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溅射制取薄膜的过程是把薄膜基片置于靶侧,由于离子的轰击,薄膜就飞散消失了。用此原理,若把绘有抗蚀剂图形的薄膜置于靶侧,因此也完全能够形成薄膜图象。在溅射腐蚀中,一般采用射频(RF)法。而直流(DC)法,由于光致抗蚀剂带电导致不能形成精细的线条。射频溅射腐蚀法的特点归纳如下: 相似文献
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可重复使用液氧液甲烷火箭发动机在研制试验阶段,为了研究发动机在不同混合比、不同推力状态下的工作性能,需要在点火试验过程中实现推进剂贮箱的变增压,调节发动机入口的推进剂压力和流量,改变混合比从而控制发动机的推力。采用国产台达可编程逻辑控制器,设计贮箱变箱压控制系统,采用WPLSoft开发软件编写PLC控制程序,根据压力变送器获取箱压反馈值Px与箱压设定值Pset比较,通过误差带控制算法控制主增电磁阀和补增电磁阀开启关闭,维持贮箱压力稳定在设定值。通过触摸屏输入多个箱压设定值,不同试验阶段箱压设定值亦不同,贮箱压力跳转并稳定在新设定的箱压值,实现贮箱的变箱压控制。 相似文献
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《半导体技术》1976,(1)
目前,以集成电路为代表的微电子学器件用的微细图形,都是由以照相和化学腐蚀相结合的光刻技术制得的。但是随着图形的进一步微细化,在许多情况下要实现高精度的腐蚀很困难。由于水溶液容易使腐蚀表面氧化。化学药品的水溶液又会产生公害,这些构成了化学腐蚀的弱点。一种可以克服化学腐蚀上述弱点的方法是溅射腐蚀。由于这种方法利用离子轰击和活泼的氟化乙稀气体等离子体的化学反应来进行溅射腐蚀的,对于用其它方法很难腐蚀的物质,它都可实现高精度腐蚀,溅射腐蚀的优点是(1)可以对亚微米图形进行极稳定的腐蚀。(2)对铝的腐蚀速度较快。(3)可以腐蚀用化学药品很难腐蚀的二氧化硅和氧化铝等。(4)不会产生公害。溅射腐蚀后的样品表面,经俄歇电子分析没有发现C和Ce原子,这证明腐蚀非常干净,溅射腐蚀用于半导体器件制作工艺最担心的是对器件的损伤,但在制作对轰击损伤非常敏感的MOS器件时,器件的性能同采用化学腐蚀的场合完全相同。溅射腐蚀最有代表性的应用实例是制作集成电路掩膜。它既可满足高密度又可满足高精度的要求,因此是一种腐蚀加工微细图形的有效方法,也必将成为半导体工业中一种不可缺少的重要技术。 相似文献
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Tegal1500系列是平板式反应离子腐蚀/等离子腐蚀设备,其基本设计构思是采用二个频率、三个电极方式而获得的预期工艺控制性和采用完整的组件结构而构成的特殊的硬件。基于这一设计构思,1500系列腐蚀设备既可以满足研究开发所需求的多样性工艺,又可以满足生产线的高可靠性、高实动率这一大生产要求。 相似文献
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