基于异质结倍增层的InAlAsSb SACM雪崩光电二极管的优化

使用低工作电压的雪崩光电二极管(APD)有利于提高集成电路的稳定性和降低功耗.文章建立了一个分离吸收、电荷、倍增(SACM)型的雪崩光电二极管的模型,为了在低偏压下获得高增益同时不降低工作电压范围,这个模型采用了具有高低禁带宽度的异质结倍增层.同时,文章研究了异质结倍增层的厚度和掺杂浓度对暗电流和增益的影响.通过对掺杂浓度的优化,击穿电压和穿通电压可以同时下降.     

1.54μm APD光电探测器组件的研制及应用

主要从长波长人眼安全测距方面讨论和研究了InGaAs雪崩光电二极管的前置放大器的电路原理和参数的设计以及光电探测器组件混合集成.着重从激光测距方面的应用探讨了由InGaAs雪崩光电二极管组成的激光接收器的应用电路的选择和设计.从测距使用的角度对InGaAs雪崩光电二极管的光电特性与偏置电压的关系进行了测试,从而了解该器件与硅雪崩二极管的光电性能的差异,从而为更好的应用InGaAs雪崩光电二极管提供参考和依据.研制的InGaAs雪崩光电二极管探测器组件及接收器在激光测距机中进行了测距应用,在激光能量为7毫焦耳测距集中进行测距,初步达到了要求.     

一种军用微型斯特林制冷机性能自动测试系统

斯特林制冷机的性能测试结果是判定制冷机是否合格的重要依据.建立由软件和硬件相结合的自动测试系统,可实现多通道同时测试,实现数据的采集、存储和计算.自动测试系统的应用将极大的提高测试工作效率,实现测试数据的完整性和连续性.     

MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管

对中波红外碲镉汞雪崩光电二极管(APD)特性进行理论计算,获得材料的能量散射因子及电离阈值能级与材料特性的相互关系,从而计算器件的理论雪崩增益与击穿电压.通过对材料特性(组分,外延厚度,掺杂浓度等)的优化,设计并生长了适合制备PIN结构红外雪崩光电二极管的碲镉汞材料,并进行了器件验证.结果显示,在10V反偏电压下,该器件电流增益可达335.     

熔断器电压降自动测试系统的研制

熔断器作为电子产品安全的保护设备,电压降是衡量其性能优劣的重要参数。为提高熔断器电压降的测试精度、测试效率,研制了由恒流电源、电流传感器、电压传感器、PLC、标准夹具、自动进料装置及电脑构成的熔断器自动测试系统,实现了自动进料、不合格样品的自动筛选、测试数据的判定及输出。比较工厂的振动盘式测试设备,具有精度高、噪声低的显著优势。     

雪崩光电二极管应用中的最佳噪声分配

导出了雪崩光电二极管应用中的最佳噪声分配关系式,据此提出了测量雪崩管最佳倍增特性的方法,并研制出了测量仪器,给出了雪崩光电二极管的测量结果.     

放电管击穿电压测试模块的设计与实现

通过8255接口芯片,将计算机和外围硬件联结起来,组成了放电管直流击穿电压自动测试系统。该系统采用顺序加压机制,由计算机采样确定击穿电压,并根据相关标准判别元件的好坏。由于采用阵列结构,计算机自动转换测量电压,测试效率大为提高,测得数据重复性好。系统人机界面友好,操作简单方便,可靠性高。     

雪崩光电二极管体内漏电流的测量分析

体内漏电流是雪崩光电二极管应用的一个重要参数,而一般测量暗电流的方法无法把表面漏电流和体内漏电流分开.本文提出一种测量雪崩光电二极管体内漏电流的方法,推导有关公式,并对宽耗尽层雪崩光电二极管的体内漏电流进行测量分析.     

一种新型光电二极管测量仪器

西南技术物理所研制成功GC-1型光电二极管动态测试仪。与现用的低频测试系统不同,它是一种以快速光脉冲为信号,在模拟应用条件下,对雪崩光电二极管和pin光电二极管的响应特性进行测量的仪器。     

具有超晶格雪崩区的电子倍增型雪崩光电二极管

基于碰撞离化理论研究设计了In0.53 Ga0.47 As/In0.52 Al0.48As电子倍增超晶格结构雪崩光电二极管,使用MOCVD外延得到实验片,经过工艺流片后进行封装测试.测试结果显示,具有超晶格雪崩区的电子倍增型APD器件,其暗电流可以控制在纳安级,光电流增益达到140,证明具有超晶格雪崩区的电子倍增型雪崩光电二极管具有很好的光电探测性能.     

-48V直流电源系统中的电压设置方案

介绍了-48V直流电源系统中是电压设置的基本原则，详细论述了三类通讯局（站）的电池放电终止电压的设置方法，以及高压告警点和低压告警点的设置方法。     

一种有源电压限位电路的设计

本文提出了一种新颖的电压限位电路。该电路该采用电压跟随器FOLLOWER和模拟二选一选择器结构,其中的比较器采用PNP双极型三极管,从而使输出更精确地跟随输入。与传统电压限压电路相比,该电路在设定的电压范围内,输出电压能更好地跟随输入电压变化,在输出端误差小,设定的电压范围以外,电路输出能固定在某一特定值。本电路基于0.35 um BCD工艺,对所设计电路进行了仿真验证。仿真结果表明,当下限阈值VTH-设定在0.5V,上限阈值VTH+设定在2V,输入电压VIN输入范围在0~3V内时,输出电压精确跟随VIN的变化而变化。     

A miniature high-efficiency fully digital adaptive voltage scaling buck converter

A miniature high-efficiency fully digital adaptive voltage scaling (AVS) buck converter is proposed in this paper. The pulse skip modulation with flexible duty cycle (FD-PSM) is used in the AVS controller, which simplifies the circuit architecture (<170 gates) and greatly saves the die area and the power consumption. The converter is implemented in a 0.13-μm one-poly-eight-metal (1P8 M) complementary metal oxide semiconductor process and the active on-chip area of the controller is only 0.003 mm², which is much smaller. The measurement results show that when the operating frequency of the digital load scales dynamically from 25.6 MHz to 112.6 MHz, the supply voltage of which can be scaled adaptively from 0.84 V to 1.95 V. The controller dissipates only 17.2 μW, while the supply voltage of the load is 1 V and the operating frequency is 40 MHz.     

LCD图形模块的控制技术

从ＳＥＤ１５６１和ＳＥＤ１５２８、ＳＥＤ１５２１的控制技术出发,阐述了一个模块（由１２８×３２点和１２个７段码“８”字组成）含有两块控制器的控制技术及关键问题的解决     

不同阻值电阻分压器对MOV残压测试的影响

冲击电阻分压器是测量压敏电阻(Metal Oxide Varistor,MOV)残压必不可少的设备之一,为了测量残压的准确性,利用三组不同分压器对高压臂电阻值优选范围进行试验研究,同时在源阻抗为0.45Ω和1.1Ω的8/20μs波形冲击电流发生器下进行MOV残压试验。试验结果表明冲击电压发生器源阻抗低时,A、B、C三组分压器在20kA下测得残压不会发生分压比线性偏离,20kA以上高压臂阻值越高,分压器越稳定;冲击电压发生器源阻抗上升至1.1Ω时,A、C分压器在不同冲击电流下测试分压比均稳定,高压臂阻值对测量MOV残压影响很小。     

110kV变电站PT电压异常研究与改造

高压测试是非常重要的工作,为了能够更好地进行高压测试,需要考虑线路检测技术的可行性。电气测试中存在着危险性,所以为了确保电力生产的安全性,应该考虑保证电气测试的安全性。本文主要介绍了110kV变电站PT电压的异常处理和分析方式,阐述了高压测试的工作流程,望能够为后续的工作人员提供帮助。     

薄膜电容器介电强度分析

薄膜电容器是电子仪器中常用的电子元器件,主要用于电视机、显示器、空调、通讯设备、冰箱等设备中。该文介绍了电容器介电强度的概念、电容器介电强度的几个参数即击穿电压、工作电压、试验电压,以及它们之间的关系,介绍了电容器击穿的三种形式即瞬时电压作用下电容器的击穿、电容器的热击穿、在长期电压作用下电容器的击穿——老化击穿。并结合生产实际,总结了提高电容器介电强度的方法。     

低压电机单机再起动控制器的设计与实现

分散式低压电机单机再起动控制有着广泛的应用需求.他不仅要求具有相当的可靠性、安全性、可维护性、可用性,还应具有良好的经济性.文中介绍了一种简单易用的低压电机单机再起动控制器的设计思想,着重说明了相关硬件模块的选择、再起动响应的实施步骤、与省电和电源控制相关的硬软件方法和基本功能实现.该系统投资少、体积小、应用方便灵活、功能简单可靠,已通过相关技术检测,成功应用到生产实践中.     

Reference voltage calculation method based on zero-sequence component optimisation for a regional compensation DVR

This paper describes the design of a dynamic voltage restorer (DVR) that can simultaneously protect several sensitive loads from voltage sags in a region of an MV distribution network. A novel reference voltage calculation method based on zero-sequence voltage optimisation is proposed for this DVR to optimise cost-effectiveness in compensation of voltage sags with different characteristics in an ungrounded neutral system. Based on a detailed analysis of the characteristics of voltage sags caused by different types of faults and the effect of the wiring mode of the transformer on these characteristics, the optimisation target of the reference voltage calculation is presented with several constraints. The reference voltages under all types of voltage sags are calculated by optimising the zero-sequence component, which can reduce the degree of swell in the phase-to-ground voltage after compensation to the maximum extent and can improve the symmetry degree of the output voltages of the DVR, thereby effectively increasing the compensation ability. The validity and effectiveness of the proposed method are verified by simulation and experimental results.     

基于标准CMOS工艺的UHF无源通讯电源电路设计与实现

针对UHF射频无源通信系统中,无源射频接收端的电源电路设计难题,以提高其电源转换电路的能量转换效率和输出电压的稳定性为目标,研究了在标准CMOS工艺下实现肖特基二极管的方法,并从理论上推导了其传输特性,提出了一种新型的限压电路,改进了传统带隙结构。与传统结构相比,新的UHF射频无源通信接收端的电源电路的能量转换效率高,开启速度快,输出电压稳定性更好,能够大幅改善射频无源接收电路的工作性能。最后还给出了芯片实现的版图,以及模拟和测试结果。