PVP与PVA对原位聚合导电聚苯胺薄膜的影响

分别以水溶性高分子聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和聚乙烯醇(PVA)为稳定剂,采用苯胺的分散聚合体系,在玻璃基片上原位沉积了表面光滑均匀、亚微米厚度的导电聚苯胺薄膜,改善了导电聚苯胺的加工性能。研究了薄膜的形貌、厚度及电导率。结果表明:聚苯胺薄膜表面光滑,黏附一些胶体粒子,以PVP为稳定剂制备的聚苯胺薄膜表观质量好于以PVA为稳定剂得到的聚苯胺薄膜,表面更加光洁致密;不同稳定剂影响聚苯胺薄膜厚度及性能,在其他实验条件相同的情况下,以PVA为稳定剂制备的聚苯胺薄膜厚度及电导率均高于以PVP为稳定剂制备的聚苯胺薄膜厚度和电导率。     

原位聚合沉积制备聚苯胺/聚酰亚胺/聚苯胺复合膜

以聚酰亚胺(PI)膜为基体,采用分散聚合原位沉积方法制得聚苯胺/聚酰亚胺/聚苯胺(PANI/PL/PANI)三层复合膜.复合膜表面PANI层外观质量优异,电导率达10~0S/cm.实验结果表明:加入高浓度空间稳定剂(聚乙烯吡咯烷酮,PVP)、调整氧化剂(过硫酸铵,APS)和介质酸(盐酸)的用量可制得表面质量和电导率高的复合膜.较适宜的反应条件为稳定剂质量浓度4%,APS与苯胺(An)的物质的量比为2:4,盐酸浓度为0.5 mol/L.     

反应条件对原位聚合聚苯胺薄膜性能影响

利用分散聚合法,在玻璃基体表面原位聚合沉积得到透明导电聚苯胺(PANI)薄膜,考察了反应条件对PANI薄膜形貌、电导率等性能的影响。结果表明,反应温度选用冰水浴(0℃),氧化聚合反应温和,薄膜质量高;氧化剂APS(过硫酸铵)加入方式的细化,有利于改善薄膜的表观形貌和电导率;利用硅烷偶联剂OTS(十八烷基三氯硅烷)处理玻璃表面,得到的PANI薄膜更加细密均匀,电导率也显著提高;换用磷酸为掺杂酸,得到的PANI薄膜表观质量差,电导率低。     

高氯酸掺杂原位沉积聚苯胺薄膜的制备及性能研究

以高氯酸为介质酸,PVA为空间稳定剂,采用分散聚合方法,在玻璃表面原位沉积制得光滑半透明聚苯胺薄腰。研究了分散体系的反应过程、薄膜的表观形貌和微观结构、膜厚的影响因素、薄膜的电导率以及热稳定性能。结果表明:构成薄膜的聚苯胺粒子呈球型或椭球型;薄膜具有三级结构特征;高氯酸不仅作为介质酸,同时作为掺杂剂;薄膜的结晶性能不佳;薄膜厚度与介质酸的浓度并非线性关系;薄膜的电导牢处于半导体水平;电导率大小与无机介质酸的酸性强弱有一定关系,与表面形貌关系更为紧密;高氯酸掺杂聚苯胺薄膜在67.3℃时开始脱掺杂,在277.2℃脱除完全。     

原位吸附聚合法制备聚苯胺/废弃丁羟黏合剂复合导电材料

采用原位吸附聚合法制备了聚苯胺/废弃丁羟黏合剂导电复合材料,考察了苯胺单体质量分数、掺杂质子酸浓度、氧化剂浓度、反应时间和反应温度对复合产物导电性的影响,并用红外光谱仪对复合物的结构进行了表征。结果表明,较佳反应条件为苯胺单体质量分数为20%,掺杂质子酸对甲苯磺酸浓度为0.1 mol/L,氧化剂浓度为0.16 mol/L,反应时间为2 h,反应温度为10℃。在此条件下处理废弃丁羟黏合剂可使体积电阻率由原来的1011Ω·m降低到105Ω·m。     

聚苯胺/聚丙烯腈导电复合材料的研究

以过硫酸铵为氧化剂 ,研究了苯胺在聚丙烯腈纤维表面的原位聚合反应制备聚苯胺 /聚丙烯腈导电复合材料的条件。确定了最佳工艺条件 :氧化剂的用量 0 2mol/L、苯胺的浓度 0 1～ 0 3mol/L ,掺杂酸以对甲苯磺酸为最好。聚苯胺 /聚丙烯腈导电复合材料的质量比电阻在 10 4～ 10 5Ω·g/cm2 范围 ,聚苯胺树脂在聚丙烯腈纤维表面呈颗粒分布 ;与聚丙烯腈原纤维材料相比 ,复合材料的断裂强度略有降低 ,而断裂伸长率基本不变     

聚苯胺/阴离子聚醚型聚氨酯导电复合膜的制备

常压下,采用化学氧化现场吸附聚合法制备了聚苯胺/阴离子型聚氨酯导电复合膜。该复合膜不仅表现出良好的导电性,其表面电阻为103Ω/cm,而且导电性较为耐久和稳定;同时复合膜也兼有良好的力学性能及良好的透气性。     

原位聚合法制备聚苯胺/改性羰基铁粉复合材料

采用正硅酸乙酯(TEOS)对羰基铁粉(CIP)表面改性,通过原位聚合法制备了聚苯胺(PANI)/改性CIP复合材料。傅里叶变换红外光谱验证了SiO2和CIP表面形成了化学键。耐酸性实验表明:TEOS可在较长时间内保护CIP不被酸腐蚀,保证了制备PANI/CIP复合材料过程中CIP处于SiO2的有效保护下。所得复合材料为CIP表面包覆直径约20 nm均匀致密的PANI微粒,复合效果明显改善。复合材料电导率与CIP未改性前处于相同数量级。     

原位吸附聚合法在制备聚苯胺导电复合材料中的应用

综述了原位吸附聚合法在制备复合改性聚苯胺导电复合材料中的应用,并展望了聚苯胺导电复合材料的应用前景。     

聚苯胺/nano-ATO导电复合材料的原位聚合与表征

用原位聚合法,以十二烷基苯磺酸(DBSA)/HC l混酸为掺杂剂,过硫酸胺(APS)为氧化剂,制备了聚苯胺/掺锑二氧化锡(ATO)导电复合材料。探讨了ATO用量对导电复合材料电导率的影响。在n(苯胺)∶n(APS)∶n(DBSA)=1∶1∶0.7,m(ATO)∶m(苯胺)=0.1∶1时,复合材料室温25℃的电导率最高可达8.35 S/cm,比通常方法合成的聚苯胺和nano-ATO的电导率分别提高约1至2个数量级。通过FTIR、XRD、SEM和TEM对目标物进行了表征,结果表明,苯胺优先在ATO纳米粒子表面聚合,形成聚苯胺包覆ATO的导电复合材料。     

纳米SiO2对原位分散聚合制备导电聚苯胺薄膜结构与性能的影响

在苯胺的化学氧化体系中,采用无机纳米微粒二氧化硅作为空间稳定剂,在玻璃基体表面直接制备了透明导电的聚苯胺薄膜,并与水溶性高分子聚乙烯吡咯烷酮(PVP)做稳定剂进行比较。采用SEM、紫外光谱、红外光谱和四探针电导率仪对薄膜的表观形貌、厚度、化学结构和电导率进行了表征。结果表明:稳定剂的存在有效抑制了溶液中宏观沉淀的生成,制得的薄膜表面光滑致密;与水溶性高分子聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为稳定剂的情况相比较,纳米SiO2做稳定剂条件下,整个反应体系诱导期相对延长,反应速率相对缓慢,薄膜的生长速度也相对缓慢;薄膜的饱和厚度达到200nm左右,高于聚乙烯吡咯烷酮(PVP)做稳定剂的情况;所得薄膜的电导率要相对低一些,仍属于半导体范围;红外光谱分析发现制备的聚苯胺薄膜中无稳定剂存在,说明稳定剂未参与薄膜的生长聚合。     

无色透明聚酰亚胺薄膜研究进展

介绍了国内外无色透明聚酰亚胺(PI)薄膜材料的研究现状,重点综述了含氟芳香族和脂环族两大类PI薄膜的研究进展,包括引入含氟取代基、主链引入脂环结构、非平面共轭结构、引入砜基等方法制备无色透明材料。同时,概述了国内外无色透明PI薄膜的产业化现状,并对无色透明PI薄膜的发展趋势进行了展望。     

聚苯胺/聚丙烯导电纤维的制备

采用现场吸附聚合法制备了聚苯胺/聚丙烯导电纤维,研究了盐酸浓度、氧化剂浓度、苯胺单体含量、反应温度、反应时间等反应条件对纤维上聚苯胺含量的影响,并研究了改变纤维截面形状和粗细、共混纺丝、表面等离子体处理等改性处理对纤维上聚苯胺含量的影响。     

有机磷酸掺杂聚苯胺的乳液聚合

以水 -二甲苯 (配比为 1 50 /50 )为分散相、环状有机磷酸为掺杂剂 ,采用乳液聚合法合成了电导率达 8.4 2 S/cm的聚苯胺。将所得产物与盐酸水溶液体系所得产物的色泽、外观、微观形貌、导电性能、溶解性能进行了对比 ,乳液聚合所得产物的溶解性能明显优于盐酸水溶液体系所得产物。     

新型导电高分子材料聚苯胺的合成及应用

聚苯胺是近年来导电高分子领域的研究热点之一。本文概述了聚苯胺的几种主要合成方法及应用研究。     

原位分散聚合制备纳米PANI-SiO2薄膜的性能

采用纳米二氧化硅（SiO2）作空间稳定剂，通过苯胺的原位分散聚合在玻璃表面直接制备PANI-SiO2透明导电纳米复合膜。薄膜的表观形态和组成通过扫描电镜（SEM）、红外光谱分析（FTIR）、紫外可见光谱分析（UV-Vis）进行了表征。结果发现，薄膜的形成经历了成核、生长、生长饱和3个明显的过程，薄膜表面光滑致密，膜厚在3～300nm；SiO2对薄膜表面质量有良好改善作用，对薄膜的导电率稍有影响。此外对成膜机理进行了讨论。     

卤素掺杂透明导电膜电导特性研究

通过超声喷雾法制备SnO2膜,研究了掺杂卤素原子对电导的影响规律,同时分析了膜厚度与电导关系.     

Dielectric Spectroscopy of Conducting Polyaniline Polymer

The dielectric spectroscopy of conducting polyaniline polymers (PANI) in the form of emeraldine base and emeraldine salt was carried out in the temperature range 30 to 80°C and in the frequency range 1 Hz to 1 MHz. The imaginary part of the impedance (Z″) versus frequency exhibits a relaxation peak, the positions of the peaks are shifted toward lower frequencies for concentrations below 0.1 M, whereas the peaks are shifted to higher frequencies for concentrations above 0.1 M. The PANI samples were protonated (doped) externally with various concentrations of aqueous sulfuric acid in the range of 0.05 to 0.2 molar. The thermal behavior of undoped and doped PANI samples has been analyzed, using thermal gravimetric analysis and differential scanning calorimetry techniques, and reveal that transition in the thermal behavior has been observed for concentrations above 0.1 molar. The a.c. conductivity measurements reveal that insulator to metal transition in the conductivity of these samples was observed for acid concentration greater than 0.1 molar. The a.c. conductivity for the protonated samples bellow 0.1 molar follows an Arrhenius behavior ?σ/?T < 0 with two activation energies, while ?σ/?T > 0 for acid concentration greater than 0.1 M.