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优化YAG荧光粉涂层配方和工艺,在传统球泡灯玻璃外壳内侧涂覆YAG荧光粉;蓝光LED芯片采用单坑板上芯片封装(COB),使蓝光芯片之间不存在光的相互吸收;选用塑料外壳,且其内部为铝制散热结构,结合高效非隔离驱动电源,优选LED芯片串联数量,制作出白光LED球泡灯。当LED芯片串联个数为30时,非隔离驱动电源输出电压为102 V,效率大于90%。在市电下,整灯光通量为212 lm,发光效率为91.95 lm/W。该灯外观新颖,能够通过玻璃外壳表面均匀出射白光,扩大球泡灯的发光角度,达到防眩光的目的。 相似文献
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本文论述和分析LED灯丝与LED灯丝灯的设计、制造关键技术。LED灯丝的设计要点,如何防止蓝光泄出,灯丝的自动点焊系统,灯泡的自动排气封口系统,LED灯丝灯的基本技术要求。本文网络版地址:http://www.eepw.com.cn/article/274742.htm 相似文献
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《电子技术与软件工程》2015,(16)
LED具有节能、省电、高效、反应时间快等特点已得到广泛应用,但是LED发光时所产生的热能若无法导出,将会导致LED工作温度过高,从而影响LED灯的寿命、光效以及稳定性。本文从LED温度产生的原因出发,分析LED灯的散热途径以及陶瓷散热基板技术。 相似文献
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通过对自镇流LED灯的功率和光通量测摄的不确定度进行分析,建立起光效测量的数学模型,并对影响测试结果的各个不确定度分量进行分析和计算,最终绘出测试结果的不确定度报告。 相似文献
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大功率LED主要用于照明或强光指示信号,其发光亮度是主要性能指标。大功率LED的亮度用光通道大小来表示,符号为Ф,其单位为Im(流明)。在相同的工作电流下,其Im越大则亮度越大。 相似文献
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介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了产品测试数据。Si衬底LED芯片制备采用上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺,封装采用仿流明大功率封装,封装后白光LED光通量达80 lm,光效达70 lm/W,产品已达商品化。与蓝宝石和SiC衬底技术路线相比,Si衬底LED芯片具有原创技术产权,可销往任何国家而不受国际专利的限制。产品抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高,具有单引线垂直结构,器件封装工艺简单,而且生产效率高,成本低廉。其应用前景广阔,是值得大力发展的一门新技术。 相似文献
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高压LED和交流LED都是通过串联数十颗LED来增大整体导通电压,结构上高压LED是交流LED的一种特殊形式。介绍了高压LED和交流LED的驱动电路模型,其共同点是皆有一个限流电阻与光源串联。通过调整限流电阻的阻值和改变光源所含LED个数与连接形式,分别对高压LED和交流LED的输出特性进行了测量。在两种光源所含LED数量和工作电流均相同的情况下,高压LED的发光效率和光通量要高于交流LED;并联式高压LED的发光效率低于串联式高压LED的发光效率,光通量则相反;验证了交流LED的发光效率与限流电阻无关。 相似文献
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近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用.通过干法刻蚀和湿法腐蚀制备了不同规格和形状的蓝宝石衬底图形,并进行外延生长、芯片制备和封装验证,采用扫描电子显微镜(SEM)和3D轮廓仪进行形貌表征,研究了不同规格和形状的衬底图形对LED芯片出光性能影响,并与外购锥形衬底(PSSZ2)进行对比.结果表明,在20 mA工作电流下,PSSZ2的LED光通量为8.33 lm.采用类三角锥和盾形衬底的LED光通量分别为7.83 lm和7.67 lm,分别比PSSZ2衬底低6.00%和7.92%.对锥形形貌进行优化,采用高1.69 μm、直径2.62 μm、间距0.42 μm的锥形衬底(PSSZ3)的LED光通量为8.67 lm,比PSSZ2衬底高4.08%,优化的PSSZ3能有效地提高LED出光性能. 相似文献
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主要讨论了发光二极管(LED)的一些检测参量,包括LED发光强度、总光通量和发光光谱等;同时,对检测的环境条件也进行了分析研究。 相似文献
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文章从平均LED发光强度的定义出发,介绍了一种确定LED光度中心位置的方法,研究了空间光强分布对平均LED发光强度测量结果的影响,并分析了探测器接收的立体角范围内的配光特性与不同条件下平均LED发光强度测量结果相对误差之间的联系。 相似文献