压接连接工艺技术研究

介绍了压接连接技术的概念和特点,比较了压接连接与锡焊连接的特点及优势;对电子产品中常用的各种冷压端子进行了归类,介绍了闭合压线筒端子、开式压线筒端子的压接方法、工艺技术要求及检验标准;总结了压接工艺中导线的选用与处理方法、工具的使用及要求以及导线端头的处理等通用工艺。     

压接连接工艺技术

文章通过压接连接工艺技术与锡焊工艺技术进行性能比较,提出压接连接工艺技术的优越性。并规定了其工艺操作的技术要求、性能要求和质量保证要求。     

压力对换流阀用压接型IGBT器件功率损耗的影响

功率损耗一直是功率半导体器件应用时备受关注的问题.压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件靠外部压力使内部各个组件保持电气和机械连接,因此压力直接或间接地影响着压接型IGBT器件的功率损耗.将压接型IGBT器件工作时产生的结温作为耦合变量引入,基于此建立了IGBT器件应用于调制脉宽(PWM)换流设备时的功率损耗计算模型,并详细分析了影响功率损耗的各种因素,包括机械压力、开关频率等.以换流阀用3 300 V/1 500 A压接型IGBT器件为例,采用有限元法研究了压力对压接型IGBT器件功率损耗的影响,重点探讨了器件内部各芯片功率损耗的变化情况.结果表明,增加压力一定程度上可以降低压接型IGBT器件的功率损耗,改善器件内部芯片结温分布不均的问题.     

具有压接功能高纵横比盲孔的PCB工艺开发

主要介绍了高纵横比金属化盲孔实现器件压接功能的产品工艺开发。通过金属化盲孔压合后电荷耦合器件（CCD）控深钻孔的工艺,控制同一个孔前、后两次钻孔的对位精度,使金属化盲孔满足压接信号模组器件的设计要求,解决了传统压接孔设计只能是通孔而无法实现金属化盲孔压接的技术难题。     

XKE连接器压接工艺实验研究

介绍了压接工艺技术的概念及特点;比较了压接技术与焊接技术相比的优点：无需外接电源、可靠性高、体积小和质量轻等;针对手动SYQ-001/002型压接工具与XKE连接器开展了相关工艺研究;利用拉脱力实验仪采集了三组共15个样本的拉脱力实验数据;通过对拉脱力实验数据的分析和对断层图片的判读,提出了影响压接质量的五个重要因素;总结了压接技术中常见的故障模式与故障原因。     

压接连接工艺技术研究

概述了压接技术的概念、原理、设计要点和应用及其检测.通过实际应用,为了满足导线截面与插针孔孔径匹配,需分叉时用接头.总结出了导线与接头压接的典型压接工艺流程和控制点,并测试抗拉强度.     

背板的压接设计

根据近几年的工作经验,详细地叙述了压接技术的特点,并从压接器件和模具头的选用,印制板生产的技术要求,高低针设计和支撑模具四方面阐述了系统内背板(Backplane)压接设计的实现。     

ERNI推出经济、可靠的垂直型D-sub连接器

作为整个D—sub连接器家族重新设计的一部分，ERNI推出了压接式垂直D—sub系列。此新产品配合原先的的表面贴型和通孔回流焊型的直角公与母D-sub，连接器组成一个完整的D—sub连接器家族。该经济型连接器可靠性高，适用于现代I／O接口。此压接式D—sub连接器提供6．3毫米与9．0毫米装配高度，有9、15、25及37针数，     

PFMEA在压接装配中的应用研究

介绍了压接装配过程的技术要求及质最分析,明确了压接控制要求和控制方法,提出了压接工艺要求.为了保证压接连接过程的质量与可靠性,需要采用科学的方法来研究压接装配过程.将PFMEA这一可靠性研究工具引入压接装配过程,简介PFMEA的应用流程,并以某型电缆插针压接装配流程为例,说明应用PFMEA研究压接装配过程的实施方法.     

压接型连接器导线引起的低温信号传输故障分析

文章针对一例压接型连接器因导线与压接件不匹配而引起的低温新号传输故障,以GJB5020-2001标准为指导,从电阻、耐拉力、金相分析等多个方面对失效机理进行了分析。     

为耐用和可靠而设计的4．5kV压接式封装IGBT

介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)一在这种新器件的开发期问，特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上，其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发生某些不均匀现象，这种压接式封装的IGBT因其独特的设计，对每个芯片都用单独的压针压紧，因而它们都会发挥其完善的功能。进而．材料的选择也得到优化．以保证在野外也能达到极高的可靠性。在功率循环次数及在故障情况卜运行之间的折衷平衡点亦已被推向新的限界．这里的IGBT和二极管二者的芯片都基于SPT(软穿通)技术。先进的IGBT平面元胞设计与二极管精密的寿命控制工程相结合，这样的芯片就具备了崭新的安今工作区。这就大大便利了系统的设计，使原先使用的夹具或减振器成为过时。     

压接工艺及装配技巧

主要针对低频连接器压接特点,进行了压接工艺应用研究.在工艺试验的基础上,掌握了压接工艺的关键要素,明确了压接控制要求和控制方法,提出了压接工艺要求.重点讨论了处理屏蔽线时的压接装配技巧,为生产和设计提供参考.     

为耐用和可靠而设计的4．5kV压接式封装IGBT

介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发生某些不均匀现象,这种压接式封装的IGBT由于其独特的设计,对每个芯片都用单独的压针压紧,因而它们都会发挥其完善的功能。进而,材料的选择也得到优化,以保证在野外也能达到极高的可靠性。在功率循环次数及在故障情况下运行之间的折中平衡点亦已被推向新的限界。这里的IGBT和二极管二者的芯片都是基于SPT(软穿通)技术。先进的IGBT平面元胞设计同二极管精密的寿命控制工程相结合,这样的芯片就具备了崭新的安全工作区。这就大大便利了系统设计,使原先使用的夹具或减振器成为过时。     

PCB用可拆卸压接式电缆组件的研制

为了满足板间印制电路信号传输领域的新需求,展开了印制电路板(PCB)用可拆卸压接式电缆组件的研制。通过耐高温耐高压全氟乙烯丙烯共聚物(FEP)绝缘单芯电线、鹰爪式可拆卸压接式端子、2.54mm节点间距的矩形连接器、带端子插杆的紧固件、自锁机构和防误插机构的设计,确保该PCB用可拆卸压接式电缆组件满足小体积、大电流、高可靠等设计要求。经检测,该电缆组件的电缆外径1.6mm、端子间距2.54mm、传输电流10A、绝缘电阻≥1.5×10^(5) MΩ·km、接触电阻<10mΩ、介质耐电压≥1.2kV,已达到国外同类产品技术水平。     

逆变器创新设计解决方案——采用免焊接的压接式管脚、双联封装结构和输出电流电阻取样的方式

本文介绍了逆变器创新设计解决方案。新型的免焊接式自动压接技术(PressFIT)不仅缩短了模块装配时间,同时还提高了装配的强度和连接的可靠性。     

压接式IGBT芯片的研制

基于现有工艺平台开发了一款具有自主知识产权的3 300V/50A非穿通型(NPT)压接式IGBT芯片。该芯片元胞采用平面型结构,元胞注入采用自对准工艺,背发射极采用透明集电极技术。为适用于压接封装,避免压力对MOS沟道的影响,在有源区淀积第二层厚金属铝,并在JFET区上方用场氧垫高。终端采用场环+多级场板复合结构,结合横向的场终止技术,实现高效率的终端结构设计。将此设计进行流片验证,测试结果显示击穿电压4 200V以上,饱和压降3.75V,阈值电压7.1V,实测值和仿真值相差不大。将压接式芯片封装成3 300V/600A压接式模块,饱和压降较芯片级偏小0.05V。     

JY型连接器压接工艺技术

连接器广泛应用于航空航天、军工、电子产品等领域。作为系统最小和最基本的单元,在使用过程中,它很容易出现各种影响产品质量和可靠性的问题,因此为了保证产品质量和提高产品的可靠性,有必要对其进行工艺应用研究。概述了JY型连接器的压接工艺流程,并对其中主要工序设计进行了分析。为了验证产品的压接质量,进行了工艺试验,测试了抗拉强度,结果满足要求。通过实际应用,提出了其常见故障及解决措施。     

插针线缆压接工艺技术

文章介绍了插针压接工艺过程的技术要求及质量分析,提出了检验压接的基本方法。     

压接型IGBT器件升温曲线测量方法

利用热网络模型和有限元仿真分析了压接型IGBT器件升降温曲线不具有等效性的原因,研究了压接型IGBT器件升温曲线的测量方法,对比了大电流通态压降(V_CE)法和大电流阈值电压(V_GE,th)法的测量原理,对压接型器件的适用性和测量准确度等。仿真结果表明,接触热阻在升温和降温阶段受压力的影响出现了不同的变化趋势,导致了升降温曲线的非等效性。实验结果表明,大电流V_GE,th法有效降低了压力对测量带来的影响,测量更为准确,测量误差基本在1 K以内,低于大电流V_CE法,为压接型IGBT器件进一步的多物理场耦合研究和老化监测提供了参考。此外,实验结果还表明压接型IGBT器件在升降温过程中,压力变化越大,升降温曲线的差异越明显。     

压接式GCT封装的热特性分析

电力半导体器件的散热性能和热可靠性与其封装结构密切相关,选择合适的封装结构对改善器件的散热性能和提高热可靠性非常重要。文中根据压接式GCT器件封装结构特点,采用ANSYS软件利用有限元法分析了单芯片封装和多芯片封装结构的温度及热机械应力分布,并与常规的焊接式封装进行了对比。结果表明,压接式封装结构的散热效果比焊接式封装结构稍差,但其芯片上产生的热机械应力明显减小。多芯片封装采用常规的风冷散热器时芯片温度已经超过了器件的安全工作温度(125℃),应该采用热管散热器才能保证器件可靠地工作。