玻璃通孔的高频传输性能

随着玻璃通孔(TGV)制作工艺的成熟,微波毫米波系统采用玻璃基板进行集成,其高频传输特性成为研究的重点.对玻璃通孔的互连设计、制作和传输性能进行研究.在玻璃基板上分别设计直通传输线和带两个TGV、等长传输线的TGV传输结构;通过激光改性、腐蚀扩孔和电镀填充的TGV工艺制作技术以及薄膜电路布线技术,在玻璃基板上制作直通传...     

接地通孔基板对毫米波产品性能影响研究

接地通孔基板已广泛应用于微波产品中,能够有效提高产品可生产性和一致性。在毫米波频段,针对接地通孔基板带来的芯片与微带线间缝隙大、接地孔对微波性能的影响和键合丝跨度增加对高频特性的影响等问题进行分析,通过仿真软件对结构进行建模仿真,提取并验证了电路拓扑结构。选取毫米波频段的放大器进行装配,测试结果表明,在毫米波频段,可以使用接地通孔基板结合适当的匹配方式,使放大器达到设计的增益值20 d B,端口驻波小于1.4。     

高密度通孔薄膜电路工艺技术研究

通过对薄膜电路制作工艺的系统研究,提出了一种新型的制作高密度通孔薄膜电路工艺方法,克服了高密度通孔薄膜电路对溅射用金靶、喷雾式涂胶和反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖,降低了高密度通孔薄膜电路研制成本.该新型工艺方法已成功应用于延时电路、变频电路和低噪声放大器等微波组件中高密度通孔薄膜电路基板的研制.     

LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM-C/D多芯片组件的关键技术。它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。文章介绍了LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线中介质膜"龟裂",通孔接触电阻大、断路,对导带的保护以及电镀前的基片处理等工艺难题。     

一种LTCC基板上薄膜多层布线技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM—C／D多芯片组件的关键技术,它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条精确等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。本文介绍了在LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线的工艺难题。     

微波薄膜电路镀金层加厚工艺

作为微波薄膜电路的主要基材,陶瓷基板在经过光刻镀金后通常会进行镀金层加厚工艺以保证电路性能以及后续工序的开展.在对电路加厚工艺和设备结构研究的基础上,提出了电镀电源、电镀溶液组分、电镀夹具以及镀槽结构等设计要求,以满足加厚镀金层的均匀性要求.通过实验对微波薄膜电镀镀金加厚层的镀层质量、镀层均匀性以及盲孔填孔性能进行验证...     

电镀铜填充微通孔的关键因素研究

随着5G技术的发展,数据传输带宽要求更高,电子元件的功率更大,因此带来封装体的散热负担更重。采用电镀铜填充微通孔在封装载板内形成铜柱阵列散热通道,是一种提高芯片散热效率的常用方式。而在没有优化的电流密度、对流强度和添加剂等各因素条件下电镀微通孔很容易在孔内留下空洞,造成可靠性问题,因此研究各种因素对电镀填孔的影响意义重大。文章通过建立电镀铜填充微通孔的数理模型,并采用多物理场耦合方法分析了微通孔填充的过程和边界条件,得出通孔内电流密度分布情况,实现了对填孔过程的实时模拟。使用电化学工作站对不同种类的添加剂进行恒电流和循环伏安测试,得到不同对流强度下各种类添加剂电化学特性;分析了不同添加剂在孔内调控铜沉积的作用,并给出各添加剂在微通孔处的极化/去极化作用模型。最后,通过哈林槽中测试板电镀研究了电流密度、对流强度、添加剂种类和浓度等重要因素对通孔填充过程的影响和作用,优化出满足工业生产需求的配方及其工艺条件     

厚膜陶瓷基片通孔填充工艺

随着厚膜电路技术的发展,混合集成电路的集成度越来越高,要求提高混合集成电路陶瓷基片布线密度,而陶瓷基片双面布线是提高集成密度的较好方式之一.双面布线需要在厚膜陶瓷基片上制作通孔,并对通孔进行导体填充,以实现陶瓷基片正反两面电性能导通和散热等功能,而制作性能良好的导体孔柱是厚膜工艺的难点.重点介绍了通过优化填孔设备压力参...     

基于氮化铝基板的功率负载设计与制备

采用氮化铝基板进行功率负载制备,可满足微波系统对高散热的要求。本文详细介绍了氮化铝基板微波功率负载的设计、制备过程,比较了制作功率负载厚膜工艺和薄膜工艺的优缺点,并利用厚膜、薄膜相结合工艺制作了性能优良的功率负载产品。研制的氮化铝功率负载在工作频率2GHz以内,耐受功率可达到250W。各项性能指标都达到设计要求,同时分析并给出了各种环境试验条件对产品性能的影响。利用本文的研究,可实现高可靠性高功率高散热性的氮化铝功率负载制备技术。     

镀金黄铜基板上金丝键合拱高测量及控制技术

引线键合是多芯片微波组件微组装中常用的工艺,通常都会以一定拱弧实现芯片与基板、基板与基板间的互连。如何进行拱高的测量和控制对引线键合有着重要意义,因为拱高的大小还会对微波性能产生重要的影响。文中利用自动键合机获得若干组引线,采用光学测量方法,在放大40倍的状态下分别进行了不同工艺参数下的拱高测量,得出结论在测试范围内,拱度随着弧长的增加而增加,同时还获得了一组适用于微波应用的键合参数。     

PtSi薄膜超薄化及连续性研究

减薄膜厚有利于提高ＰｔＳｉ红外探测器的量子效率。本文研究了膜厚减薄工艺对薄膜连续性的影响。用ＸＲＤ观察物相,ＳＥＭ、ＴＥＭ研究薄膜连续性,并给出理论解释,实验表明用混合生长（Ｓ－Ｋ）模式能形成超薄连续薄膜。     

BRD96N膜记录图像对比度的实验研究

利用YAG激光器二倍频 5 32nm连续激光作为记录光 ,连续单色光作为读出光 ,在细菌视紫红质 (BRD96N)材料上进行了图像写 /读实验。通过理论分析BRD96N膜所记录的图像对比度随读出光波长变化趋势 ,得到图像对比度变化曲线 ,并通过实验方法验证。实验结果表明 ,在BRD96N膜基态峰 (5 70nm)附近 5 5 0nm波长处 ,可获得最佳的图像对比度 (～ 1 6 3∶1) ;在亚稳态 (M态 )吸收带内 (390～ 4 5 0nm) ,图像出现反转现象     

金刚石高频SAW器件中关键材料的制备研究

采用热丝化学气相沉积(CVD)法制备了自支撑金刚石膜,再通过射频磁控溅射法沉积氧化锌薄膜在自支撑金刚石膜上。通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)测试自支撑金刚石膜的表面形貌,结果表明,自支撑金刚石膜的成核面非常光滑,粗糙度约为10 nm;拉曼光谱显示成核面在1 333 cm-1附近有尖锐的散射峰,与金刚石的sp3键相对应,非金刚石相含量很少;X-射线衍射分析(XRD)显示,沉积在自支撑金刚石膜上的氧化锌薄膜为高度的c轴择优取向生长。     

彩色PDP烧结工艺研究

分析了在PDP厚膜制备过程中，烧结工艺引起精密图形产生形变的基本原理，提出了一种工艺途径使基板形变量控制在20μm/m以内。解决了107cm彩色PDP精密对位的技术关键；同时介绍了山崎公司152cm彩色PDP烧结炉的构造及控制原理，给出了几个典型的厚膜烧结曲线。     

钢铁表面锌系磷化膜的研究

本文采用ＳＥＭ和ＴＥＭ等测试手段，研究了四功能处理液不同条件下在钢铁表面上形成锌系磷化膜的形貌，晶体结构；采用ＥＤＳ研究了磷化膜的化学成发，通过实验确定了Ｚｎ／Ｐ值在２．１２～３．２０时，磷化膜具有良好的耐蚀性。     

氧化锌薄膜热退火特性的研究

对退火前后氧化锌薄膜的结构特性、化学组分及化学价态，以及缺陷特性进行了详尽的研究，结果表明，低温热退火是改善氧化锌薄膜结构特性、化学组分及化学价态，并且减少缺陷的良好方法。     

偶氮掺杂聚合物旋涂膜的全光极化特性研究

寻找一种具有快的二次谐波产生(SHG)的偶氮掺杂聚合物和合适的极化条件是目前多数研究的重点。用全光极化的方法研究了主客体掺杂偶氮染料旋涂膜二次谐波产生的特性。实验结果表明:对硝基苯偶氮甲苯二酚(NBMR)掺杂到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚醋酸乙烯酯(PA)两种不同的聚合物旋涂膜中,相同的膜厚全光极化时二次谐波信号达到饱和所需的极化时间不同,主体是聚甲基丙烯酸甲酯的比聚醋酸乙烯酯的约快15 min。对于同一样品,极化条件光强比为9比为30要好。对于同一主体(聚甲基丙烯酸甲酯)不同客体不同膜厚的旋涂膜,二者的二次谐波信号随极化时间的变化规律基本相同:随着极化时间的增加信号增大,而增大到一定程度样品的二次谐波信号达到饱和,信号不再增加,随着极化时间的进一步增加信号反而有所减弱,最后趋于稳定的状态。     

采用ZnO压电薄膜的声光偏转器研制

研究了基于ZnO压电薄膜结构的1GHz声光偏转器。通过采用半导体工艺流程制备器件,并利用射频网络分析仪对实验器件进行了测试,得到器件达到的性能指标:中心频率1.05GHz、带宽500MHz、衍射效率1%、渡越时间1.5μs。     

硅衬底GaN基LED外延生长的研究

采用在AlN缓冲层后原位沉积SiN掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜.通过该法在硅衬底上获得了1.7 μm无裂纹的GaN薄膜,并在此基础上外延生长出了GaN基发光二极管(LED)外延片,其外延片的总厚度约为1.9 μm.采用高分辨率双晶X-射线衍射(DCXRD)、原子力显微镜(AFM)测试分析.结果表明,GaN薄膜(0002)面的半峰全宽(FWHM)降低到403 arcsec,其表面平整度得到了很大的改善;InGaN/GaN多量子阱的界面较平整,结晶质量良好.光致发光谱表明,GaN基LED峰值波长为469.2 nm.     

微观结构对PZT薄膜反应离子刻蚀的影响

随着锫钛酸铅（PZT）薄膜在铁电微器件中的广泛应用，薄膜微图形化和刻蚀的研究也日益受到重视。研究表明在薄膜的刻蚀过程中，薄膜表面的微观结构和等离子体都对刻蚀有很大的影响。该文研究了具有不同微观结构的薄膜的反应离子刻蚀特性。分别用X-射线衍射图、原子力间力显微镜和X-射线光电子能谱对薄膜表面的微观结构、形貌及刻蚀特性进行测量。结果表明，随着薄膜最终热处理温度升高，薄膜表面越来越致密，刻蚀速率也随之降低。当薄膜处于无定形态结构时薄膜的刻蚀速率较高，最高可达13m／min。