高压LED球泡灯的设计与分段优化

近年来在解决以开关电源为基础的传统LED驱动效率低、体积大和成本高等问题的过程中,高压线性分段驱动技术应运而生。为了研究高压线性分段驱动LED球泡灯的设计方法,以高压线性分段驱动芯片SM2087为例,通过实测LED效率得到合适的分段比例为8∶4∶3∶1;并根据该分段比例设计了一种高压LED球泡灯,LED采用COB的方式布置在陶瓷环基板上,散热采用太阳花结构,驱动电路置于灯头内,其具有较高的效率、良好的散热与耐高压能力以及较大的发光角度。     

辅助灯法测量LED灯光通量的研究

分析积分球测量LED灯光通量的原理,介绍两种测试方法(比较法和辅助灯法)的理论依据,然后通过实验进行验证,最后总结适用辅助灯法进行测试的情况。     

玻璃壳内表面涂覆YAG荧光粉的白光LED球泡灯

优化YAG荧光粉涂层配方和工艺,在传统球泡灯玻璃外壳内侧涂覆YAG荧光粉;蓝光LED芯片采用单坑板上芯片封装(COB),使蓝光芯片之间不存在光的相互吸收;选用塑料外壳,且其内部为铝制散热结构,结合高效非隔离驱动电源,优选LED芯片串联数量,制作出白光LED球泡灯。当LED芯片串联个数为30时,非隔离驱动电源输出电压为102 V,效率大于90%。在市电下,整灯光通量为212 lm,发光效率为91.95 lm/W。该灯外观新颖,能够通过玻璃外壳表面均匀出射白光,扩大球泡灯的发光角度,达到防眩光的目的。     

LED灯丝灯创新技术新析

本文论述和分析LED灯丝与LED灯丝灯的设计、制造关键技术。LED灯丝的设计要点,如何防止蓝光泄出,灯丝的自动点焊系统,灯泡的自动排气封口系统,LED灯丝灯的基本技术要求。本文网络版地址：http：//www.eepw.com.cn/article/274742.htm     

LED灯散热途径分析与陶瓷基板研究

LED具有节能、省电、高效、反应时间快等特点已得到广泛应用,但是LED发光时所产生的热能若无法导出,将会导致LED工作温度过高,从而影响LED灯的寿命、光效以及稳定性。本文从LED温度产生的原因出发,分析LED灯的散热途径以及陶瓷散热基板技术。     

自镇流LED灯的光效测量的不确定度评定

通过对自镇流LED灯的功率和光通量测摄的不确定度进行分析,建立起光效测量的数学模型,并对影响测试结果的各个不确定度分量进行分析和计算,最终绘出测试结果的不确定度报告。     

为什么LED灯实际光通量达不到指标

大功率LED主要用于照明或强光指示信号,其发光亮度是主要性能指标。大功率LED的亮度用光通道大小来表示,符号为Ф,其单位为Im（流明）。在相同的工作电流下,其Im越大则亮度越大。     

LED灯产品的性能、安全测试分析

由于LED技术的发展和普及和LED产品的节能、环保的优越性,近几年LED灯产品被大众消费者认可,相同功率的灯泡,LED灯更亮更节能。但是通过与对市场流通领域的随机抽查,经过测试得出的结论是,市面上的LED照明产品品质良莠不齐,不合格率高达90%。本论文将结合在实际产品测试原理、测试过程及标准,对LED灯的不合格项进行分析研究。     

InGaN基高压LED和传统大功率LED的发光效率比较

主要从三个不同角度探究并分析了基于In Ga N材料的高压LED的发光效率优于传统大功率LED的原因。为了保证实验结论的可靠性,文中所采用的实验样品具有相同的芯片尺寸和材料以及相同的封装结构。经过大量的实验证明,更均匀的电流分布和小芯片间隙的出光,使得高压LED的发光效率优于传统大功率LED。结果显示,在相同的1 W输入功率下,高压LED的发光效率比传统大功率LED高大约4.5%。     

大功率LED用封装基板研究进展

LED被称为第四代照明光源及绿色光源,近几年来该产业发展迅猛.由于LED结温的高低直接影响到LED的出光效率、器件寿命和可靠性等,因此散热问题已经成为大功率LED产业发展的瓶颈.文章阐述了大功率LED基板的封装结构和散热封装技术的发展状况,从基板的结构特点、导热性能及封装应用等方面分别介绍了金属芯印刷电路基板、覆铜陶瓷...     

交流LED与高压LED的特性实验研究

高压LED和交流LED都是通过串联数十颗LED来增大整体导通电压,结构上高压LED是交流LED的一种特殊形式。介绍了高压LED和交流LED的驱动电路模型,其共同点是皆有一个限流电阻与光源串联。通过调整限流电阻的阻值和改变光源所含LED个数与连接形式,分别对高压LED和交流LED的输出特性进行了测量。在两种光源所含LED数量和工作电流均相同的情况下,高压LED的发光效率和光通量要高于交流LED;并联式高压LED的发光效率低于串联式高压LED的发光效率,光通量则相反;验证了交流LED的发光效率与限流电阻无关。     

基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术

介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了产品测试数据。Si衬底LED芯片制备采用上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺,封装采用仿流明大功率封装,封装后白光LED光通量达80 lm,光效达70 lm/W,产品已达商品化。与蓝宝石和SiC衬底技术路线相比,Si衬底LED芯片具有原创技术产权,可销往任何国家而不受国际专利的限制。产品抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高,具有单引线垂直结构,器件封装工艺简单,而且生产效率高,成本低廉。其应用前景广阔,是值得大力发展的一门新技术。     

大功率LED的光衰机制研究

为了研究大功率LED的光衰机制,选用了一系列的大功率白光、蓝光发光二极管分别进行恒流点亮,在点亮不同时间阶段测量其光通量、发光谱及伏安特性.发现在光衰过程中,光通量有时会上升;通过LED光谱测定,发现光谱分布有明显变化;同时,pn结内阻也逐渐变大.研究表明大功率LED光衰有较为复杂的过程:其中荧光粉老化及pn结性能退化是最主要的.文章对此进行了初步的分析,为白光LED的应用及进一步研究白光LED衰减提供了参考.     

图形化蓝宝石衬底形貌对GaN基LED出光性能的影响

近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用.通过干法刻蚀和湿法腐蚀制备了不同规格和形状的蓝宝石衬底图形,并进行外延生长、芯片制备和封装验证,采用扫描电子显微镜(SEM)和3D轮廓仪进行形貌表征,研究了不同规格和形状的衬底图形对LED芯片出光性能影响,并与外购锥形衬底(PSSZ2)进行对比.结果表明,在20 mA工作电流下,PSSZ2的LED光通量为8.33 lm.采用类三角锥和盾形衬底的LED光通量分别为7.83 lm和7.67 lm,分别比PSSZ2衬底低6.00％和7.92％.对锥形形貌进行优化,采用高1.69 μm、直径2.62 μm、间距0.42 μm的锥形衬底(PSSZ3)的LED光通量为8.67 lm,比PSSZ2衬底高4.08％,优化的PSSZ3能有效地提高LED出光性能.     

LED检测方法探讨

主要讨论了发光二极管(LED)的一些检测参量,包括LED发光强度、总光通量和发光光谱等;同时,对检测的环境条件也进行了分析研究。     

空间光强分布对LED发光强度测量的影响

文章从平均LED发光强度的定义出发,介绍了一种确定LED光度中心位置的方法,研究了空间光强分布对平均LED发光强度测量结果的影响,并分析了探测器接收的立体角范围内的配光特性与不同条件下平均LED发光强度测量结果相对误差之间的联系。     

1W级大功率白光LED发光效率研究

研究了1W级大功率白光发光二板管(LED)发光效率随功率变化的关系.实验结果表明,功率在0～0.11W的范围里,发光效率随功率迅速增加;功率达到0.11W时,发光效率为15.6 lm/W;当功率大于0.11W时,发光效率随功率增加开始减小,功率继续增加时,发光效率降低的速度越来越快.在器件额定功率1 W附近,发光效率为13 lm/W.发光效率随功率增加而下降主要是由于芯片温度升高、电流泄漏等导致的载流子有效复合几率下降引起的.