高性能铁电存储器FM24C256及其在单片机中的应用

文章介绍了一种具有IIC总线的高性能铁电存储器FM 2 4C2 5 6。对该器件的性能特点、工作原理、读写时序作了详尽的描述 ,并给出了与AT89C2 0 5 1单片机的硬件接口电路及相应的读写程序     

铁电存储器研究进展

近几年来,铁电存储器研究取得了很大进展.铁电存储器因其所具有的许多优越性和良好的应用前景而受到人们的广泛关注和重视.本文介绍了铁电存储器的工作原理及设计与制作方法.并对其研究现状及进一步发展趋势作了简要的评述.     

铁电存储器FRAM在风速仪中的应用

本文介绍了一种具有SPI接口的铁电存储器FM25L256,以及其与C8051F020单片机的接口电路在风速仪中的应用,并给出了相应的硬件连接图和读写软件流程.这种方式具有非易失性、高速读写、超低功耗、几乎无限次擦写,并且占用极少单片机引脚数的优点.以后必将成为MCU外扩数据存储器的主要方式.     

铁电存储器FM3116在工程机械监控系统中的应用

铁电存储器是一种新兴的非易失性存储器，FM3116是RAMTRON公司新推出的铁电存储器芯片，该芯片具有非易失性存储、实时时钟、低电压复位、看门狗计数器、非易失性事件计数器等功能。文章在简要介绍了FM3116芯片的基础上，给出了一个基于FM3116和80C196单片机的数据记录系统的设计方法，该系统已成功应用于某工程机械安全监控系统中。     

铁电存储器在智能电表中的应用

在智能电表中,数据擦写次数比较频繁,而且在掉电时存取数据量大、时间短,因此提高可靠快速的保存数据是一个关键的技术,铁电存储器可以有效的解决此问题,文中以FM25C160为例介绍了铁电存储器在智能电袁_中的应用。     

铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。     

铁电存储器原理及应用

本文介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理，详细分析了其读写操作过程及时序。将FRAM与其他存储器进行了比较，分析了在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FRAM与8051系列单片机的实际接口，着重分析了与使用一般SRAM的不同之处。     

铁电存储器在存储测试系统中的应用

为了实现环境试验的存储测试系统,采用了FRAM存储器M28W640结合SOC片上系统C8051F340的设计,通过分析其性能和接口电路,编写了相应的读写程序。由于这种并行非易失性存储测试技术方式具有高速读写、超低功耗、几乎无限次擦写,读写程序编写简便的优点,非常适合在此类存储测试系统中使用。     

铁电存储器FM25CL64在DSP系统中的应用

介绍了一种新型铁电存储器FM25CL64,分析了TMS320VC5402 DSP的SPI引导装载模式,给出了一种基于铁电存储器FM25CL64的DSP脱机独立运行系统的设计方案,该方案已成功地应用到一种语音门锁系统中。     

基于I^2C总线的铁电存储器及其应用

介绍兼备RAM和ROM特性的铁电存储器FM24C64，该器件具有极长的擦写寿命、快捷的写入速度和超低功耗等特点，是高可靠数据存储系统的理想器件。详细描述这种新型存储器的性能特点、工作原理、读写时序及操作特点，并给出在单片机数据存储系统中的应用方法。     

铁电存储器技术

详细论述了铁电存储器 (FRAM)的工作原理、发展过程、技术特性、理论和技术及实际生产中的限制 ,分析了 FRAM的优势及弱点 ,认为 1G位的 FRAM可望在五年内实现。     

铁电存储器FM3808在TMS320VC5402系统中的应用

FM3808是Ramtron公司生产的新型超低功耗非易失铁电存储器，该器件可支持对存储区的高速读写，并可进行近乎无限次的写入。FM3808内部除具有256kB的存储阵列外还集成了实时时钟和系统监控模块，因而功能十分强大。文中介绍了FM3808的性能特点、内部结构和工作原理，分析了TMS320VC5402 DSP的并行引导装载模式。给出了DSP与FM3808组成的并行引导接口方案。     

双口RAM数据存储器在单片机中的应用

<正> 我们常用的RAM存储芯片只有一个端口,通常由一个CPU进行控制。如果有两个CPU想共享其中的数据则不太方便。而双口RAM正是针对这一问题设计的。这种存储器有两个对外的端口,可以分别接到两个CPU,两个端口是完全独立的,两个CPU可以通过各自连接的端口对存储器内的任一单元进行访问(读或     

铁电存储器和IC卡

铁电薄膜与半导体集成产生了新一代非易失存储器,与传统的半导体非易失存储器比较具有突出的优点,是新一代ＩＣ卡的理想存储芯片。     

一个改进的用于铁电存储器设计的铁电电容宏模型

从描述铁电电容的P-V滞回特性出发,本文在ZSTT宏模型的基础上提出了一个改进的铁电电容宏模型,并成功利用此模型对铁电存储器(FeRAM)进行了电路优化和电路模拟.最后将试图对此模型做进一步的推广,以模拟铁电存储器在另一种新读写过程中的操作.     

铁电随机存储器的研究进展

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器．以其高密度、高速度、非易失性及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。该文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题，并指出1T结构的铁电随机存储器(FRAM)将会成为下一代随机存储器。     

铁电存储器FM3116在复费率电能表中的应用

FM3116是Ramtron公司基于12C的具有多种功能的铁电存储器,具有存储速度快,功耗低,非易失存储等特点,提出了一种FM3116在复费率电能表中的应用设计,并给出基于FM3116的电能表存储系统的软硬件设计。     

铁电存储器在FPGA中应用的初步研究

提出了一种全新的基于铁电存储器FeRAM编程的非挥发FPGA思想(概念)，它主要是针对基于SRAM的FPGA的掉电挥发性问题提出的。文章在采用传统2T—2C结构的铁电存储单元的基础上完成数据的编程操作，并进一步对上述单元进行了电路和时序上的调整设计，提出了在FPGA工作环境下虽破坏性读出但无需回写的铁电存储单元。通过对文中提及的两种单元电路的仿真模拟，实现了编程数据的摔电保护、上电恢复的非挥发功能，初步验证了基于FeRAM编程的非挥发FPGA思想的正确性和可行性。     

铁电存储器及其关键集成工艺

将铁电薄膜与CMOS工艺相集成是实现铁电存储器制备的关键所在,采用PZT材料的铁电随机存储器的工作原理、工艺流程,以及铝连线在还原性氢气氛中退火对于铁电电容特性的影响在本文中被探讨,还原性气体隔离层的几种适用材料的特性,以及隔离层制备的工艺集成这一关键问题被着重研究。