1550nm改造的经验之谈

自2008年,番禺有线已经率先启动有线电视信号光传输技术1550nm改造项目。经过2年多的改造工作,全区20多个分机房的有线电视信号光传输部分,基本上已经顺利完成从旧有的1310nm光传输技术改造成1550nm光传输技术。1310nm光传输技术与1550nm光传输技术的比较:     

采用1550nm＋EPON＋Overlay技术建设铜山县有线电视新网络

1550nm＋EPON＋Overlay是一种新型光纤接入网技术,对1550nm＋EPON＋Oveday的网络结构和技术本质作了详细的介绍,具体论述RF—Overlay EPON的优越性,探讨EPON技术规划和以太无源光网络EPON、OLT光线路终端、OUN光网络单元、RF Overlay射频叠加等技术的应用。     

城市HFC光纤联网方案比较分析

城市有线电视光纤网络物理结构一般由主干环网及分中心的二级星型光网络组成，可以采用不同波长的光系统灵活组网，具体来讲可以采用1550nm＋EDFA，1550nm＋1310nm，1310nm＋1310nm3种方式，分别对其综合性能进行比较分析（回传一般都采用空分法，其传输的各项要求均相同，因此未作比较）。     

光纤色散对CATV-1550nm模拟传输系统影响的分析及措施

随着1550nm模拟外调制光发射机技术和1550nm光纤放大器技术的成熟,1550nm模拟传输技术在CATV领域获得广泛的应用。我局1550nm传输系统从1996年投入运营到现在已经近十年了,在这期间我们先后做了几次技术改进同时也总结了一些经验。这十年间光纤传输技术取得了飞速的发展,特别是数字光纤传输技术可以说是突飞猛进,传输波长已经发展到S-Band＋C—Band＋L—Band全波段传输,数字传输速率也达到了40Gb／s,     

兴化市有线电视城乡1550nm光纤传输系统联网技术方案

兴化有线电视城乡光纤联网（1310nm系统）于1997年建成，本文通过对光传输1550nm系统与1310nm系统优劣的比较，指出1550nm系统是今后网络发展的方向，此次网络升级改造是在原有1310nm系统的基础上．通过增加1550nm光发射机、光放大器以及线路扩容、加芯等技术手段来有计划分阶段地实施1550nm改造工程，并对回传业务．指标分配．实施步骤等作了简要的论述。     

构建基于波分复用技术的综合信息网络

本文分析了采用1550nm波长发射机和波分复用技术组网的技术方案。并介绍了福州广电在新店地区采用波分复用技术及数字化回传进行双向网升级改造和以太网接入的实施情况。     

Aurora公司专栏构建基于波分复用技术的综合信息网络

本文分析了采用1550nm波长发射机和波分复用技术组网的技术方案,并介绍了福州广电在新店地区采用波分复用技术及数字化回传进行双向网升级改造和以太网接入的实施情况.     

平原地区农村1550nm光网络及插播技术设计与实践

本文以桐乡市的广播电视传输网络升级改造的实践为例,着重阐述了平原地区农村CATV 1550nm光传输系统的主要设计思路,以及镇村两级信号的1550nm波长和1310nm波长插播方式特点与技术选择。     

宁波市鄞州区广播电视台1550nm＋EPON网络改造

本文讲述了宁波市鄞州区广播电视台网络改造的方案设计原则、设计思路，A／B平台的实施部署，阐明了1550nm＋EPON技术构架的优越性，同时总结了网络改造以来的实际运行效果。     

模拟1550nm长距离光传输应注意的3个问题

目前在进行市一县有线电视联网过程中,经常会遇到长距离传输（超过100km）的情况,对于这种长距离传输有线电视,有两种技术方案可供选择,一种选用SDH传输技术。另一种选用模拟1550nm光传输技术（简要概括就是：1550nm外调制光发射机＋光放大器EDFA＋色散补偿器）。SDH由于其造价过于昂贵,很多地区无法承受,并不适合于所有地方的市一县有线电视联网,而模拟1550nm光传输因其建设成本低,成为许多地区进行市一县有线电视联网的首要选择。包头市在与所管辖旗县（最远的旗县距离包头200多km）进行有线电视联网时,考虑到建设成本,为了减少资金投入,     

50nm SOI-DTMOS器件的性能

利用二维器件模拟软件ISE对5 0nm沟道长度下SOI DTMOS器件性能进行了研究,并与常规结构的SOI器件作了比较.结果表明,在5 0nm沟长下,SOI DTMOS器件性能远远优于常规SOI器件.SOI DTMOS器件具有更好的亚阈值特性,其亚阈值泄漏电流比常规SOI器件小2～3个数量级,从而使其具有更低的静态功耗.同时,SOI DTMOS器件较高的驱动电流保证了管子的工作速度,并且较常规SOI器件能更有效地抑制短沟道器件的穿通效应、DIBL及SCE效应,从而保证了在尺寸进一步减小的情况下管子的性能.对SOI DTMOS器件的物理机制进行了初步分析,揭示了其性能远优于常规结构的物理本质     

是用1 310 nm还是用1 550 nm设备

从1310nm和1550nm两个光窗口特点入手，分别介绍了1310nm和1550nm光设备的结构和基本工作原理，并以图表的形式简明扼要地比较了两类光设备的特点和性能，最后从网络性价比的角度以实例介绍了1310nm和1550nm光设备选用的基本原则。     

Sub-40 nm SOI V-groove n-MOSFETs

We present output and transfer characteristics of single-gated, 36 nm, 46 nm and 56 nm channel length SOI MOSFETs with a V-groove design. For the shortest devices we find transconductances as high as 900 μS/μm and drive currents of 490 μA/μm at V_gs - V _th=0.6 V. The V-groove approach combines the advantages of a controlled, extremely abrupt doping profile between the highly doped source/drain and the undoped channel region with an excellent suppression of short-channel effects. In addition, our V-groove design has the potential of synthesizing devices in the 10 nm range     

Er/Yb共掺双包层OFA中1060nm辐射实验研究

文章分析了在Er/Yb共掺双包层光纤放大器(OFA)中产生1 060 nm波段辐射的原因,通过后向泵浦和前向泵浦的实验手段,研究了此波段辐射的光谱特性,并与单掺Yb OFA进行了比较,说明了掺Er离子的吸收作用,使输出光谱波长往长波长方向漂移.增大泵浦功率时,1 060 nm波段的辐射功率相应增加,因此为避免自激应加以抑制.     

Performance vs. reliability adaptive body bias scheme in 28 nm & 14 nm UTBB FDSOI nodes

This paper shows the advantages of using body bias. Experiments are performed in 14 nm and 28 nm UTBB FDSOI transistors and ring oscillators (ROs). The impact of body bias on performance and reliability is highlighted. The body biasing offers significant advantages for adapting the tradeoff between reliability and performance in logic circuits without changing the design margins. With FDSOI technology, we have an additional degree of freedom of process variability compensation by using body bias voltage (Adaptive Body Bias, ABB) next to supply voltage compensation used before. We show that ABB compensation technique presents better results for a complete power optimization.     

LD泵浦和频593 nm黄光激光器

报道了一种单LD泵浦Nd:YVO4双晶体腔内和频实现黄光激光的有效方法,并对其进行了理论分析、实验装置的设计和实验验证。该装置由半导体激光器、光学耦合系统(CO)、Nd:YVO4镀膜晶体、镀高反膜的平凹镜、镀增透膜的LBO、镀高透膜的全反镜组成。实验采用V型谐振腔,在中心波长为808.7 nm、5 W抽运功率下,利用Ⅰ类临界相位匹配LBO作为和频晶体,获得了244 mW、593 nm的黄光输出,光-光转换率为4.9%,激光不稳定度为5%。实验结果表明:采用V型谐振腔进行腔内和频,可以获得593 nm的黄光激光,并且结构紧凑、转换效率高,可以应用到很多种和频激光器中。     

A continuous 1 052 nm and 1 061 nm dual-wavelength Nd:YAG laser

Exploiting a specially designed Fabry-Perot filter as output coupler, a continuous 1 052 nm and 1 061 nm dual-wavelength laser is realized. The threshold, slope efficiency and maximum power of the 1 052 nm and 1 061 nm dual-wavelength laser are 2.55 W, 17.5% and 571 mW, respectively. The competition and coexistent relationships between 1 052 nm, 1 061 nm and 1 064 nm are analyzed. Involved non-degenerate Stark energy level structures are used to classify dual-wavelength lasers. According to this method, dual-wavelength lasers can be classified as different upper and lower non-degenerate Stark energy levels, the same upper but different lower Stark energy levels, different upper but the same lower Stark energy levels. Representative Nd:YAG dual-wavelength lasers are classified according to this criterion. It is found that the realization of front two type lasers is easy and that of third type lasers is challenging. This method can be used as a level of difficulty reference for the realization of dual-wavelength lasers.     

电光调Q 1064nm/532nm脉冲激光器

报道了一种用于产生THz波的电光调Q脉冲激光器,重复频率为1Hz、10Hz,输出1064nm、532nm可方便转换.当腔长310mm,输入能量为16J时,输出的1064nm调Q脉冲能量210mJ,电光转换效率1.3%,平均脉宽13ns,532nm脉冲能量110mJ,倍频效率50%,脉宽9~12ns.并对实验结果进行了分析和讨论.     

355 nm增透膜的设计、制备与性能

用热舟蒸发法结合修正挡板技术制备了355 nm LaF3/MgF2增透膜,并对部分样品进行了真空退火.采用Lambda 900光谱仪测试了增透膜的低反光谱和透射光谱,并考察了其光谱稳定性;使用脉冲8 ns的355 nm激光测试了增透膜的激光损伤阈值(LIDT);采用Normarski显微镜对增透膜的表面缺陷密度和破斑形貌进行了观察.实验结果表明,制备得到的增透膜的剩余反射率较低,光谱稳定性好;真空退火对增透膜的激光损伤阈值没有改善;增透膜的破环形貌为散点形式,结合破斑深度测试表明薄膜的破坏源于薄膜和基底界面的缺陷点.JGSl熔石英基底由于有好的表面状况、固有的高激光损伤阈值和以其为基底的增透膜具有更低的表面场强,使得其上的增透膜有更高的抗激光损伤能力.