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采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面蓝宝石衬底上异质外延厚度1μm、具有原子级平整表面的高质量氮化铝(AlN)外延层.并在此高质量AlN薄膜的基础上开发了基于纳米压印光刻技术、干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的工艺,通过自上而下的方法制备得到了大面积范围内规则排列的AlN纳米柱阵列,纳米柱的高度和直径分别为1μm和535 nm.研究结果表明,高晶体质量的AlN材料以及基于AZ400K溶液的湿法腐蚀工艺是制备无腐蚀坑且侧壁光滑的垂直AlN纳米柱阵列的关键.AlN纳米柱阵列的制备为深紫外纳米柱发光器件的研究奠定了基础. 相似文献
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本文总结了近年来我们在功能准一维纳米结构材料研究方面所获得的一些有意义的结果。借助于现代电子显微镜技术,不仅研究了硅、氮化稼、氧化锌等一维纳米材料的形貌和显微结构,还研究了其一维择优生长机理及小尺度效应。尤其是利用高能量分辨电子能量损失谱、高角环形暗场探头等先进技术,解决了一个传统X-光等结构分析手段所不能解决的难题,分析了一种SiOx/SiC复合纳米电缆的成份与结构。 相似文献
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一维纳米结构的拉伸力学测试 总被引:1,自引:0,他引:1
对一维纳米结构开展轴向拉伸测试时,面临着样品制备、装载、拉伸、样品的轴向应力与应变的高精度测量等难点,解决途径包括改造现代显微仪器、研制MEMS力学测试芯片及发展一维纳米样品的制备与装载技术。从实验使用的测试仪器及拉伸方式出发,将目前发表的一维纳米拉伸实验分为基于探针、MEMS和电子束辐照开展的拉伸实验,并对各种实验方法进行了比较。发现基于MEMS的拉伸实验由于其对测试仪器的改造小、花费少、且通过设计制作不同测试功能的芯片可实现多样测试,是更有发展前景的测试技术。 相似文献
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Meng Wei Xiaoliang Wang Xu Pan Hongling Xiao CuiMei Wang Qifeng Hou Zhanguo Wang 《Materials Science in Semiconductor Processing》2011,14(2):97-100
We studied the influence of high temperature AlN buffer thickness on the property of GaN film on Si (1 1 1) substrate. Samples were grown by metal organic chemical vapor deposition. Optical microscopy, atomic force microscopy and X-ray diffraction were employed to characterize the samples. The results demonstrated that thickness of high temperature AlN buffer prominently influenced the morphology and the crystal quality of GaN epilayer. The optimized thickness of the AlN buffer is found to be about 150 nm. Under the optimized thickness, the largest crack-free range of GaN film is 10 mm×10 mm and the full width at half maximum of GaN (0 0 0 2) rocking curve peak is 621.7 arcsec. Using high temperature AlN/AlGaN multibuffer combined with AlN/GaN superlattices interlayer we have obtained 2 μm crack-free GaN epilayer on 2 in Si (1 1 1) substrates. 相似文献
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Xiaoyue Zhang Ning Tang Liuyun Yang Chi Fang Caihua Wan Xingchen Liu Shixiong Zhang Yunfan Zhang Xinqiang Wang Yuan Lu Weikun Ge Xiufeng Han Bo Shen 《Advanced functional materials》2021,31(15):2009771
The spin injection into 2D electron gas (2DEG) in AlN/GaN heterostructures is studied by magneto-transport measurements. An ultrathin AlN layer at the hetero-interface acts as a barrier to form high-quality 2DEG in the triangular quantum well and a tunneling barrier for the spin injection to overcome the conductance mismatch issue. In this study, Hanle signals and inversed Hanle signals are observed, proving that the spin injection is achieved in the 2DEG in the AlN/GaN heterostructure rather than in the interfacial states. The spin-relaxation time in 2DEG at 8 K is found to be as long as 860 ps, which almost keeps constant with bias and decreases with increasing temperature. The spin-relaxation process is illustrated as Rashba spin-orbit coupling dominated D'yakonov Perel’ mechanisms above 8 K. These results show the promising potential of 2DEG in AlN/GaN heterostructures for spin field-effect transistor applications. 相似文献
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以氯化锌、草酸钠和多酚为原料,通过沉淀反应及调节多酚浓度制得形貌可控的二水草酸锌晶体,再通过热分解得到三维自组装纳米氧化锌结构。分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、热重-差热分析(TG-DTA)和荧光分光光度计(PL)对制备的样品进行表征。结果表明:随着多酚含量的增加,四方块状二水草酸锌出现了中空结构,当多酚浓度达到20mg/mL时晶体变成无规则的小碎块。当多酚含量为3.0mg/mL时,晶体尺寸最大。光致发光谱显示三维氧化锌发出很强的蓝绿光,并随着退火温度的升高而增强。 相似文献
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研究了在图形蓝宝石衬底(PSS)上利用磁控溅射制备AlN薄膜的相关技术,随后通过采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在相关AlN薄膜上生了长GaN基LED.通过一系列对比实验,分析了AlN薄膜的制备条件对GaN外延层晶体质量的影响,研究了AlN薄膜溅射前N2预处理功率和溅射后热处理温度对GaN基LED性能的作用机制.实验结果表明:AlN薄膜厚度的增加,导致GaN缓冲层成核密度逐渐升高和GaN外延膜螺位错密度降低刃位错密度升高;N2处理功率的提升会加剧衬底表面晶格损伤,在GaN外延膜引入更多的螺位错;AlN热处理温度的升高粗化了表面并提高了GaN成核密度,使得GaN外延膜螺位错密度降低刃位错密度升高;而这些GaN外延膜位错密度的变化又进一步影响到LED的光电特性. 相似文献