完全锁模半导体激光器

本文对含F-P标准具的外腔半导体激光器进行了主动锁模研究。适当选择F-P标准具参数可形成单一的纵模群振荡,并可因此得到完全锁模光脉冲。实验中得到了脉宽为13.5ps、重复频率为925MHz的光脉冲输出。     

半导体激光器的输出模谱

利用半导体激光器多模速率方程组的隐式解析解，考虑到实际激光器的峰值增益波长与峰值谐振波长往往不一致的情况，从理论上对不同电流下半导体激光器的输出模谱进行了研究。     

反馈光注入半导体激光器复合腔模的稳定性

利用渐进稳定性分析的方法研究了小注入电流条件下反馈光注入半导体激光器的复合腔模(ECM)的稳定性,并提出对应于所有的复合腔模在相空间内存在一个模式稳定区域,复合腔模出现在该模式稳定区域内的概率远大于出现在该模式稳定区域外.通过求解复合腔模的鞍结分岔及霍普夫分岔边界条件并计算载流子浓度的庞加莱截图,验证了模式稳定区域的存在.数值计算的半导体激光器载流子浓度的分岔图验证了在小注入电流条件下渐进分析的可靠性.     

创功率记录的锁模半导体激光器

麻省理工学院MIT林肯实验室的研究者们被动锁模了InGaAsP板条耦合光波导激光器，在4．29GHz重复频率，10ps脉冲和1．5μm产生了250mW平均功率。其脉冲能量比以前同类激光器高2个数量级。由于激光器异常高的功率和脉冲能量，有希望应用于远程通信、激光测距、非线性光学和研究。     

半导体激光器模分配噪声的实验研究

本文分析比较了半导体激光器(SL)模分配系数的各种测量方法。提出了测试条件最接近LD实际工作条件的统计比较法。在560 Mbit/s单模光纤传输系统上对SL模分配噪声进行了测试。     

半导体激光器模分配特性的计算机模拟分析

本文提出了一种通用数学模型。以模分配系数K为参变量并利用β特殊函数对半导体激光器的模分配特性进行了分析。     

半导体激光器

Surface-emitting semiconductor lasers can make use of external cavities and optical pumping techniques to achieve a combination of high continuous-wave output power and near-diffraction-limited beam quality that is not matched by any other type of semiconductor source. The ready access to the laser mode that the external cavity provides has been exploited for applications such as intra-cavity frequency doubling and passive mode-locking.     

高功率半导体激光器的高性能化技术

1　前言近十年半导体激光器的绝对功率显著提高 ,单条实用功率达数瓦 ,叠层型激光器已获得数百瓦连续振荡功率。因此半导体激光器不仅在光通信和信息处理应用领域发挥作用 ,而且作为高效率光能源也正发挥重要作用。使用红外固体激光器和固体激光器的可视分离约束异质结构 (SCH)激光器 ,正从灯抽运迅速转向高功率半导体激光器抽运。即使是掺 Yb或 Er光纤放大器和光纤激光器也必须用半导体激光器抽运。尤其是双包层光纤激光器 ,由于高效率耦合高功率半导体激光器的结构 ,获得了 1 0 0 W以上的基横模输出。又由于聚焦数百瓦至数千瓦以上半导…     

光子晶体调制半导体激光器侧模

为了实现半导体激光器的单侧模稳定工作,提出了一种在激光器的脊条两侧引入光子晶体结构滤除半导体激光器高阶侧模的方法。通过调整激光器上表面的刻蚀深度、光子晶体区域的条宽和间隔来改变激光器内部的模场分布,同时结合选择性的载流子注入来增强基模的激射优势,进而减少侧模的数量。实验上制作了主脊条宽度为6 m,光子晶体周期5 m,波长1 550 nm的半导体激光器。测试结果表明:在连续工作的情况下,电流300 mA的时候,高阶侧模受到抑制,水平发散角变为10.2,证实了光子晶体结构调制激光器侧模的可行性。     

可调谐主动锁模半导体激光器实验研究

本文报道了利用平面反射光栅构成的可调谐主动锁模半导体外腔激光器的实验结果，获得了半极大全宽度３ｐｓ，峰值功率６００ｍＷ，中心波和１．２９μｍ，重复率１ＧＨｚ的超短激光脉冲．     

半导体多量子阱激光器的波导模式分析

本文以多层结构波导模式的精确解为准,讨论了各种等效折射率法,并对量子尺寸效应的影响提出一个考虑到阱间相互作用强弱的半经验的处理方法,得出与最近多量子阱实验数据符合较好的结果.     

无吸收模式滤波结构高亮度大功率宽条形半导体激光器

提升宽条形半导体激光器水平方向激射光输出的光束质量,改善宽条形半导体激光器的工作特性,一直是大功率、高亮度宽条形半导体激光器器件工艺研究的难点.基于激射光在无源波导内的衍射原理制备宽条形半导体激光器的模式滤波结构,利用AlxNy绝缘介质薄膜应力使基底半导体材料带隙变化的原理制备无吸收无源波导.将两者结合,设计制备了带有...     

Applications of Semiconductor Lasers

1 Introduction The world first diode laser was developed in 1962, only two years later than the demonstration of the first world ruby laser. The diode laser had moved from the pure re- search laboratory to the consumer market not until the 1980s, mainly driven by the demand from optical infor- mation storage and optical communication. Most diode lasers are made of semiconductor materi- als from groups III (Ga, As, In) and V (N, P, As) of the Periodic Table[1]. They are also diode lasers b…     

半导体激光器稳功率脉冲电源设计

根据半导体激光器的温度-驱动电流-光功率特性,通过脉冲驱动技术、功率控制技术和抗浪涌技术的综合应用,设计、制作了一种实用的半导体激光器脉冲驱动电源,解决了半导体激光器应用中常见的浪涌冲击问题和宽温度范围内脉冲驱动时的发光功率同步控制难题.     

面发射半导体激光器的研制进展

随着高速大容量光信息处理技术发展需求的增长,二维(2D)阵列型光发射器件变得日益迫切。为了实现2D阵列激光器,发射光垂直于衬底的表面发射激光器(SEL)成为关键器件。本文综述了某些重要的面发射激光器及其阵列的结构和激射特性。三种基本结构——光栅耦合型、45°偏转镜面型和垂直腔型SEL竞相成为最佳的器件结构。文中还讨论了2D阵列激光器的应用前景。     

漏光波导机制四元系半导体激光器

给出了漏光波导机制在四元系长波长半导体激光器中的一个应用实例。从理论上证明了漏光波导机制在四元系半导体材料中应用的可行性,并设计了相应结构的激光器件;然后由LPE技术获得这一器件。实践证明,理论和实验结果符合得很好。     

飞速发展的半导体激光器

评述半导体激光器的发展动态, 包括应变量子阱激光器、垂直腔面发射激光器、可见光激光器、增益耦台型分布反馈激光器及高功率激光器列阵等。     

半导体激光器的进展

本文介绍了近年来国际上半导体激光器的发展概况,包括激光器的新型结构及各种新功能激光器,并述及了它们的有关应用。     

Application of Photonic Crystals Semiconductor Lasers

Photonic crystals （PCs） have attracted much considerable research attention in the past two decades. They are artificially fabricated periodic dielectric structures. The periodic dielectric structures have photonic band gap （PBG） and are referred to as photonic band gap materials. This paper mainly introduces one-dimensional （1-D） and 2D PCs applied in the semiconductor lasers.     

Application of Photonic Crystals in Semiconductor Lasers

Photonic crystals(PCs) have attracted much considerable research attention in the past two decades. They are artificially fabricated periodic dielectric structures. The periodic dielectric structures have photonic band gap(PBG) and are referred to as photonic band gap materials. This paper mainly introduces one-dimensional (1-D) and 2D PCs applied in the semiconductor lasers.