共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
4.
开展了圆环弧类图形离散算法的研究,提出了一种以图形的曲率半径作为离散精度依据的离散算法,既保证了高的离散精度又减小了数据量,提高了数据传输效率.该算法为曝光版图中不断出现的圆环弧类图形进行精确曝光提供了保障.通过图形实例进行验证,表明此种离散方法合理,离散结果适于电子束曝光要求. 相似文献
5.
为了进一步挖掘传统光学曝光的潜力、扩展其应用范围、提高其曝光效率,对GCA3600F光学图形发生器数据处理技术开展了研究,其中包括对曝光数据的优化处理技术以及复杂图形切割算法的研究,并编制了相应的软件补偿程序.结果表明,该技术可有效提高光学图形发生器曝光效率,减少机器设备的磨损,提高光刻掩模版的精度. 相似文献
6.
7.
将涂有光致抗蚀剂的硅片或其它光敏材料置于由多束相干光以某种方式组合构成的干涉场中,可以在大视场和深曝光场内形成孔、点或锥阵周期图形,光学系统简单廉价,不需掩模和高精度大NA光刻物镜,采用现行抗蚀剂工艺。文中介绍的双光束双曝光法得到的阵列图形周期d的极限为dm i n=λ/2,四光束单曝光的周期略大,为前者的2倍,三光束单曝光得到2/3 d周期的图形,并且图形不受基片在曝光场中位置的影响,适合大面积尺寸器件中周期图形的制作,而三光束双曝光和五光束曝光的结果是周期为2d的阵列图形,并且沿光轴方向光场随空间位置也作周期变化,适合在大纵深尺寸范围内调制物体结构。 相似文献
8.
一种适用于数字微镜无掩模光刻的图形拼接方法 总被引:1,自引:0,他引:1
针对数字投影光刻技术大面积图形曝光的需求,提出了一种基于灰度模板调制的图形拼接方法,包括图形分割、模板设计、子图形灰度调制、子图形曝光4个步骤。图形曝光前,需要将曝光图形分割为多帧大小为1024pixel×768pixel的多个子图形,然后每个子图形与对应模板相乘,实现曝光子图形的预处理。基于数字微镜(DMD)对灰度图形的调制原理,设计了可行的边界灰度调制模板。给出了图形分割的基本方法以及模板设计的原则。计算机仿真实验展示了图形拼接的过程。实验结果表明,该方法能较好地解决大面积图形曝光存在的拼接问题,改善了图形刻蚀的质量。 相似文献
9.
10.
随着半导体技术突飞猛进的发展,对于制造半导体器件的重要工艺——光刻工艺的要求也越来越高。这些要求中“关于如何提高接触式光刻机套刻精度问题”已成为当前设计新的接触式光刻机的焦点。本文仅就这个问题谈一些粗浅看法。一、目前光刻机发展概况从目前光刻机发展趋向来看,曝光光波越来越短。因为光刻图形分辨率与所用曝光光波的长度的平方根成正比,所以总的趋向是改变曝光的光源。由于它的改变又引起曝 相似文献
11.
12.
13.
14.
15.
日立制作所新研制成电子束缩小曝光装置已曝光出线宽为0.2μm的存储器图形,线宽精度为0.02μm。在Si板上制造放大25倍的图形,图形精度为0.5μm,每次曝光面积为4μm×4μm,一次可曝光24个存储单元阵列,现在有四种固定图形可供选用。对于图形中很不规则部分则用可变成形束曝光,这种装置的生产效率比过去的步进重复曝光要提高一百倍。 相似文献
16.
17.
18.
纳米级电子束曝光机用图形发生器 总被引:4,自引:3,他引:1
为满足纳米级电子束曝光系统的要求,设计了高速图形发生器。该图形发生器包括硬件和软件两部分。硬件方面主要是利用高性能数字信号处理器(DSP)将要曝光的单元图形拆分成线条和点,然后通过优化设计的数模转换电路,将数字量转化成高精度的模拟量,驱动扫描电镜的偏转器,实现电子束的扫描。通过图形发生器还可以对标准样片进行图像采集以及扫描场的校正。配合精密定位的工件台和激光干涉仪,还可以实现曝光场的拼接和套刻。利用配套软件可以新建或导入通用格式的曝光图形,进行曝光参数设置、图形修正、图形分割、临近效应修正等工作,完成曝光图形的准备。结果表明,该图形发生器能够与整个纳米级电子束曝光系统协调工作,刻画出纳米级的图形。 相似文献
19.
光刻机的曝光量和焦距会随着做片量的增加发生漂移,具体表现为曝光场内和圆片内出现曝光不均的质量异常。设计了针形解析图形和方形显开解析图形,利用Ultra Step 1000光刻机进行实验,分析了曝光量和焦距的变化对解析图形解析值的影响。结果表明,曝光量对针形光胶解析图形影响较大,焦距对方形显开解析图形的影响较大。设计了解析图形在曝光场内和圆片内的布局方案,以及在线检测曝光场内和圆片内的曝光均匀性的具体方法,利用该方法可以有效提高光刻机曝光均匀性的在线监控效率,提早预防曝光不均异常现象的发生。该监控方法可以应用于其他类型的光刻机。 相似文献