的幅度响应增益均值为2 dB...     

MOS功率驱动高速脉冲激光器的研究

运用经典电路理论,对MOS功率管的开关特性、驱动原理进行了分析,导出了应用MOS功率管实现高速大电流开关应遵从的原则和方法,并成功地实现了光脉冲上升时间小于5ns、下降时间小于10ns,驱动电流达10～50AP-P激光器电源的要求.     

InGaAs／GaAs应变层量子阱激光器深中心行为

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术研究分子束外延（ＭＢＥ）和二次液相外延（ＬＰＥ）生长的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子季阱激光器深中心行为．在ＭＢＥ激光器的ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ组分缓变层和限制层里，除众所周知的ＤＸ中心外，还观察到有较大俘获截面的深（空穴、电子）陷阱及其相互转化．这些陷阱可能分布在ｘ从０到０．４０和ｘ—０．４０的ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ层里ｘ值不连续的界面附近．而在ＬＰＥ激光器的ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ组分缓变层和限制层里，ＤＸ中心浓度明显减少，且深（空穴、电子）陷阱消失     

10Gb/s光调制器InGaP/GaAs HBT驱动电路的研制

采用自行研发的4英寸InGaP/GaAs HBT技术,设计和制造了10Gb/s光调制器驱动电路.该驱动电路的输出电压摆幅达到3V_pp,上升时间为34.2ps(20~80%),下降时间为37.8ps(20~80%),输入端的阻抗匹配良好(S11=-12.3dB@10GHz),达到10Gb/s光通信系统(SONET OC-192,SDH STM-64)的要求.整个驱动电路采用-5.2V的单电源供电,总功耗为1.3W,芯片面积为2.01×1.38mm².     

光纤激光器泵浦源驱动电路的设计

根据通信用光纤激光器泵浦源的要求,结合半导体激光器的特性,设计了一款高性能、低成本的激光器驱动电路(包括恒流电路、控制电路和保护电路)。恒流电路采用达林顿管作为调整管,利用集成运放的深度负反馈实现恒流输出。经实验验证,本设计系统恒流源稳定度达0.03%,纹波较小,可实现对光纤激光器泵浦源激光二极管(LD)的驱动。     

微型化大电流脉冲激光器驱动电路研究

设计了一种用于与激光二极管芯片进行集成的基于MOSFE场效应管的大电流脉冲驱动电路方案,计算了限流电阻对驱动电路中储能电容性能的影响,分析了MOSFET场效应管峰值驱动电流与开通时间的估算公式,通过仿真软件研究了激光器的寄生电感对驱动电路波形的影响;理论和仿真结果表明,通过驱动电路与激光器芯片的一体化集成,提高了脉冲激光器性能,设计并制作了尺寸为14mm的微型化驱动电路;经测试,27V直流电压源驱动下,驱动信号上升时间小于15ns,脉宽25~150ns,最大占空比0.5%,输出幅值大于22V。     

DC-10Mb/s 0.5μm CMOS激光器驱动电路的实现

设计并实现了一种适用于DC-10Mb/s速率、兼容TTL和CMOS输入电平的激光器驱动电路.该电路通过片外电阻可以独立地设置激光器发送光脉冲的'1'功率和'0'功率,并以闭环方式实现稳定的'1','0'发送光功率.介绍了一种新颖的峰-峰值光功率检测的工作机制,并能得到稳定的峰.峰值光功率.整个电路采用CSMC 0.5μm混合信号CMOS工艺实现,芯片最大输出驱动电流为120mA,在不要求输入码型的情况下,发送光脉冲的消光比波动在-20～+80℃范围内小于0.6dB.     

MBE生长高质量GaAs／AlGaAs量子阱激光器

我们利用分子束外延方法研制了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ缓交折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱和双量子阱激光器．对腔长为６００μｍ的端面不镀膜的宽接触条型Ｆ－Ｐ腔激光器，阈值电流密度（平均值）分别为２９０Ａ／ｃｍ２和２４０Ａ／ｃｍ２．腔长在１２００μｍ的双量子阱激光器的阈电流密度低达１９０Ａ／ｃｍ２．对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型（８０μｍ）．激光器，线性输出功率高达１．８２Ｗ；出光面的斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ；利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达８ｍＡ     

DC-10Mb/s 0.5μm CMOS激光器驱动电路的实现

设计并实现了一种适用于DC-10Mb/s速率、兼容TTL和CMOS输入电平的激光器驱动电路.该电路通过片外电阻可以独立地设置激光器发送光脉冲的‘1’功率和‘0’功率,并以闭环方式实现稳定的‘1’,‘0’发送光功率.介绍了一种新颖的峰-峰值光功率检测的工作机制,并能得到稳定的峰-峰值光功率.整个电路采用CSMC 0.5μm混合信号CMOS工艺实现,芯片最大输出驱动电流为120mA,在不要求输入码型的情况下,发送光脉冲的消光比波动在-20- ＋80℃范围内小于0.6dB.     

半导体激光器驱动电路设计

为了提高半导体激光器(LD)的使用寿命,确保激光器发射信号的质量,设计了一款高性能、低成本的激光驱动电路,包含慢启动电路、恒流电路和保护电路三部分。在TINA环境下进行模拟,结果显示该驱动电路满足设计需求,对类似电路设计有很好的借鉴作用。     

半导体激光器的大电流窄脉冲驱动电路的研究

介绍利用高频小功率晶体管的雪崩效应设计激光器的大电流窄脉冲驱动电路,对该电路建立了数学模型,并对电路参数进行了仿真。实验制作了产生宽度约为１０ｎｓ,峰值约２０Ａ的脉冲电路,仿真结果与实验相吻合,因此,对实际应用有一定的指导意义。     

实用小功率半导体激光器驱动电路的设计

半导体激光器的稳定性取决于驱动电源.结合消光比测试仪要求,设计了基于脉宽调制芯片UC3842的实用半导体激光器驱动电源.该驱动电源适用于功率较小的半导体激光器,输出占空比和频率可调的驱动信号,使之输出一定频率的调制光信号,实现了慢启动、高频及过压过流等保护功能,能使半导体激光器在室温下安全工作.通过实验结果分析,证明了方案的可行性,满足测试仪的要求.     

2.5Gb/s GaAs MESFET定时判决电路

设计了2.5Gb/s光纤通信用耗尽型GaAs MESFET定时判决电路.通过SPICE模拟表明恢复的时钟频率达2.5GHz,判决电路传输速率达2.5Gb/s.实验证明经时钟信号抽样后判决电路可产生正确的数字信号,传输速率达2.5Gb/s.