延长E^2PROM使用寿命的一种方法

延长Ｅ￣２ＰＲＯＭ使用寿命的一种方法王永臣，王有发，王秀兰在以单片机为核心的测控装置中，常常需要保留一些数据，要求系统掉电时信息不丢失，通电时又可改写这些数据。此时一般的＊＊Ｈ和＊＊＊ＯＭ就显得无能为力。自从８０年代初Ｅ’ＰＲＯＭ问世后；这个问题才得...     

一种全功能2kb E^2PROM的研制

论述了Ｅ＾２ＰＲＯＭ的设计技术，包括单元设计，升压电路设计，存储阵列设计等，然后扼要介绍了其工艺过程和关键工艺，最后给出了Ｅ＾２ＰＲＯＭ单元和电路的性能。     

超薄氧化层的QBD成品率的研究

一、概述QBD成品率的研究对超薄氧化层的质量评价至关重要，它是MOS电路可靠性的保证。本文的研究对象为Z0nm超薄氧化层的QBD。其中20um氧化层用于1微米工艺中的栅氧，10um氧化层用干E2PROM电路中的隧道氧化。当氧化层较厚时（40nm以上），一般用BVOX、Ilcak等参数来表征氧化层     

E^2PROM中PMOS管开启电压的工艺控制

采用实验研究的方法，通过比较分析阱注剂量，掺杂杂质类型及调整注入剂量对ＰＭＯＳ管开启电压的影响。很好地解决了开启电压的工艺控制问题，同时又保证了ｐｎ结击穿电压的要求，满足了Ｅ＾２ＰＲＯＭ研制的需要。     

提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究

为了提高Ｅ＾２ＰＲＯＭ中Ｎ管源漏穿通电压，用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明，高能量注入是提高ＶＰＴ的有效手段，但受到ｐｎ结击穿的限制，只适用于低区短沟Ｎ管；ＤＤＤ工艺大幅度高ＶＰＴ，但ｐｎ结击穿电压低于２０Ｖ，不能应用于高压ＭＯＳ管；采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。     

E^2PROM制造中耗尽型N管夹断电压的工艺控制

提出了一种计算耗尽型Ｎ管夹断电压ＶＴＤ的方法。该方法引用通常的ＶＴＤ计算公式，式中难以确定的参数Ｎ由工艺模拟的结果导出，其他参数则由工艺参数导出。计算出的ＶＴＤ用作制定实验方案的参考。     

一种简单实用的E^2PROM——AT24C01的应用

从实用的角度，详细介绍了串行Ｅ＾２ＰＲＯＭ－ＡＴ２４Ｃ０１的操作时序及其使用方法，并配以实用的读写程序。     

超薄氧化层的电击穿特性

本文在测试分析N 理层—隧道氧化层一多晶硅电容（N OP电容）、P衬底一隧道氧化层一多晶硅电容（POP电容）和EEPROM单元隧道氧化层电容（TOP电容）的I－V特性、I－t特性、V－t特性的基础上,对隧道氧化层的击穿特性进行了理论分析,并提出了提高隧道氧化层可靠性的具体措施。     

I2C-BUS监控E2PROM器件CAT24C021及应用

CAT24C021是美国CATALYST公司生产的电源监控复位器件，它将串行E^2PROM、监控复位电路、看门狗定时器集成在一体，采用该芯片可有效简化微控制器系统的设计。文中介绍了CAT24C021的功能和实际接口电路及其在应用中的注意事项。     

ADMC401与串行E2PROM的接口设计

介绍了ADMC401高性能电机控制器硬件结构、主要功能特性及其与串行E2PROM接口电路的设计.     

便携式E2PROM读写器的设计

以计算机并行口，结合MAX856，提出了一种便携式的E^2PROM读写器的设计。该设计具有功能丰富、操作方便、硬件电路简单、体积小和成本低的特点。同时在实际的电表控制系统中得到了良好的应用。     

新型E2PROM-CSI24C021及其在电话拨号控制器中的应用

本文介绍了一种新型的集成复位、看门狗和E^2PROM功能的I^2C器件-CS124C021的特性与工作原理，并以电话拔吃控制器为介绍了实际应用中的硬件电路。     

异构无线网络中支持端到端重配置的资源管理技术

可重配置的异构网络是无线领域研究的一个热点问题。通过有效的资源管理,重配置技术可以实现对异构环境的灵活适应和对异构无线资源的有效利用。作为一种适变能力很强的技术,重配置可以使异构无线系统从目前的隔离状态走向互通与协同,真正实现网络融合。本文描述了异构网络重配置技术的产生背景和基本概念,对重配置研究中的一系列资源管理关键技术,包括动态网络规划与管理、联合无线资源管理和先进频谱管理,进行了系统的总结。     

Reduced Graphene Oxide as a Catalyst Binder: Greatly Enhanced Photoelectrochemical Stability of Cu(In,Ga)Se2 Photocathode for Solar Water Splitting

The photoelectrochemical (PEC) properties of a Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS) photocathode covered with reduced graphene oxide (rGO) as a catalyst binder for solar‐driven hydrogen evolution are reported. Chemically reduced rGO with various concentrations is deposited as an adhesive interlayer between CIGS/CdS and Pt. PEC characteristics of the CIGS/CdS/rGO/Pt are improved compared to the photocathode without rGO due to enhancement of charge transfer via efficient lateral distribution of photogenerated electrons by conductive rGO to the Pt. More importantly, the introduction of rGO to the CIGS photocathode significantly enhances the PEC stability; in the absence of rGO, a rapid loss of PEC stability is observed in 2.5 h, while the optimal rGO increases the PEC stability of the CIGS photocathode for more than 7 h. Chemical and structural characterizations show that the loss of the Pt catalyst is one of the main reasons for the lack of long‐term PEC stability; the introduction of rGO, which acts as a binder to the Pt catalysts by providing anchoring sites in the rGO, results in complete conservation of the Pt and hence much enhanced stability. Multiple functionality of rGO as an adhesive interlayer, an efficient charge transport layer, a diffusion barrier, and protection layer is demonstrated.