一种高电源噪声抑制比的LDO设计

在分析LDO中频段电源噪声抑制比的基础上,采用自适应偏置结构,设计了一种高电源噪声抑制比的LDO电路。通过进一步引入基于高通滤波器的电源噪声抑制增强电路,提升了LDO在中频段电源噪声抑制比。电路采用0.13 μm CMOS工艺设计,整个芯片面积为0.123 mm²,静态电流为29.3 μA,功率管上电压降为0.2 V。LDO的电源噪声抑制比在100 kHz时为65 dB,在2 MHz时可达75 dB。     

凌力尔特公司线性稳压器

凌力尔特公司，（Linear Technology Corporation）推出新型、温度范围更宽的LT1763和LT1764A大电流、低噪声线性稳压器。新的“MP”级器件具有-55℃至＋125℃的工作温度范围，适用于航空电子设备、军事、工业、射频和电信等多种应用。LT1764A是一种3A LDO，在10Hz至100kHz带宽范围内具有40uVRMS的低输出噪声，适用于为射频电路供电。1mA的电源电流在停机模式时降至低干1uA。LT1764A可用2．7V至20V的输入电源工作，从而确保与多种输入电源兼容。输出电压在1．21V至20V之间是可调的。     

用于RFID阅读器的低噪声高电源抑制比LDO

基于0.18 μm CMOS工艺,提出了一种为UHF RFID阅读器中VCO供电的低噪声、高电源抑制比LDO。根据LDO的基本结构,对噪声和电源抑制比进行了分析。采用两级结构,通过预调制级和低通滤波器来降低输出噪声,采用电源负反馈结构为带隙基准电路提供独立电源,并在功率输出级增加减法电路来提高电源抑制比。仿真结果表明,该LDO在100 kHz和1 MHz处的输出噪声分别为26 nV/Hz1/2和6.7 nV/Hz1/2,10 kHz和1 MHz处的PSRR分别为-82 dB和-71.6 dB。在3.3 V电源电压供电时,LDO消耗的静态电流为300 μA。     

一种ADC电源方案设计与电源完整性分析

为合理利用机箱空间、减少电源芯片使用数量,提出了一种20片模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)芯片供电方案,既可减小不同频段ADC芯片因输入相同电源造成信号干扰的可能,也可减少低压差线性稳压器(Low Dropout Linear Regulator,LDO)的使用数量,充分利用电源芯片的供电能力,大大降低了模块开发成本。与传统电源方案相比,该方案中电源芯片使用数量减少一半,电源布局面积缩小60%。同时通过仿真可提前识别出其中一路LDO芯片输出的2.5 V电压在到达ADC芯片时未能达到ADC芯片输入的最小电压要求。结合静态压降公式提出3种优化方法,均可达到ADC芯片输入的最小电压要求。采用第2种优化方法,回板实测结果显示3个芯片接收到的电源电压差值为0.3 V,与仿真结果一致。     

PECL终端电源

用于高速通信系统的正射极耦合逻辑(PECL)对电源电压的要求比较特殊,需要一个+3.3V的正电源(Vcc)和一个终端电源:VTT=VCC-2V=+1.3V,VTT根据Vcc进行调节,必须能够吸收电流.大多数正极性低压差(LDO)线性稳压器不能吸入电流,只好设计负的LDO以满足这一需求.图1所示电路对负的LDO加以修改,可以提供正电压.图中,GND引脚接Vcc,IN引脚接地,使负电源提供正的电源电压.     

电源

德州仪器移相扩容式控制器；凌力尔特3mm x4mmDFN封装内包括IA降压型DC-DC转换器和两个300mA VLDO稳压器；IR推出新型500V和600V集成电路；Microchip具备关断，用户可编程的电源正常指示及绑定线补偿功能的单芯片1．5A LDO[编者按]     

LT3668：降压型开关稳压器

Linear推出400mA、40V降压型开关稳压器LT3668,该器件具备双跟踪LDO输出,采用MSOP-16E封装。LT3668提供了一款完整和坚固的电源解决方案,适用于要求传感器电源紧密地跟踪测量ASIC电源的应用。LT3668在4．3V～40V的VIN．范围内工作,具60V瞬态保护,从而非常适合汽车和工业应用。其内部600mA开关可以提供高达400mA的电流,该电流分配给主输出和两个跟踪LDO组成的组合负载。     

Enpirion最新转换器突破了传统DDR电源解决方案

Enpirion公司近日发布了其DDR存储器终端电源的电源集成电路（IC）产品组合的新成员。Enpirion EV1320是2A（sink／source）DDR终端转换器,最高效率达到96％——比传统LDO（低压差）稳压器解决方案省电1．4瓦,同时拥有低成本、小尺寸的优点。EV1320VTT转换器接受0．95至1．8V的输入电压。     

安森美半导体的新型双模式稳压器为便携应用提供设计灵活性和高功效

针对便携电子产品对高功效稳压器的需求 ,安森美半导体推出双模式系列的第二款器件———NCP15 0 1,这是具有低压降 (LDO)模式的脉宽调制(PWM )降压转换器。该款新器件可理想应用于包括手机、PDA、数码相机等便携应用的电源管理以及数字信号处理器 (DSP)内核电源。通过在普通至高电流负载时使用PWM模式 ,而在甚轻负载时转换至LDO模式 ,以消除PWM静态电流、转换损耗和噪声 ,从而在整个工作范围内保持高效率的电压转换。该转换器具有四种数字式固定输出电压选择 (1.0 5V、 1.35V、 1.5 7V与 1.8V )。NCP15 0 1集结MOSFET、上升…     

一种模数混合型LDO的设计

针对传统模拟低压差线性稳压器(LDO)在低电源电压下性能不足等问题,提出了一种模数混合型LDO的设计方法。通过对传统模拟LDO结构中的误差放大器输出端进行信号采样,增加数字控制回路,实现对输出电压的精确控制。提出的LDO基于中芯国际(SMIC)180 nm CMOS工艺设计。仿真结果表明,该LDO在数字控制时钟为1 MHz,输入电源电压为0.9～1.5 V时,输出电压为0.8～1.4 V,最大负载电流为500 mA,静态功耗为75μA,电流效率高达99.9%,负载调整率为1.8%,线性调整率为0.9%。