共查询到20条相似文献,搜索用时 140 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
简述了国内外多晶硅生产工艺的发展和现状,对比分析了各种多晶硅制备方法在产能、能耗及环境友好特性等方面的特点及其发展趋势。提出目前多晶硅制备技术主要有3个发展方向:①不断改进西门子工艺,包括尾气分离,四氯化硅氢化制备三氯氢硅,改进还原炉结构,加大炉体直径以提高产量、降低成本,三氯氢硅及氢气的纯化;②不断完善流态化技术方法,包括降低反应器内壁面上的硅沉积、减少无定形硅粉的形成、硅烷制备技术的改善;③不断完善冶金法工艺体系,包括提高产品纯度、减少杂质含量的波动性。 相似文献
9.
10.
用硅粉及氮气为原料以燃烧合成法制备β-氮化硅粉。如将其细碎,灾些粉末的密度可以烧结至理论密度的99%以上,而且具有极高断裂韧度。本文证实如选择合适的烧结环境,也可将β-相就地强化形成氮化硅。文中还探讨了烧结温度、压力、保温时间及冷却速度的影响。 相似文献
11.
12.
13.
本文研究了Si3N4浆料的胶体特性,结果表明:Si3N4悬浮粒子的等电点(isoelectric point,简称IEP)在pH=4.2处.分散介质的离子强度影响Si3N4粒子的Zeta电位.分散剂的引入有效地提高Si3N4粒子的Zeta电位,并引起IEP的位移.粉体经不同工艺的预处理后IEP均发生不同程度的位移.X光电子能谱(XPS)分析表面组成发现其IEP的位移与Si3N4粉体表面的氧化程度有关.同时,对Si3N4浆料在不同条件下的分散性进行了考察,表明其分散性与胶体特性具有很好的一致性. 相似文献
14.
本文系统地研究了纳米Si_3N_4-SiC复相陶瓷显微结构,观测了纳米Si_3N_4-SiC复相陶瓷中Si_3N_4、SiC粒子晶粒尺寸,研究了复合在Si_3N_4晶粒内和晶界上的SiC粒子分布情况及Si_3N_4与SiC、Si_3N_4间的相界面。 相似文献
15.
采用硅烷偶联剂KH-550对氮化硅(β—Si3N4)进行表面处理,浇注制备氮化硅/环氧树脂(Si3N4/EP-828)复合材料,研究了Si3N4粒径、用量和表面改性对复合材料导热性能和力学性能的影响。结果表明,Si3N4/EP-828的导热性能随Si3N4用量的增加而提高,当Si3N4体积分数为30%时,热导率为0.83W/mK,为纯环氧树脂4倍多;力学性能则随Si3N4用量的增加先增大后降低。表面改性有助于进一步提高复合材料的导热性能和力学性能。初步分析表明,Si3N4/EP-828热导率与Si3N4形成的导热网链和Si-O-Si键导热骨架有关。 相似文献
16.
17.
本文综述了Si3N4/SiC纳米复相陶瓷的研究进展,较详细地介绍了纳米粉体的制备工艺及热处理研究、复相陶瓷的制备工艺、力学性能、微观结构及增韧强化机理。 相似文献
18.
19.